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公开(公告)号：CN112802728A
公开(公告)日：2021-05-14
申请号：CN202110059971.3
申请日：2021-01-18
申请人： 万华化学集团电子材料有限公司 , 万华化学集团股份有限公司
IPC分类号： H01J37/08 , H01J37/317 , H01L21/265 , H01L21/762
摘要： 本发明公开了一种基于固态电解质的氧离子源、离子注入机及其在制备SOI晶片中的应用，所述固态电解质材料采用三价稀土元素掺杂的氧化锆或者氧化铈粉体通过注塑成型的方式加工而成，基于所述固态电解质的氧离子源在吸出电极处即可获得高纯度的负氧离子束。基于本发明离子源的离子注入机无需磁分析器对引出离子进一步筛选，可以摆脱磁分析器的使用限制，使得整个离子注入机在设计上得到极大地简化，能耗大大地降低。
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公开(公告)号：CN113793800B
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202110947117.0
申请日：2021-08-18
申请人： 万华化学集团电子材料有限公司 , 万华化学集团股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种半导体单晶硅片的除杂工艺及半导体单晶硅片的制造工艺，所述除杂工艺包含对硅片进行热处理,在硅片表层厚度不超过20μm范围内形成一层含氧沉淀体微缺陷的吸杂层，所述吸杂层捕获硅片表层及体内的金属杂质并经抛光去除的步骤。本发明的半导体单晶硅片的除杂工艺加工后的硅片，可以有效地降低硅片金属污染水平，并且能长时间保持表面金属污染水平的稳定。
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公开(公告)号：CN117020430A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202311054582.7
申请日：2023-08-21
申请人： 万华化学集团电子材料有限公司 , 万华化学集团股份有限公司
IPC分类号： B23K26/362 , B23K26/60 , B23K26/70
摘要： 本申请公开了一种硅片打码方法、装置、系统及存储介质，所述方法包括：当检测到打码机台的第一载物台出现待打码硅片时，获取硅片打码位置需求；根据所述硅片打码位置需求，确定所述硅片的打码位置标准，其中，所述位置标准至少规定了打码区左上侧与硅片中心轴距离，打码区左下侧与硅片中心轴距离，打码区底侧与硅片边缘距离，以及打码区底侧与面幅上边缘距离中的一种预设指标对应的取值区间；根据所述位置标准确定所述待打码硅片中的打码区位置；根据所述待打码硅片中的打码区位置对所述待打码硅片进行打码操作。采用本方案，可以自动确定打码区位置，提高了打码效率。
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公开(公告)号：CN113793800A
公开(公告)日：2021-12-14
申请号：CN202110947117.0
申请日：2021-08-18
申请人： 万华化学集团电子材料有限公司 , 万华化学集团股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种半导体单晶硅片的除杂工艺及半导体单晶硅片的制造工艺，所述除杂工艺包含对硅片进行热处理,在硅片表层厚度不超过20μm范围内形成一层含氧沉淀体微缺陷的吸杂层，所述吸杂层捕获硅片表层及体内的金属杂质并经抛光去除的步骤。本发明的半导体单晶硅片的除杂工艺加工后的硅片，可以有效地降低硅片金属污染水平，并且能长时间保持表面金属污染水平的稳定。
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公开(公告)号：CN114818426A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210446499.3
申请日：2022-04-26
申请人： 万华化学集团电子材料有限公司 , 万华化学集团股份有限公司
IPC分类号： G06F30/23 , G06F119/14
摘要： 本发明公开一种硅片单面减薄加工模拟方法、电子设备及存储系统，方法包括：创建硅片单面减薄加工区模型，所述硅片单面减薄加工区模型包括：砂轮模型(1)和硅片模型(2)；对硅片单面减薄加工区模型进行前处理，所述前处理，至少包括：设定所述砂轮模型(1)与所述硅片模型(2)表面平行放置；进行所述砂轮模型(1)减薄加工所述硅片模型(2)模拟仿真，得到模拟结果。本发明提供的硅片单面减薄加工模拟，能在实际加工前、或需排查问题、改善精度时，对硅片单面减薄加工产生的变形及应力进行有针对性的预测与分析，模拟仿真的方式可有效节约成本、有利于整体运营费控，对实际生产具有参考价值。
