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公开(公告)号：CN109950367B
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN201810941000.X
申请日：2018-08-17
申请人： 美科米尚技术有限公司
IPC分类号： H01L33/00
摘要： 本发明是关于一种元件转移方法，其包括：在载体基板上形成柔韧黏合层；将元件放置于柔韧黏合层上方；以转移头组件接触元件，其中转移头组件的柔韧介电层在接触期间和元件接触且比元件还柔软，因此转移头组件的柔韧介电层在接触期间变形，且柔韧黏合层比元件还柔软，因此柔韧黏合层在接触期间变形；驱使转移头组件产生抓取力；利用转移头组件所产生的抓取力拾取元件；以及将元件放置于接收基板上。因此，这可使得转移头组件容易拾取元件，并增加拾取的成功率。
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公开(公告)号：CN108538979A
公开(公告)日：2018-09-14
申请号：CN201711346309.6
申请日：2017-12-15
申请人： 美科米尚技术有限公司
摘要： 本发明公开了一种发光二极管及其制造方法，发光二极管制造方法，包含以下多个步骤。形成第一型半导体层。在第一型半导体层上形成第二型半导体层。掺杂杂质进入第二型半导体层的第一部位中。其中在掺杂后，存在于第二型半导体层的第一部位中的杂质的浓度大于第二型半导体层的第二部位的杂质的浓度，使得第二型半导体层的第一部位的电阻率大于第二型半导体层的第二部位的电阻率。第二部位以及第一部位的组合可以限制电流进入第一型半导体层以及第二型半导体层之间的主动层的区域，增强主动层的发光区中的电流密度，从而增进发光二极管的运行稳定性及效率。
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公开(公告)号：CN106129202B
公开(公告)日：2018-06-12
申请号：CN201610789116.7
申请日：2016-08-31
申请人： 美科米尚技术有限公司
摘要： 本发明公开了一种发光二极管与其制作方法，该发光二极管包含第一型半导体层、主动层、第二型半导体层以及至少一个电流控制结构。第一型半导体层具有第一区及第二区。第一区具有第一穿透位错密度。第二区具有第二穿透位错密度。第一穿透位错密度大于第二穿透位错密度。主动层连接于第一型半导体层。第二型半导体层连接于主动层。电流控制结构连接于第一型半导体层及第二型半导体层的其中至少一个。电流控制结构具有至少一个电流注入区域。第二区在电流控制结构的垂直投影与电流注入区域至少部分重叠。因此，主动层对应第二区处，是以较小的穿透位错密度形成，故可改善发光二极管的发光效率。
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公开(公告)号：CN105405943A
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：CN201510824610.8
申请日：2015-11-24
申请人： 美科米尚技术有限公司
IPC分类号： H01L33/14
CPC分类号： H01L33/145 , H01L24/83 , H01L33/0016 , H01L33/0033 , H01L2224/73104 , H01L2224/83001 , H01L2224/83191 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 本发明公开了一种微型发光二极管，其包含第一型半导体层、第二型半导体层、第一边缘隔离结构、第一电极以及第二电极。第二型半导体层连接第一型半导体层。第一边缘隔离结构连接第一型半导体层。第一电极电性耦接第一型半导体层。第一型半导体层的边缘在第一电极上的垂直投影的至少一部分与第一电极重叠。第一边缘隔离结构位于第一型半导体层的至少一部分上。第二电极电性耦接第二型半导体层。第一电极与第二电极中的至少一个为至少部分是透明的。借此，本发明的微型发光二极管，可减少发生在微型发光二极管的侧表面的非辐射复合，从而增加微型发光二极管的效率。并且，微型发光二极管的漏电流可被减少，有助于微型发光二极管继续微型化。
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公开(公告)号：CN107228289B
公开(公告)日：2019-12-03
申请号：CN201710105802.2
申请日：2017-02-24
申请人： 美科米尚技术有限公司
摘要： 本发明公开了一种用于转移的中间结构以及转移的多个微型装置的制备方法，其中用于转移的多个微型装置的制备方法包含：将多个微型装置暂时地黏贴至承载基板上；测试承载基板上的多个微型装置，以决定多个微型装置中是否有至少一个第一损毁微型装置；以及从承载基板上移除第一损毁微型装置。借此，当微型装置分别被转移至接收基板的像素时，有瑕疵的微型装置不会被转移至接收基板且也不会占据接收基板的对应像素的空间。
