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公开(公告)号：CN106463405B
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201480078849.9
申请日：2014-06-11
申请人： 美国休斯研究所
IPC分类号： H01L21/335 , H01L29/78
摘要： 一种形成欧姆接触的方法，包括：在阻挡层的接触区形成Ta层；在第一Ta层上形成Ti层；和在Ti层上形成Al层；其中所述阻挡层包括AlGaN，其具有10％至40％的Al成分和至之间范围内的厚度；以及所述阻挡层在包含GaN的沟道层上。
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公开(公告)号：CN107258008B
公开(公告)日：2019-11-01
申请号：CN201680011807.2
申请日：2016-04-13
申请人： 美国休斯研究所
摘要： 一种半导体功率处理器件，包括阴极柱、围绕阴极柱的栅极、以及与阴极柱间隔一纳米真空间隙的阳极。一种半导体功率处理器件阵列，每个器件包括阴极柱、围绕阴极柱的栅极、以及与阴极柱间隔一纳米真空间隙的阳极。多个半导体功率处理器件可以按行和列排列，并且可以互相连接以满足不同应用的需求。该半导体功率处理器件阵列可以在单一块衬底上制造。
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公开(公告)号：CN107615491A
公开(公告)日：2018-01-19
申请号：CN201680029172.9
申请日：2016-02-26
申请人： 美国休斯研究所
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/778 , H01L21/336
CPC分类号： H01L27/0605 , H01L21/8252 , H01L27/0629 , H01L27/0688 , H02M1/08 , H02M7/003 , Y02B70/1483
摘要： 一种半桥电路，包括：蓝宝石基底；氮化镓上开关，其位于所述蓝宝石基底上；氮化镓下开关，其位于所述蓝宝石基底上并耦接所述氮化镓上开关；第一导体，其耦接所述上开关；第二导体，其耦接所述下开关；和一电容器。第一导体的一部分和第二导体的一部分位于一平面上，所述平面与所述上开关和所述下开关垂直并分离一高度；所述电容器连接于第一导体的所述部分与第二导体的所述部分之间。
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公开(公告)号：CN106463526B
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201580022667.4
申请日：2015-04-22
申请人： 美国休斯研究所
IPC分类号： H01L29/66 , H01L21/318
摘要： 一种半导体结构，包括三价氮化物材料的层，所述层的至少一部分被钝化层覆盖，其中该钝化层包括在所述三价氮化物材料层的所述至少一部分上形成的第一SiN层和在所述第一SiN层上形成的第二SiN层；该第一SiN层具有第一厚度并在该结构中产生拉伸应力，该第二SiN层具有第二厚度并在该结构中产生压缩应力。
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公开(公告)号：CN106463526A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201580022667.4
申请日：2015-04-22
申请人： 美国休斯研究所
IPC分类号： H01L29/66 , H01L21/318
摘要： 一种半导体结构，包括三价氮化物材料的层，所述层的至少一部分被钝化层覆盖，其中该钝化层包括在所述三价氮化物材料层的所述至少一部分上形成的第一SiN层和在所述第一SiN层上形成的第二SiN层；该第一SiN层具有第一厚度并在该结构中产生拉伸应力，该第二SiN层具有第二厚度并在该结构中产生压缩应力。
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公开(公告)号：CN106463405A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201480078849.9
申请日：2014-06-11
申请人： 美国休斯研究所
IPC分类号： H01L21/335 , H01L29/78
摘要： 一种形成欧姆接触的方法，包括：在阻挡层的接触区形成Ta层；在第一Ta层上形成Ti层；和在Ti层上形成Al层；其中所述阻挡层包括AlGaN，其具有10％至40％的Al成分和 至 之间范围内的厚度；以及所述阻挡层在包含GaN的沟道层上。
