公开(公告)号：CN108396351A

公开(公告)日：2018-08-14

申请号：CN201810309409.X

申请日：2015-06-02

申请人： 朗姆研究公司

发明人： 阿图·克里克斯

IPC分类号： C25D7/12 ,  C23C18/16 ,  H01L23/532

CPC分类号： H01L23/528 ,  C23C18/161 ,  C23C18/1628 ,  C23C18/163 ,  C23C18/1632 ,  C23C18/1633 ,  C23C18/1653 ,  C23C18/1664 ,  C25D5/02 ,  C25D7/00 ,  C25D7/12 ,  H01L21/02021 ,  H01L21/288 ,  H01L21/2885 ,  H01L21/32051 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/67196 ,  H01L21/67201 ,  H01L21/6723 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76873 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76879 ,  H01L23/53209 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53252 ,  H01L23/53266

摘要： 本发明涉及用于优化电阻性衬底的电镀性能的晶片边缘的金属化，具体提供了一种用于电镀衬底的方法，该方法包括：提供衬底，所述衬底具有在所述衬底的顶表面上设置的导电层，所述衬底的所述顶表面具有边缘排除区和处理区；在使所述衬底旋转的同时引导无电沉积溶液流朝向所述边缘排除区，以在所述边缘排除区处的所述导电层上镀敷金属材料；使所述无电沉积溶液流持续一段时间，以在所述边缘排除区产生所述金属材料的增大了的厚度，其中所述金属材料的所述增大了的厚度减小在所述边缘排除区的所述金属材料的电阻；在所述金属材料上施加电触件，以及在向所述衬底的所述处理区上施加电镀溶液时，经由所述电触件施加电流到所述金属材料。

公开(公告)号：CN107887284A

公开(公告)日：2018-04-06

申请号：CN201710879358.X

申请日：2017-09-26

申请人： 宁波芯健半导体有限公司

发明人： 方梁洪 ,  于政 ,  罗立辉 ,  刘明明

IPC分类号： H01L21/56 ,  H01L21/67 ,  H01L21/68 ,  H01L21/683

CPC分类号： H01L21/68 ,  H01L21/56 ,  H01L21/67207 ,  H01L21/6723 ,  H01L21/6836

摘要： 本发明涉及一种大尺寸机台作业小尺寸晶圆的方法，包括以下步骤：溅射区作业：提供一带有槽口的大尺寸晶圆作为支撑衬底，利用粘合层将小尺寸晶圆粘贴在支撑衬底上，使得小尺寸晶圆的平边中心点与支撑衬底的槽口对齐；定位完成后利用大尺寸设备实现溅射作业；涂胶区作业：通过两次涂胶程序使得光刻胶厚达到80±10μm；电镀区作业：提供一带有槽口的大尺寸晶圆作为支撑衬底，在支撑衬底上洗出多个贴导电膜的位置，通过导电膜将小尺寸晶圆粘在洗出边缘光刻胶的支撑衬底上，保证导电膜粘贴位置能够使得小尺寸晶圆与支撑衬底实现电性导通。本发明实现了使用大尺寸机台对小尺寸晶圆进行作业，能够降低成本。

公开(公告)号：CN100497731C

公开(公告)日：2009-06-10

申请号：CN200380100012.1

申请日：2003-11-14

申请人： 株式会社荏原制作所

发明人： 胜冈诚司 ,  关本雅彦 ,  横山夫 ,  渡边辉行 ,  小川贵弘 ,  小林贤一 ,  宫崎充 ,  本岛靖之 ,  尾渡晃 ,  大树

IPC分类号： C23C18/04 ,  C23C18/18 ,  C25D7/12 ,  H01L21/288

CPC分类号： H01L21/67161 ,  C23C18/1628 ,  C23C18/1893 ,  C25D7/123 ,  C25D17/001 ,  C25D17/08 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/67126 ,  H01L21/67173 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67196 ,  H01L21/6723 ,  H01L21/67742 ,  H01L21/67751 ,  H01L21/67766 ,  H01L21/67781 ,  H01L21/68707 ,  H01L21/68721 ,  Y10S134/902 ,  Y10T279/11

摘要： 本发明涉及适合于对基板进行镀敷处理或者把基板浸入到处理液中进行处理的基板处理装置。本发明的基板处理装置(1)，具有：放入和取出基板(W)用的装卸区(100)、用于清洗基板的清洗区(200)、及进行基板镀敷处理的镀敷处理区(300)，在上述装卸区(100)内布置了：具有干式的多个手(137、139)的基板传送机械手(130)、安放基板收纳架的装料口(110)、以及把基板从正面朝上切换到正面朝下的干式翻转机(150)。

