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公开(公告)号：CN118719911A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202411226907.X
申请日：2024-09-03
申请人： 苏州中科重仪半导体材料有限公司
IPC分类号： B21D22/14
摘要： 本申请公开了一种旋压机构，该旋压机构包括：基座；驱动轴，位于基座上；第一支撑臂，第一支撑臂的一端与驱动轴铰接，第一支撑臂的另一端设置有第一辊轮；第二支撑臂，第二支撑臂的一端与驱动轴铰接，第二支撑臂的另一端设置有第二辊轮；其中，第二支撑臂与第一支撑臂相对应，第一辊轮和第二辊轮交叉设置，驱动轴、第一支撑臂和第二支撑臂上设置有传动结构，使驱动轴带动第一辊轮和第二辊轮转动，第一辊轮和第二辊轮之间具有间隙，第一辊轮的旋转方向和第二辊轮的旋转方向相反。该旋压机构通过两个辊轮对金属管进行旋压，使其管径得以缩小，减少了缩管工艺中的开裂、弯折等缺陷，提升了产品良率和加工效率。
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公开(公告)号：CN118681341A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202411172984.1
申请日：2024-08-26
申请人： 苏州中科重仪半导体材料有限公司
摘要： 本发明提供一种MOCVD设备的尾气过滤器结构和使用方法，涉及过滤器结构技术领域，包括MOCVD反应室，所述MOCVD反应室通过管道连接有过滤装置，所述过滤装置通过管道连接有压力调节阀，所述压力调节阀通过管道连接有真空抽气泵，当第一过滤器的压力过大之后，打开出气管内部的阀门，其中外筒内部左端的气体会有一部分进入第二过滤器内部进行过滤净化处理，从而实现第一过滤器与第二过滤器相互辅助使用，从而提高整体的过滤效率。
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公开(公告)号：CN115595563A
公开(公告)日：2023-01-13
申请号：CN202211252519.X
申请日：2022-10-13
申请人： 苏州中科重仪半导体材料有限公司(CN)
摘要： 本说明书实施例提供一种托盘控温加热器装置及其控制方法，所述托盘控温加热器装置包括托盘，用于承载衬底；加热装置，设置于托盘下方，用于对所述托盘进行加热，包括第一加热装置、第二加热装置和第三加热装置；旋转装置，用于旋转所述托盘；检测装置，用于测量所述衬底中至少一个检测点位的温度；控制装置，用于基于所述检测装置的检测结果，控制所述第一加热装置、所述第二加热装置和所述第三加热装置的加热温度，以及控制所述旋转装置的旋转速度。
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公开(公告)号：CN118705539A
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202411214960.8
申请日：2024-08-30
申请人： 苏州中科重仪半导体材料有限公司
摘要： 本发明公开了一种气体供应系统及气体供应方法。根据本公开的气体供应系统包括罐体，罐体中储存有待供应气体；供气口与罐体相连通，以向外界供应待供应气体；第一管道的第一端与所体相连通，第一管道的第二端与供气口相连通；减压器设置在第一管道上，并位于第一管道的第一端和供气口之间；第二管道的第一端与罐体相连通，第二管道的第二端与供气口相连通；加热单元位于罐体上，以对罐体的内部进行加热；检测单元检测第一管道的第一端与减压器之间的第一管道中的待供应气体的压力值；在压力值处于不同压力区间时，采用不同的气体供应方案。根据本公开的气体供应系统及气体供应方法，能够保证供应气体的输出压力值稳定在所需范围内。
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公开(公告)号：CN115595563B
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202211252519.X
申请日：2022-10-13
申请人： 苏州中科重仪半导体材料有限公司
摘要： 本说明书实施例提供一种托盘控温加热器装置及其控制方法，所述托盘控温加热器装置包括托盘，用于承载衬底；加热装置，设置于托盘下方，用于对所述托盘进行加热，包括第一加热装置、第二加热装置和第三加热装置；旋转装置，用于旋转所述托盘；检测装置，用于测量所述衬底中至少一个检测点位的温度；控制装置，用于基于所述检测装置的检测结果，控制所述第一加热装置、所述第二加热装置和所述第三加热装置的加热温度，以及控制所述旋转装置的旋转速度。
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公开(公告)号：CN118793813A
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202411288081.X