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公开(公告)号：CN106711301A
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201610867377.6
申请日：2016-09-29
申请人： 美科米尚技术有限公司
摘要： 本发明公开了一种发光二极管与其制作方法，该发光二极管包含第一型半导体层、第二型半导体层、电流控制结构、第一电极及第二电极。第二型半导体层连接于第一型半导体层。电流控制结构连接于第一型半导体层，且在其内具有至少一个电流注入区域。第一电极通过电流控制结构的电流注入区域而电性连接至第一型半导体层。第二电极电性连接至第二型半导体层。通过电流注入区域限制第一型半导体层与第一电极之间的接触区域，使流入发光二极管的电流密度可获得提升。
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公开(公告)号：CN106711301B
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN201610867377.6
申请日：2016-09-29
申请人： 美科米尚技术有限公司
摘要： 本发明公开了一种发光二极管与其制作方法，该发光二极管包含第一型半导体层、第二型半导体层、电流控制结构、第一电极及第二电极。第二型半导体层连接于第一型半导体层。电流控制结构连接于第一型半导体层，且在其内具有至少一个电流注入区域。第一电极通过电流控制结构的电流注入区域而电性连接至第一型半导体层。第二电极电性连接至第二型半导体层。通过电流注入区域限制第一型半导体层与第一电极之间的接触区域，使流入发光二极管的电流密度可获得提升。
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公开(公告)号：CN109950367A
公开(公告)日：2019-06-28
申请号：CN201810941000.X
申请日：2018-08-17
申请人： 美科米尚技术有限公司
IPC分类号： H01L33/00
摘要： 本发明是关于一种元件转移方法，其包括：在载体基板上形成柔韧黏合层；将元件放置于柔韧黏合层上方；以转移头组件接触元件，其中转移头组件的柔韧介电层在接触期间和元件接触且比元件还柔软，因此转移头组件的柔韧介电层在接触期间变形，且柔韧黏合层比元件还柔软，因此柔韧黏合层在接触期间变形；驱使转移头组件产生抓取力；利用转移头组件所产生的抓取力拾取元件；以及将元件放置于接收基板上。因此，这可使得转移头组件容易拾取元件，并增加拾取的成功率。
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公开(公告)号：CN106395736B
公开(公告)日：2018-09-18
申请号：CN201610375924.9
申请日：2016-05-31
申请人： 美科米尚技术有限公司
IPC分类号： B81C1/00
摘要： 本发明公开了一种转置头阵列与微元件的转移方法，所述转置头阵列包含本体以及多个转置头。此本体具有基底部与设置于基底部上的墙垣部。墙垣部定义本体上的多个凹槽，且墙垣部具有顶面。墙垣部的顶面具有多个提取区域，凹槽被墙垣部隔开。转置头分别设置于提取区域上。转置头阵列的凹槽用以在转置头上的第一微元件接触接收基板时，容置位于接收基板上的其他凸出的对象，以避免这些对象造成干扰。
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公开(公告)号：CN105679902B
公开(公告)日：2018-06-22
申请号：CN201610133692.6
申请日：2016-03-09
申请人： 美科米尚技术有限公司
CPC分类号： H01L33/145 , H01L24/83 , H01L33/0016 , H01L33/0033 , H01L2224/73104 , H01L2224/83001 , H01L2224/83191 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 本发明公开了一种微型发光二极管，其包含第一型半导体层、第二型半导体层、第一边缘隔离结构、第一电极以及第二电极。第二型半导体层连接第一型半导体层。第一边缘隔离结构连接第一型半导体层。第一电极电性耦接第一型半导体层。第一型半导体层的边缘在第一电极上的垂直投影的至少一部分与第一电极重叠。第一边缘隔离结构位于第一型半导体层的至少一部分上。第二电极电性耦接第二型半导体层。第一电极与第二电极中的至少一个为至少部分是透明的。借此，本发明的微型发光二极管，可减少发生在微型发光二极管的侧表面的非辐射复合，从而增加微型发光二极管的效率。并且，微型发光二极管的漏电流可被减少，有助于微型发光二极管继续微型化。
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