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公开(公告)号：CN118497675A
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202410979656.6
申请日：2024-07-22
申请人： 苏州芯合半导体材料有限公司
摘要： 本发明提供一种劈刀涂层及其制备方法，包括以下步骤：S1对劈刀基体的表面进行清洁处理；S2对进行清洁处理后的劈刀基体进行预处理；S3在进行预处理后的劈刀基体表面形成铬元素涂层；S4在铬元素涂层上采用射频磁控溅射方法制作出微晶结构的氧化铬涂层，得到劈刀涂层；这样降低了劈刀涂层表面的粗糙度，提升了涂层与劈刀基体之间的结合力，使得劈刀的使用寿命得到了提升。
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公开(公告)号：CN118751659A
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202411242278.X
申请日：2024-09-05
申请人： 苏州芯合半导体材料有限公司
摘要： 本发明提供一种造粒废粉分离回收方法及纯净的陶瓷粉体，包括以下步骤：取适量造粒废粉倒入球磨机中，加入醇类物质和柠檬酸；加入研磨球，真空条件下进行球磨，球磨后放置，放置后使用聚丙烯酸铵充分分解后，再循环以下球磨步骤至少五次：真空条件下进行球磨，球磨后放置，放置后使用聚丙烯酸铵充分分解后，得到球磨后的浆料；将球磨后的浆料进行旋蒸固液分离，得到旋蒸干燥后的粉末；将旋蒸干燥后的粉末在异丙醇中二次润洗，将二次润洗后的粉末进行旋蒸固液分离，得到纯净的陶瓷粉末；能有效去除废粉中有机物，得到纯净的陶瓷粉体，这不仅降低了回收粉末中的有机物残留量，满足二次使用的标准，更使得废粉资源得到了有效回收再利用。
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公开(公告)号：CN117206988A
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202311464304.9
申请日：2023-11-06
申请人： 苏州芯合半导体材料有限公司
IPC分类号： B24B1/00 , B24B31/00 , B24B49/00 , H01L21/607
摘要： 本发明涉及一种劈刀及其表面粗化方法，该劈刀表面粗化方法包括：将劈刀进行抛光处理、清洁后，与粗化材料一起预加热，后冷却；所述粗化材料为TiC、ZrC、TaC、NbC、VC、Mo2C、WC和SiC中的至少一种；所述劈刀与所述粗化材料的质量关系为1800~2200：1。本发明通过特定材料来改变劈刀的表面粗糙度，从而使得引线键合时与基材接触面更大，第二焊点抓线更牢固、更耐磨，该粗化方法，安全性高。
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公开(公告)号：CN116441733A
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202310377009.3
申请日：2023-04-11
申请人： 苏州芯合半导体材料有限公司
IPC分类号： B23K26/352 , B23K26/60 , B23P15/00 , B23K37/00 , H01L21/60
摘要： 本发明公开了一种劈刀表面粗化方法、劈刀，所述方法包括：对劈刀表面进行预处理，后采用设定激光对所述劈刀表面进行粗化处理；对粗化处理后的所述劈刀进行热处理，得到设定表面粗糙度的劈刀。本发明通过激光对劈刀表面进行粗化处理，从而增强劈刀的表面粗糙度，在引线键合过程中，使得劈刀表面更耐磨损，从而增强劈刀寿命，同时粗糙表面在二焊点的过程中更容易把引线抓牢固，不容易出现断线的状况，从而避免键合缺陷。本发明的方法得到的劈刀的寿命可以提升1.5~2倍以上。
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公开(公告)号：CN118702493A
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202411197739.6
申请日：2024-08-29
申请人： 苏州芯合半导体材料有限公司
IPC分类号： C04B35/565 , C04B35/622 , C04B35/645 , C04B35/80
摘要： 本发明提供了一种精密陶瓷材料及其制备方法，所述陶瓷材料技术领域，所述精密陶瓷材料，由以下重量份原料制成：碳化硅80‑95份、氧化铈6‑8份、氧化镧2‑5份、碳化锆3‑5份、氧化镁2‑4份、氮化硅纳米晶须1‑3份、氮化钛9‑12份、氧化铝1‑3份、氧化钍4‑6份和二硅化钼5‑8份。本发明通过各组分的复配和对晶型生长的控制，提升了陶瓷材料在较高硬度下的断裂韧性，同时热导率和密度得到提升，具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN118497678A
