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公开(公告)号：CN106537599A
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201580039620.9
申请日：2015-08-14
申请人： 美国休斯研究所
发明人： 储荣明
IPC分类号： H01L29/778 , H01L21/336
摘要： 一种垂直沟道MOSFET，包括：三价氮化物材料的N型掺杂的基板；和在该基板的顶部表面上生长的三价氮化物材料的外延层，在所述外延层中形成N型掺杂漂移区；所述三价氮化物材料的P型掺杂基极层，该基极层在该漂移区的至少一部分的顶部上形成；所述三价氮化物材料的N型掺杂源极区，该源极区在该基极层的至少一部分上形成；以及具有至少一个垂直壁的栅极沟道，该垂直壁沿着该源极区的至少一部分和该基极层的至少一部分延伸；其中沿着该栅极沟道的该P型掺杂基极层的至少一部分是所述P型掺杂三价氮化物材料的、另外包含一定比例的铝的层。
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公开(公告)号：CN106170866A
公开(公告)日：2016-11-30
申请号：CN201480077059.9
申请日：2014-04-25
申请人： 美国休斯研究所
IPC分类号： H01L29/778 , H01L21/335
CPC分类号： H01L29/7787 , H01L21/02381 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L29/2003 , H01L29/201 , H01L29/205 , H01L29/402 , H01L29/404 , H01L29/4175 , H01L29/42372 , H01L29/475 , H01L29/66462 , H01L29/7786
摘要： 一种制造III‑V族半导体电路的方法，该方法包括：在生长基材上形成第一III‑V族材料层；在第一III‑V族材料层上形成第二III‑V族材料层；形成具有与第二III‑V族材料层的顶部表面接触的源电极和漏电极的FET晶体管；在FET晶体管的上方形成顶部介电层；在顶部介电层的上方形成金属层，其中金属层被连接到源电极；将操作基材附接到金属层的顶部表面；从第一III‑V族材料层的底部去除生长基材；并且在第一III‑V族材料层的底部上形成底部介电层。
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公开(公告)号：CN106463405B
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201480078849.9
申请日：2014-06-11
申请人： 美国休斯研究所
IPC分类号： H01L21/335 , H01L29/78
摘要： 一种形成欧姆接触的方法，包括：在阻挡层的接触区形成Ta层；在第一Ta层上形成Ti层；和在Ti层上形成Al层；其中所述阻挡层包括AlGaN，其具有10％至40％的Al成分和至之间范围内的厚度；以及所述阻挡层在包含GaN的沟道层上。
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公开(公告)号：CN107615491A
公开(公告)日：2018-01-19
申请号：CN201680029172.9
申请日：2016-02-26
申请人： 美国休斯研究所
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/778 , H01L21/336
CPC分类号： H01L27/0605 , H01L21/8252 , H01L27/0629 , H01L27/0688 , H02M1/08 , H02M7/003 , Y02B70/1483
摘要： 一种半桥电路，包括：蓝宝石基底；氮化镓上开关，其位于所述蓝宝石基底上；氮化镓下开关，其位于所述蓝宝石基底上并耦接所述氮化镓上开关；第一导体，其耦接所述上开关；第二导体，其耦接所述下开关；和一电容器。第一导体的一部分和第二导体的一部分位于一平面上，所述平面与所述上开关和所述下开关垂直并分离一高度；所述电容器连接于第一导体的所述部分与第二导体的所述部分之间。
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公开(公告)号：CN107615491B
公开(公告)日：2021-05-14
申请号：CN201680029172.9
申请日：2016-02-26
申请人： 美国休斯研究所
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/778 , H01L21/336
摘要： 一种半桥电路，包括：蓝宝石基底；氮化镓上开关，其位于所述蓝宝石基底上；氮化镓下开关，其位于所述蓝宝石基底上并耦接所述氮化镓上开关；第一导体，其耦接所述上开关；第二导体，其耦接所述下开关；和一电容器。第一导体的一部分和第二导体的一部分位于一平面上，所述平面与所述上开关和所述下开关垂直并分离一高度；所述电容器连接于第一导体的所述部分与第二导体的所述部分之间。
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公开(公告)号：CN106537599B
公开(公告)日：2020-03-03
申请号：CN201580039620.9
申请日：2015-08-14
申请人： 美国休斯研究所
发明人： 储荣明
IPC分类号： H01L29/778 , H01L21/336
摘要： 一种垂直沟道MOSFET，包括：三价氮化物材料的N型掺杂的基板；和在该基板的顶部表面上生长的三价氮化物材料的外延层，在所述外延层中形成N型掺杂漂移区；所述三价氮化物材料的P型掺杂基极层，该基极层在该漂移区的至少一部分的顶部上形成；所述三价氮化物材料的N型掺杂源极区，该源极区在该基极层的至少一部分上形成；以及具有至少一个垂直壁的栅极沟道，该垂直壁沿着该源极区的至少一部分和该基极层的至少一部分延伸；其中沿着该栅极沟道的该P型掺杂基极层的至少一部分是所述P型掺杂三价氮化物材料的、另外包含一定比例的铝的层。
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公开(公告)号：CN105409122B
公开(公告)日：2018-07-06
申请号：CN201480041805.9
申请日：2014-09-10
申请人： 美国休斯研究所
发明人： 布莱恩·休斯 , 卡里姆·S·布特罗斯 , 丹尼尔·M·森德 , 萨迈赫·G·哈利勒 , 储荣明
IPC分类号： H03K17/041
CPC分类号： H03K17/04106 , H01L23/5385 , H01L23/642 , H01L23/645 , H01L25/072 , H01L25/16 , H01L2224/48091 , H01L2924/00014
摘要： 半桥电路，其包括一绝缘衬底；一位于所述绝缘衬底表面上的金属层；一位于所述金属层上的功率环路衬底；一位于所述功率环路衬底上的上切换开关；一位于所述功率环路衬底上的下切换开关，其连接于所述上切换开关；一位于所述功率环路衬底上的电容，其连接于所述上切换开关；一贯穿所述功率环路衬底的第一沟道，其被连接于所述下切换开关与金属层之间；一贯穿所述功率环路衬底的第二沟道，其被连接于所述电容与金属层之间；其中，所述功率环路衬底具有一定高度，并通过此高度将所述金属层与上切换开关、下切换开关、电容这三者隔开。
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公开(公告)号：CN106463526B
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201580022667.4
申请日：2015-04-22
申请人： 美国休斯研究所
IPC分类号： H01L29/66 , H01L21/318
摘要： 一种半导体结构，包括三价氮化物材料的层，所述层的至少一部分被钝化层覆盖，其中该钝化层包括在所述三价氮化物材料层的所述至少一部分上形成的第一SiN层和在所述第一SiN层上形成的第二SiN层；该第一SiN层具有第一厚度并在该结构中产生拉伸应力，该第二SiN层具有第二厚度并在该结构中产生压缩应力。
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公开(公告)号：CN106463526A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201580022667.4
申请日：2015-04-22
申请人： 美国休斯研究所
IPC分类号： H01L29/66 , H01L21/318
摘要： 一种半导体结构，包括三价氮化物材料的层，所述层的至少一部分被钝化层覆盖，其中该钝化层包括在所述三价氮化物材料层的所述至少一部分上形成的第一SiN层和在所述第一SiN层上形成的第二SiN层；该第一SiN层具有第一厚度并在该结构中产生拉伸应力，该第二SiN层具有第二厚度并在该结构中产生压缩应力。
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