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公开(公告)号：CN105874351A
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201480071127.0
申请日：2014-12-04
申请人： 美国休斯研究所
CPC分类号： G01S13/58 , G01S13/42 , G01S2007/356 , G01S2013/0236
摘要： 一种雷达系统，其对所接收的雷达信号使用编码孔径雷达处理，该雷达信号是由视场中的一个或多个物体反射出，该视场反射了通过K次扫描、每次扫描包括Q个频率阶跃的覆盖视场的发射信号。对于II型CAR，发射信号还包括每频率阶跃对应N个调制码。所接收的雷达信号由多个二进制调制器调制，其结果被用于一混合器。对于在一组Q·K（用于I型CAR）或Q·K·N（用于II型CAR）的复数据样本中的采集结果，混合器的输出分布于多个数字通道，每个数字通道对应一个期望的波束方向。对于每个通道，复数字样本按一个样本接一个样本地与一复信号掩码相乘，各通道的复信号掩码不同。
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公开(公告)号：CN105409122A
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：CN201480041805.9
申请日：2014-09-10
申请人： 美国休斯研究所
发明人： 布莱恩·休斯 , 卡里姆·S·布特罗斯 , 丹尼尔·M·森德 , 萨迈赫·G·哈利勒 , 储荣明
IPC分类号： H03K17/041
CPC分类号： H03K17/04106 , H01L23/5385 , H01L23/642 , H01L23/645 , H01L25/072 , H01L25/16 , H01L2224/48091 , H01L2924/00014
摘要： 半桥电路，其包括一绝缘衬底；一位于所述绝缘衬底表面上的金属层；一位于所述金属层上的功率环路衬底；一位于所述功率环路衬底上的上切换开关；一位于所述功率环路衬底上的下切换开关，其连接于所述上切换开关；一位于所述功率环路衬底上的电容，其连接于所述上切换开关；一贯穿所述功率环路衬底的第一沟道，其被连接于所述下切换开关与金属层之间；一贯穿所述功率环路衬底的第二沟道，其被连接于所述电容与金属层之间；其中，所述功率环路衬底具有一定高度，并通过此高度将所述金属层与上切换开关、下切换开关、电容这三者隔开。
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公开(公告)号：CN107615491B
公开(公告)日：2021-05-14
申请号：CN201680029172.9
申请日：2016-02-26
申请人： 美国休斯研究所
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/778 , H01L21/336
摘要： 一种半桥电路，包括：蓝宝石基底；氮化镓上开关，其位于所述蓝宝石基底上；氮化镓下开关，其位于所述蓝宝石基底上并耦接所述氮化镓上开关；第一导体，其耦接所述上开关；第二导体，其耦接所述下开关；和一电容器。第一导体的一部分和第二导体的一部分位于一平面上，所述平面与所述上开关和所述下开关垂直并分离一高度；所述电容器连接于第一导体的所述部分与第二导体的所述部分之间。
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公开(公告)号：CN107078722B
公开(公告)日：2020-05-12
申请号：CN201480082926.8
申请日：2014-11-26
申请人： 美国休斯研究所
发明人： 姜宗灿 , 哈桑·谢里菲 , 埃里克·M·普罗非特
IPC分类号： H03H11/36
摘要： 一种多端口有源环流器，其中多个FET晶体管的每一个具有（i）控制电极，经由多个第一射频扼流圈中的一个相关联扼流圈的一个电容连接到环流器的一个相关联的端口，每个第一射频扼流圈连接到多个晶体管中的一个相关联晶体管的一个控制电极、相关联的晶体管的相关联端口和第一电源；（ii）一个源极，连接到一个公共点；以及（iii）一个漏极，通过一个反馈电路连接到同一晶体管的栅极，并通过第二射频扼流圈中的一个射频扼流圈的一个电容连接到一个相邻晶体管的栅极，每个第二射频扼流圈经由其中的电容耦合相邻晶体管的栅极和漏极，且每个第二射频扼流圈连接到第二电源连接。
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