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公开(公告)号：CN117187945B
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202311161106.5
申请日：2023-09-08
申请人： 万华化学集团股份有限公司 , 万华化学集团电子材料有限公司
摘要： 本申请提供一种长晶炉硅晶加工监控方法、装置及系统，其中的方法包括：获取长晶炉内部的硅晶生长监测图像；对所述硅晶生长监测图像进行解析，确定所述硅晶生长监测图像中包括的硅晶的直径和生长高度；根据所述硅晶的直径和所述生长高度生成硅晶生长图像并显示。由此，本申请提供的技术方案能够对长晶炉内的硅晶加工过程的实时监控，便于根据硅晶生长过程对工艺过程进行控制和调节，确保硅晶生长结果满足需求。
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公开(公告)号：CN117187945A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202311161106.5
申请日：2023-09-08
申请人： 万华化学集团股份有限公司 , 万华化学集团电子材料有限公司
摘要： 本申请提供一种长晶炉硅晶加工监控方法、装置及系统，其中的方法包括：获取长晶炉内部的硅晶生长监测图像；对所述硅晶生长监测图像进行解析，确定所述硅晶生长监测图像中包括的硅晶的直径和生长高度；根据所述硅晶的直径和所述生长高度生成硅晶生长图像并显示。由此，本申请提供的技术方案能够对长晶炉内的硅晶加工过程的实时监控，便于根据硅晶生长过程对工艺过程进行控制和调节，确保硅晶生长结果满足需求。
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公开(公告)号：CN116087312A
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202310000429.X
申请日：2023-01-03
申请人： 万华化学集团电子材料有限公司
IPC分类号： G01N27/623
摘要： 本发明公开了一种基于扫描液评估的硅片金属离子含量的检测方法，包括：1）制备指定金属浓度C0的标准硅片；2）使用扫描液收集标准片表面的金属沾污，分析回收的扫描液和试剂空白溶液，得到各元素含量Cn，以及试剂空白值Cb；3）计算各元素校正因子kn=(Cn‑Cb)/C0；4）评估扫描液性能，当任意元素校正因子>0.7，且回收的扫描液体积V1大于进行扫描操作前的体积V0的80%，即V1>0.8V0，则认为扫描液性能好；5）使用所述扫描液对未知金属含量硅片进行收集，将收集后的扫描液进行分析，得到检测值mn；6）利用校正因子对结果进行校正，得到硅片中各金属元素的准确含量fn=mn/kn。本发明的检测方法，可以准确测量晶圆表面的金属含量，准确判断扫描液性能。
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公开(公告)号：CN116732608A
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN202310694622.8
申请日：2023-06-13
申请人： 万华化学集团电子材料有限公司
摘要： 本发明公开了一种适用于连续加料的直拉单晶硅生产装置及生产方法，所述生产装置包括石英坩埚、支撑坩埚、加热器、热屏、保温材料、主腔室和副室，所述石英坩埚为双坩埚，所述坩埚底部中心处为凹形结构；所述加热器包括侧边加热器和中心加热器，所述中心加热器位于所述坩埚底部中心处的凹形结构内。本发明的生产装置用于直拉单晶硅的生产，采用中心加热器，可以直接调节固液界面附近的温度梯度，大幅提高固液界面温度梯度的均匀性，获得良好的V/G，大大提高半导体完美晶良率。
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公开(公告)号：CN220197932U
公开(公告)日：2023-12-19
申请号：CN202321728558.2
申请日：2023-07-04
申请人： 万华化学集团电子材料有限公司 , 万华化学集团股份有限公司
摘要： 本实用新型涉及一种异形高纯石墨纸的切割装置，包括刀片构件、主体支撑构件和套组组装构件，所述刀片构件固定在所述支撑构件的一端部，所述套组组装构件位于所述主体支撑构件远离所述刀片构件一端的侧壁，可以将至少两个所述切割装置连接。本实用新型的切割装置适用于标准化高纯石墨纸的批量异形高精密切割；根据不同异形尺寸可进行90°四方向自由装配，避免手工裁剪的高损率；同时无电机等动设备、结构简单，成本优势明显，且能确保异形高纯石墨纸具有高竞争力的质量和精度。
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