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公开(公告)号：CN220197932U
公开(公告)日：2023-12-19
申请号：CN202321728558.2
申请日：2023-07-04
申请人： 万华化学集团电子材料有限公司 , 万华化学集团股份有限公司
摘要： 本实用新型涉及一种异形高纯石墨纸的切割装置，包括刀片构件、主体支撑构件和套组组装构件，所述刀片构件固定在所述支撑构件的一端部，所述套组组装构件位于所述主体支撑构件远离所述刀片构件一端的侧壁，可以将至少两个所述切割装置连接。本实用新型的切割装置适用于标准化高纯石墨纸的批量异形高精密切割；根据不同异形尺寸可进行90°四方向自由装配，避免手工裁剪的高损率；同时无电机等动设备、结构简单，成本优势明显，且能确保异形高纯石墨纸具有高竞争力的质量和精度。
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公开(公告)号：CN117206239A
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202311196524.8
申请日：2023-09-15
申请人： 万华化学集团电子材料有限公司
摘要： 本发明公开一种持片机构清洁系统及其控制方法、电子设备。持片机构清洁系统包括：喷淋机构管路、吹扫机构管路、喷吹机构、清洗槽以及控制器，喷淋机构管路的进水端与外部供水装置连接，吹扫机构管路的进水端与外部供气装置连接，喷淋机构管路的出水端以及吹扫机构管路的出气端分别与喷吹机构连接，喷吹机构位于清洗槽内，控制器与喷淋机构管路以及吹扫机构管路通信连接，控制喷淋机构管路向喷吹机构供水以及控制吹扫机构管路向喷吹机构供气。本发明通过对持片机构接触过腐蚀液的部位进行全方位喷淋和干燥，可彻底清洗残留的高浓度NaOH腐蚀液，避免持片机构来回移动污染设备载台，防止持片机构碱结晶现象的出现，降低机台维护成本。
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公开(公告)号：CN114318499B
公开(公告)日：2023-07-11
申请号：CN202011048131.9
申请日：2020-09-29
申请人： 万华化学集团电子材料有限公司
摘要： 本发明提供了一种大直径单晶炉，用于生长大尺寸半导体单晶硅棒，所述单晶炉包括炉体、石英坩埚、加热器、超导磁场、坩埚旋转升降机构、籽晶提拉旋转机构。本发明采用超导磁场辅助的大直径单晶炉，可以生长出12英寸以上的半导体单晶硅，满足半导体行业发展的需求，同时超导磁场的强度连续可调，晶棒的轴向、径向均匀性得到改善，单晶硅棒中的氧含量也得到有效控制。相对于现有技术的电磁场，本发明既能有效提高所需磁场强度，又能大幅降低长晶环节的能耗。
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公开(公告)号：CN115648467A
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202211389784.2
申请日：2022-11-08
申请人： 万华化学集团电子材料有限公司
摘要： 本发明提供一种 型半导体级300mm单晶硅棒沿特定晶向切割的工艺方法，通过X射线晶向检测仪对截断后的单晶硅棒进行定向测量，确定单晶硅棒径向方向上[011]、和的晶向位置，然后在粘棒时通过划线标记，严格保证上述晶向中任意一个晶向方向垂直于石墨衬板托粘接，切割时钢线能沿着该晶向方向进行切割。本发明的方法选择晶向等四个等同晶向组作为切入方向的硅切片Warp值可控制在10μm内，与任选方向切割相比，沿上述特定方向切割的Warp值减小约5μm，同时Waveness值可控制在0.8μm之内，与任选方向切割相比，沿上述特定方向切割的Waveness值减小约0.7μm。
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公开(公告)号：CN114161245B
公开(公告)日：2023-01-13
申请号：CN202111401298.3
申请日：2021-11-19
申请人： 万华化学集团电子材料有限公司(CN)
IPC分类号： B24B7/22 , B24B41/06 , B24B41/00 , B24B55/03 , B24B55/06 , B24B51/00 , B24D7/14 , H01L21/304
摘要： 本发明涉及一种硅片减薄装置和用于单晶硅片的减薄加工工艺，所述硅片减薄装置的研削部设有导液围堰，研削台内设有上、下两腔体，依次完成废液的收集与排放、废液的分离与冷却液的回收，废屑可集中处理、冷却液经纯化供后续减薄作业循环使用，多次加工后可将研削盘抬升、对研削台进行整体清洗，减少减薄装置的非加工作业时间；砂轮部采用伸缩式粗精磨砂轮组，可以精准、快速地切换和控制精磨砂轮的伸缩动作，进一步改善硅片表面粗糙度，使其接近或达到专用精磨设备所加工的硅片表面水平，节约设备与生产成本。
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