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公开(公告)号：CN118930258A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202411427008.6
申请日：2024-10-14
申请人： 苏州芯合半导体材料有限公司
IPC分类号： C04B35/48 , C04B35/10 , C04B35/622 , C04B35/632 , C04B35/634 , B33Y70/10 , B33Y10/00 , C04B35/638
摘要： 本发明提供一种高精度陶瓷3D打印浆料及其制备方法、应用，包括以下组分：陶瓷粉体；光敏树脂；分散剂；紫外吸收剂；复合增塑剂；夺氢型光引发剂；固化促进剂；不仅有效降低了陶瓷浆料对光的吸收量，减少了光的外溢现象，从而提高了打印过程中的光能利用效率，保证了固化宽度，而且同时保证固化深度，从而避免了因固化不足导致的打印产品强度偏低的问题出现；并且在脱脂阶段有利于形成脱脂孔道，使得光敏树脂顺利地排出，避免了产品的开裂的问题出现；实现了高精度的光固化3D打印成型，提高了产品的精度和批量化生产的质量。
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公开(公告)号：CN118893498A
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN202411140796.0
申请日：2024-08-20
申请人： 苏州芯合半导体材料有限公司
摘要： 本发明公开了一种劈刀CD尺寸边缘端面抛光方法，包括以下步骤：步骤一，将CD区域的尺寸确定下来；步骤二，使用蘸取钻石膏的自动抛光机，沿陶瓷劈刀端面进刀，以0°进行面的抛光；步骤三，依据被抛光陶瓷劈刀的端面寿命对其CD区域的边缘进行抛光，被抛光陶瓷劈刀的端面寿面与抛光宽度呈正相关，即抛光范围越大，被抛光陶瓷劈刀的端面寿面越长；步骤四，完成抛光后，对CD区域尺寸以及端面抛光尺寸进行测量，确认CD区域尺寸和端面抛光尺寸变化在合理范围内；步骤五，记录端面抛光尺寸，该尺寸即为抛光延长所需寿命对应的尺寸。本发明一种劈刀CD尺寸边缘端面抛光方法，使得陶瓷劈刀寿命可以增加0.5~1倍以上。
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公开(公告)号：CN118831700A
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN202411157303.4
申请日：2024-08-22
申请人： 苏州芯合半导体材料有限公司
摘要： 本发明公开了一种杵磨机的模糊自适应控制方法，包括以下步骤：杵磨机启动，调控杵磨杆在杵磨腔内的Z轴高度，采集杵磨粉体的力学离散信号Mhi，得到极值；求取每个Z轴高度段的力学信号平均值#imgabs0#在力学信号极值范围内，变换Z轴高度，得到力学离散信号从Mhi变化到#imgabs1#对应的时间；计算每个Z轴高度段的力学离散信号对应的方差；求取自相关系数；对Mhi进行补偿，得到新的每个Z轴高度段的力学信号从M′(z)变化到#imgabs2#对应的时间；重复前述步骤，直至杵磨机达到停机标准自动停机。本发明可干磨，也可湿磨，研磨前无需对粉体原料进行粒径检测，无需手动研磨，可实现无干预自适应停机，智能化水平和研磨效率高。
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公开(公告)号：CN118637896A
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202411100842.4
申请日：2024-08-12
申请人： 苏州芯合半导体材料有限公司
发明人： 洪从叶
IPC分类号： C04B35/10 , C04B35/628 , C08G73/02
摘要： 本发明属于氧化铝陶瓷技术领域，且公开了一种防团聚的陶瓷粉体及其制备方法，本发明利用油酸与纳米氧化铝陶瓷粉体表面的羟基反应，得到油酸改性氧化铝陶瓷粉体，然后在光引发剂1173催化下，将含巯基羧基聚乙烯亚胺的巯基与氧化铝陶瓷粉体表面接枝的油酸的烯基进行加成反应，从而将含有羧基的聚乙烯亚胺聚合物接枝到纳米氧化铝表面，有效改善了纳米氧化铝陶瓷粉体的分散性，在N,N‑二甲基甲酰胺、二甲亚砜、乙醇、四氢呋喃有机溶剂中不易团聚，分散性优良。并且聚乙烯亚胺引入羧基亲水基团后，进一步提高了纳米氧化铝表面的亲水性，在水中的分散性更好。
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公开(公告)号：CN118617555A
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202411081813.8
申请日：2024-08-08
申请人： 苏州芯合半导体材料有限公司