申请日：2024-09-14
申请人： 苏州中科重仪半导体材料有限公司
摘要： 本发明提供一种MO源瓶开关结构，涉及开关结构技术领域，包括MO源瓶，所述MO源瓶的上端固定安装有控制组件，所述控制组件的上端安装有出气管和进气管，所述控制组件的下端安装有短管和长管，开启，先旋转第三阀组，由于短管与液体没有接触，即使源瓶内外有压强不一致，只要旋转第三阀组并延时一段时间，第一竖槽、第二竖槽和横槽内部压强都一致，此时再旋转第一阀组，MO源瓶中的液体就不可能在压力下逆流到上面去，这就避免了MO源瓶开启时的液体逆流和倒灌。
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公开(公告)号：CN118639326A
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202411114784.0
申请日：2024-08-14
申请人： 苏州中科重仪半导体材料有限公司
摘要： 本发明提供了外延生长装置，涉及半导体材料科学与工程技术领域，旨在解决现有技术或相关技术中半导体晶圆的旋转方式单一的技术问题。外延生长装置包括；固定板；支撑盘可转动地设于固定板上，支撑盘上设置有容纳槽和避让通孔，多个容纳槽环绕避让通孔设置；第一驱动组件设于固定板，用于驱动支撑盘围绕支撑盘的中轴线转动；每一容纳槽内设置有一个储物盘，储物盘用于放置半导体晶圆；转动齿设于避让通孔处，与多个储物盘连接；第二驱动组件设于固定板，用于驱动转动齿转动，以带动多个储物盘围绕各自的中轴线转动；加热器设置在固定板上方，且位于支撑盘的下方。本发明的外延生长装置，储物盘既可以公转的同时，又可以实现自转，加热效果更好。
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公开(公告)号：CN117005025B
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202311123857.8
申请日：2023-09-01
申请人： 苏州中科重仪半导体材料有限公司
发明人： 李书田
IPC分类号： C30B25/08 , C30B25/12 , C30B25/16 , C30B30/04 , C23C16/458
摘要： 本说明书实施例提供一种磁悬浮自转公转反应室装置，该装置包括石墨基础、主石墨回转体、多个基片承载体、多组磁机构、加热器以及处理器；石墨基础包括石墨基座和石墨压圈；多组磁机构包括第一支承磁机构、第二支承磁机构、第一驱动磁机构和第二驱动磁机构；加热器安装于主石墨回转体、基片承载体与石墨基座之间；处理器被配置为：根据设定的公转转速，生成第一磁力控制指令，控制第一驱动磁机构的磁力大小，以驱动主石墨回转体以设定的公转转速旋转；根据设定的自转转速，生成第二磁力控制指令，控制第二驱动磁机构的磁力大小，以驱动基片承载体以设定的自转转速旋转。
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公开(公告)号：CN117005025A
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202311123857.8
申请日：2023-09-01
申请人： 苏州中科重仪半导体材料有限公司
发明人： 李书田
IPC分类号： C30B25/08 , C30B25/12 , C30B25/16 , C30B30/04 , C23C16/458
摘要： 本说明书实施例提供一种磁悬浮自转公转反应室装置，该装置包括石墨基础、主石墨回转体、多个基片承载体、多组磁机构、加热器以及处理器；石墨基础包括石墨基座和石墨压圈；多组磁机构包括第一支承磁机构、第二支承磁机构、第一驱动磁机构和第二驱动磁机构；加热器安装于主石墨回转体、基片承载体与石墨基座之间；处理器被配置为：根据设定的公转转速，生成第一磁力控制指令，控制第一驱动磁机构的磁力大小，以驱动主石墨回转体以设定的公转转速旋转；根据设定的自转转速，生成第二磁力控制指令，控制第二驱动磁机构的磁力大小，以驱动基片承载体以设定的自转转速旋转。
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公开(公告)号：CN116753280A
公开(公告)日：2023-09-15
申请号：CN202310966650.0
申请日：2023-08-02
申请人： 苏州中科重仪半导体材料有限公司
发明人： 李书田
摘要： 本说明书实施例提供一种高真空旋转密封装置，包括摆动机构、驱动机构、密封机构、连接机构以及处理器，摆动机构包括第一摆动盘和第二摆动盘；驱动机构包括外驱动机构和内驱动机构；密封机构包括至少一个波纹管；连接机构包括连杆和十字轴；处理器被配置为：控制外驱动机构以初始驱动参数运行，外驱动机构带动摆动机构摆动，摆动机构的摆动满足预设传动精度；控制连接机构以初始连杆参数运行。
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