公开(公告)号：CN100418186C

公开(公告)日：2008-09-10

申请号：CN03806384.0

申请日：2003-03-10

申请人： 应用材料股份有限公司

发明人： 谢长林 ,  黛安娜·晓斌·马 ,  布赖恩·思远·谢 ,  杰拉尔德·哲耀·殷 ,  珍妮弗·孙 ,  石笙 ,  罗丽 ,  克拉斯·H·比约克曼

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/311

CPC分类号： H01L21/76832 ,  H01J37/32458 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/67184 ,  H01L21/67207 ,  H01L21/67219 ,  H01L21/6723 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76804 ,  H01L21/76807

摘要： 一种整合原位蚀刻工艺，在具有第一和第二蚀刻反应室的多反应室基材处理系统中执行。在一个实施例中，第一反应室包含一被粗糙化至至少100Ra的内表面，并且第二反应室包含粗糙度小于约32Ra的内表面。该工艺包括传送一由上至下形成有图案化的光刻胶掩模、介电层、阻挡层以及位于基材内欲被接触的特征在其上的基材至第一反应室中，在此介电层以一可助长聚合物形成在反应室的粗糙化内表面上的工艺来蚀刻。然后，该基材在真空环境下从第一反应室传送至该第二反应室，并且在第二反应室内被暴露在反应性等离子体中，例如氧气，以去除沉积在基材上的光刻胶掩模。在光刻胶掩模被去除之后，阻挡层在多反应室基材工艺系统的第二反应室中利用可防止聚合物形成在第二反应室的相对平滑内表面上的工艺来蚀穿至该欲被接触的特征。三个蚀刻步骤皆在一系统级原位工艺中执行，因此基材不会在步骤之间被暴露于环境中。在某些实施例中，第一反应室内表面的粗糙度介于100和200Ra之间，而在其它实施例中，第一反应室内表面的粗糙度介于110和160Ra之间。

公开(公告)号：CN101237027A

公开(公告)日：2008-08-06

申请号：CN200710182122.7

申请日：2007-08-03

申请人： E.I.内穆尔杜邦公司

发明人： C·D·郎 ,  J·A·佩洛托 ,  T·P·达利 ,  J·N·缇尔顿

IPC分类号： H01L51/00 ,  H01L51/56 ,  H01L51/48 ,  H01L51/40 ,  C23C14/50 ,  C23C16/00 ,  C23C18/00 ,  C23C22/00

CPC分类号： H01L21/6734 ,  H01L21/6723

摘要： 本发明提供一种便携式基底载体罩。该载体罩具有载体支承件；可移动覆盖物；支承件与覆盖物之间的间隔件；气体入口；和可移动的盖子。还提供使用该便携式基底载体罩用于在基底上沉积空气感应材料的组件和方法。

公开(公告)号：CN1933143A

公开(公告)日：2007-03-21

申请号：CN200610132035.6

申请日：2002-05-30

申请人： 株式会社荏原制作所

发明人： 井上裕章 ,  中村宪二 ,  松本守治

IPC分类号： H01L23/522 ,  H01L21/768 ,  C23C18/34

CPC分类号： H01L21/288 ,  C23C18/1607 ,  C23C18/1635 ,  C23C18/34 ,  C23C18/50 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/0209 ,  H01L21/6723 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76849 ,  Y10S428/901 ,  Y10T428/24917

摘要： 本发明涉及用于形成保护膜的无电电镀液，该保护膜用于选择性保护半导体器件暴露互连的表面，而半导体器件具有如下的嵌入互连结构，其中电导体，如铜或银，嵌入在精细的凹槽内用于在半导体衬底表面上形成互连。本发明还涉及一种半导体器件，其中暴露互连的表面用保护膜选择性地加以保护。无电电镀液含有钴离子、络合剂和不含碱金属的还原剂。

公开(公告)号：CN1685080A

公开(公告)日：2005-10-19

申请号：CN200380100012.1

申请日：2003-11-14

申请人： 株式会社荏原制作所

发明人： 胜冈诚司 ,  关本雅彦 ,  横山俊夫 ,  渡边辉行 ,  小川贵弘 ,  小林贤一 ,  宫崎充 ,  本岛靖之 ,  尾渡晃 ,  大直树

IPC分类号： C23C18/04 ,  C23C18/18 ,  C25D7/12 ,  H01L21/288

CPC分类号： H01L21/67161 ,  C23C18/1628 ,  C23C18/1893 ,  C25D7/123 ,  C25D17/001 ,  C25D17/08 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/67126 ,  H01L21/67173 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67196 ,  H01L21/6723 ,  H01L21/67742 ,  H01L21/67751 ,  H01L21/67766 ,  H01L21/67781 ,  H01L21/68707 ,  H01L21/68721 ,  Y10S134/902 ,  Y10T279/11