摘要： 本发明涉及陶瓷劈刀制造技术领域，尤其是一种陶瓷劈刀坯件干压设备。压型模具由机台负担，且经由送粉部向其供应陶瓷粉。当陶瓷粉向着压型模具落料、填充完毕后，压型动力部施以压力以使其成为陶瓷劈刀坯件，后经由取件机构转移至下道工序。储粉斗借由输粉软管以实现与粉料中转仓的连通。在抖料驱动单元的驱动力作用下，在大距离位移阶段，粉料中转仓由初始位相向于落料位进行位移，直至与落料腔相对位；而在微距高频往复位移阶段，粉料中转仓因受到往复力作用而执行微幅高频往复横扫运动。如此，一方面，在落料进程中陶瓷粉之间剧烈地碰撞、且充分混合，利于落料腔各分区被同速同量地填充；另一方面，受潮聚团因碰撞而分散，以避免落料腔被阻塞。
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公开(公告)号：CN118497675A
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202410979656.6
申请日：2024-07-22
申请人： 苏州芯合半导体材料有限公司
摘要： 本发明提供一种劈刀涂层及其制备方法，包括以下步骤：S1对劈刀基体的表面进行清洁处理；S2对进行清洁处理后的劈刀基体进行预处理；S3在进行预处理后的劈刀基体表面形成铬元素涂层；S4在铬元素涂层上采用射频磁控溅射方法制作出微晶结构的氧化铬涂层，得到劈刀涂层；这样降低了劈刀涂层表面的粗糙度，提升了涂层与劈刀基体之间的结合力，使得劈刀的使用寿命得到了提升。
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公开(公告)号：CN118493253A
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202410818911.9
申请日：2024-06-24
申请人： 苏州芯合半导体材料有限公司
摘要： 本发明公开了一种陶瓷键合工具外磨加工电动卡盘轴定位微量调节机构，包括夹具台、电动卡盘、1um位移量调节机构、10um位移量调节机构、供电插拔机构和控制模块；本调节机构通过10um位移量调节机构与1um位移量调节机构配合对电动卡盘夹紧定位后偏移的陶瓷键合工具型材进行微米级微量调节，弥补了传统的电动缸调节精度实现达到1um位移量调节的使用不足，调节完成后陶瓷键合工具型材中轴线位于视觉检测机构的参照中轴线重合，能够提高陶瓷键合工具外倒角研磨的加工精度。
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公开(公告)号：CN117393445A
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN202311374688.5
申请日：2023-10-23
申请人： 苏州芯合半导体材料有限公司
摘要： 本发明公开了一种劈刀及其制作方法，属于半导体封装技术领域。本发明所述劈刀顶部设置有凸起的台阶，所述台阶设置于所述劈刀内孔四周外侧。本发明通过在劈刀顶部四周设置台阶，从而增加磨损位置的高度，使得劈刀在引线键合过程中，台阶区域会先磨损，然后再磨损内部区域，从而增加劈刀的寿命。
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公开(公告)号：CN118905741A
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202411073580.7
申请日：2024-08-06
申请人： 苏州芯合半导体材料有限公司
摘要： 本申请提供一种基于图像分析的陶瓷劈刀尺寸打磨方法、设备及存储介质。该方法包括：采集待打磨的陶瓷劈刀的表面图像；通过图像处理模型对所述表面图像进行分析，获取所述陶瓷劈刀的外轮廓信息，所述外轮廓信息包括所述陶瓷劈刀的折角点、所述陶瓷劈刀的头部长度、所述陶瓷劈刀的侧面长度、以及所述陶瓷劈刀的侧面角度；获取打磨所述陶瓷劈刀的打磨砂轮刀具的砂轮折角点信息；根据所述外轮廓信息、所述砂轮折角点信息，生成打磨所述陶瓷劈刀的打磨路径信息，所述打磨路径信息包括打磨方向、打磨力度、打磨角度；根据所述打磨路径信息控制所述打磨砂轮刀具对所述陶瓷劈刀进行打磨。本申请的方法，提升了打磨陶瓷劈刀的精度和效率。
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公开(公告)号：CN118851756A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202411338453.5
申请日：2024-09-25
申请人： 苏州芯合半导体材料有限公司
IPC分类号： C04B35/49 , C04B35/622 , C04B35/80 , C04B35/634
摘要： 本发明公开了一种半导体用高精密陶瓷材料及其制备方法，涉及半导体用陶瓷材料技术领域，包括如下按重量份计的各原料制成：基体组分55‑75份、烧结助剂3‑5份、副组分8‑12份、增强组分10‑20份、粘结组分1‑3份；所述基体组分为Ba‑Ti‑Bi‑稀土元素‑Zr‑A‑M‑O，其中，A为B、Te按质量比1:(0.1‑0.3)混合而成；M为In、Fe、Co、Mo、Ta中的至少一种；所述副组分为纳米硅化铌、纳米碳化钽、纳米氮化镓按质量比1:(0.8‑1.2):(0.3‑0.5)混合而成。该材料强度高、断裂韧性足，介电损耗和显气孔率低。
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