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202410979894.7
申请日：2024-07-22
申请人： 苏州芯合半导体材料有限公司
摘要： 本发明提供一种劈刀抗脏污涂层及其制备方法，包括：劈刀基体，所述劈刀基体表面从里到外依次设有铬元素层、类金刚石层和纯石墨涂层，所述类金刚石层中掺杂有硅元素，这样降低了劈刀的表面能，抗脏污，减少劈刀表面金属脏污的堆积，使得劈刀的使用寿命得到了提升。
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公开(公告)号：CN117964406A
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202410092835.8
申请日：2024-01-23
申请人： 苏州芯合半导体材料有限公司
摘要： 本发明属于陶瓷材料表面处理技术领域，具体涉及一种陶瓷劈刀表面乌化处理方法。处理步骤如下：1）对陶瓷劈刀表面做抛光处理，使研磨抛光后的陶瓷劈刀表面粗糙度小于0.1um；2）在高压水下对陶瓷劈刀表面进行清洁，确保陶瓷劈刀表面没有脏污；3）选择强酸进行化学腐蚀，通过化学腐蚀处理对陶瓷劈刀表面进行乌化，乌化后的陶瓷劈刀表面粗糙度为0.1um~1um；4）腐蚀结束后，将陶瓷劈刀冷却到室温；5）冷却后将陶瓷劈刀放置于纯水下，进行清洗。本发明得化学热腐蚀方法，不会造成陶瓷劈刀的表面才来在使用过程中出现剥落，生产效率高，可实现自动化的生产。
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公开(公告)号：CN117206988B
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN202311464304.9
申请日：2023-11-06
申请人： 苏州芯合半导体材料有限公司
IPC分类号： B24B1/00 , B24B31/00 , B24B49/00 , H01L21/607
摘要： 本发明涉及一种劈刀及其表面粗化方法，该劈刀表面粗化方法包括：将劈刀进行抛光处理、清洁后，与粗化材料一起预加热，后冷却；所述粗化材料为TiC、ZrC、TaC、NbC、VC、Mo2C、WC和SiC中的至少一种；所述劈刀与所述粗化材料的质量关系为1800~2200：1。本发明通过特定材料来改变劈刀的表面粗糙度，从而使得引线键合时与基材接触面更大，第二焊点抓线更牢固、更耐磨，该粗化方法，安全性高。
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公开(公告)号：CN116283240A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310309628.9
申请日：2023-03-28
申请人： 苏州芯合半导体材料有限公司
IPC分类号： C04B35/10 , C04B35/622 , C04B35/626
摘要： 本发明涉及一种红宝石型高强Cr‑ZTA陶瓷材料及其制备方法，属于Cr掺杂氧化锆增韧氧化铝陶瓷材料ZTA技术领域。该Cr‑ZTA陶瓷材料由如下原料制得，按质量百分含量计，氧化铝粉体80～90%，氧化锆粉体10～20%，Cr3+溶液的添加量为所述氧化铝粉体和氧化锆粉体质量之和的0.1～0.4%。本发明制备Cr‑ZTA陶瓷，晶粒细小且尺寸分布均匀，体积密度≥4.15g/cm3，弯曲强度＞1000MPa，维氏硬度≥18GPa。本发明制备的Cr‑ZTA陶瓷可应用半导体封装行业。
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公开(公告)号：CN118771861A
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202411036627.2
申请日：2024-07-31
申请人： 苏州芯合半导体材料有限公司
IPC分类号： C04B35/10 , C04B35/622 , C04B35/632 , C04B41/80
摘要： 本发明公开了一种热稳定性氧化铝陶瓷及其制备方法，该热稳定性氧化铝陶瓷通过先将氧化铝粉末、Cr2O3和助剂混合均匀，再进行压坯、脱胶、烧结、离子注入、退火处理得到。本发明通过三次球磨搅拌利于改善氧化铝粉末的流动性，使压坯形成的素坯内部一致性较好；通过脱胶去除有机物，避免后期烧结质量降低；通过调控陶瓷素坯烧结温度及Cr2O3的用量能够降低氧化铝陶瓷的热膨胀系数；通过引入元素Mg并进行高温处理，使原有的高纯氧化铝的刚玉相变为镁铝尖晶石相，镁铝尖晶石相相较于刚玉相有较多供原子移动的空间，从而在反复的热处理中，受热振动的原子带来的位移会被孔隙吸收，使氧化铝陶瓷具有较好的热震稳定性，热膨胀系数进一步降低。
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