摘要： 本发明涉及适合于对基板进行镀敷处理或者把基板浸入到处理液中进行处理的基板处理装置。本发明的基板处理装置(1)，具有：放入和取出基板(W)用的装卸区(100)、用于清洗基板的清洗区(200)、及进行基板镀敷处理的镀敷处理区(300)，在上述装卸区(100)内布置了：具有干式的多个手(137、139)的基板传送机械手(130)、安放基板收纳架的装料口(110)、以及把基板从正面朝上切换到正面朝下的干式翻转机(150)。

公开(公告)号：CN1624207A

公开(公告)日：2005-06-08

申请号：CN200410102211.2

申请日：2000-12-25

申请人： 株式会社荏原制作所 ,  株式会社东芝

发明人： 国泽淳次 ,  小田垣美津子 ,  牧野夏木 ,  三岛浩二 ,  中村宪二 ,  井上裕章 ,  木村宪雄 ,  松田哲朗 ,  金子尚史 ,  早坂伸夫 ,  奥村胜弥 ,  辻村学 ,  森田敏行

IPC分类号： C25D5/00 ,  C25D7/12 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/321 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L21/6719 ,  C25D7/123 ,  C25D17/001 ,  C25D17/12 ,  C25D17/14 ,  H01L21/2885 ,  H01L21/67046 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/6708 ,  H01L21/6715 ,  H01L21/6723 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76879 ,  H01L2924/0002 ,  H05K3/423 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明特别是关于在半导体基片上形成的微细配线图案(凹处)中填充铜(Cu)等金属等用途的基片电镀方法及装置，具备使被电镀面向上方、水平地保持并旋转基片的基片保持部(36)，与由该基片保持部(36)保持的基片的被电镀面的边缘部接触、将该边缘部不透水地密封的密封构件(90)，以及和该基片接触而通电的阴极电极(88)，还具有与基片保持部(36)一体地旋转的阴极部(38)，具备水平垂直动作自由地配置在该阴极部(38)上方并向下的阳极(98)的电极臂部(30)，在由基片保持部(36)保持的基片的被电镀面与接近该被电镀面的电极臂部(30)的阳极(98)之间的空间中注入电镀液的电镀液注入机构。由此，能够以单一机构进行电镀处理及在电镀处理中附带的处理。

公开(公告)号：CN1463467A

公开(公告)日：2003-12-24

申请号：CN02802116.9

申请日：2002-02-21

申请人： 株式会社荏原制作所

发明人： 小畠厳贵 ,  白樫充彦 ,  粂川正行 ,  齐藤孝行 ,  当间康 ,  铃木作 ,  山田薰 ,  槙田裕司

IPC分类号： H01L21/306

CPC分类号： H01L21/6723 ,  B23H5/08 ,  C25F7/00 ,  H01L21/6708 ,  H01L21/67173

摘要： 提供一种电解处理装置，包括：与工件接触或靠近的处理电极；用于向工件供电的馈送电极；离子交换器，设置在工件和处理电极之间以及工件和馈送电极之间的空间的至少之一中；用于在处理电极和馈送电极之间施加电压的电源；和液体输送部件，用于向工件与处理电极和馈送电极中的至少一个之间的空间输送液体，所述离子交换器存在于其中。还提供一种具有该电解处理装置的衬底处理设备。

公开(公告)号：CN1341166A

公开(公告)日：2002-03-20

申请号：CN00804253.5

申请日：2000-12-25

申请人： 株式会社荏原制作所 ,  株式会社东芝

发明人： 国泽淳次 ,  小田垣美津子 ,  牧野夏木 ,  三岛浩二 ,  中村宪二 ,  井上裕章 ,  木村宪雄 ,  松田哲朗 ,  金子尚史 ,  早坂伸夫 ,  奥村胜弥 ,  辻村学 ,  森田敏行

IPC分类号： C25D7/12

CPC分类号： H01L21/6719 ,  C25D7/123 ,  C25D17/001 ,  C25D17/12 ,  C25D17/14 ,  H01L21/2885 ,  H01L21/67046 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/6708 ,  H01L21/6715 ,  H01L21/6723 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76879 ,  H01L2924/0002 ,  H05K3/423 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明特别是关于在半导体基片上形成的微细配线图案(凹处)中填充铜(Cu)等金属等用途的基片电镀方法及装置,具备使被电镀面向上方、水平地保持并旋转基片的基片保持部(36),与由该基片保持部(36)保持的基片的被电镀面的边缘部接触、将该边缘部不透水地密封的密封构件(90),以及和该基片接触而通电的阴极电极(88),还具有与基片保持部(36)一体地旋转的阴极部(38),具备水平垂直动作自由地配置在该阴极部(38)上方并向下的阳极(98)的电极臂部(30),在由基片保持部(36)保持的基片的被电镀面与接近该被电镀面的电极臂部(30)的阳极(98)之间的空间中注入电镀液的电镀液注入机构。由此,能够以单一机构进行电镀处理及在电镀处理中附带的处理。