-
公开(公告)号：CN117020430A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202311054582.7
申请日：2023-08-21
申请人： 万华化学集团电子材料有限公司 , 万华化学集团股份有限公司
IPC分类号： B23K26/362 , B23K26/60 , B23K26/70
摘要： 本申请公开了一种硅片打码方法、装置、系统及存储介质，所述方法包括：当检测到打码机台的第一载物台出现待打码硅片时，获取硅片打码位置需求；根据所述硅片打码位置需求，确定所述硅片的打码位置标准，其中，所述位置标准至少规定了打码区左上侧与硅片中心轴距离，打码区左下侧与硅片中心轴距离，打码区底侧与硅片边缘距离，以及打码区底侧与面幅上边缘距离中的一种预设指标对应的取值区间；根据所述位置标准确定所述待打码硅片中的打码区位置；根据所述待打码硅片中的打码区位置对所述待打码硅片进行打码操作。采用本方案，可以自动确定打码区位置，提高了打码效率。
-
公开(公告)号：CN117187945B
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202311161106.5
申请日：2023-09-08
申请人： 万华化学集团股份有限公司 , 万华化学集团电子材料有限公司
摘要： 本申请提供一种长晶炉硅晶加工监控方法、装置及系统，其中的方法包括：获取长晶炉内部的硅晶生长监测图像；对所述硅晶生长监测图像进行解析，确定所述硅晶生长监测图像中包括的硅晶的直径和生长高度；根据所述硅晶的直径和所述生长高度生成硅晶生长图像并显示。由此，本申请提供的技术方案能够对长晶炉内的硅晶加工过程的实时监控，便于根据硅晶生长过程对工艺过程进行控制和调节，确保硅晶生长结果满足需求。
-
公开(公告)号：CN117187945A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202311161106.5
申请日：2023-09-08
申请人： 万华化学集团股份有限公司 , 万华化学集团电子材料有限公司
摘要： 本申请提供一种长晶炉硅晶加工监控方法、装置及系统，其中的方法包括：获取长晶炉内部的硅晶生长监测图像；对所述硅晶生长监测图像进行解析，确定所述硅晶生长监测图像中包括的硅晶的直径和生长高度；根据所述硅晶的直径和所述生长高度生成硅晶生长图像并显示。由此，本申请提供的技术方案能够对长晶炉内的硅晶加工过程的实时监控，便于根据硅晶生长过程对工艺过程进行控制和调节，确保硅晶生长结果满足需求。
-
公开(公告)号：CN220003570U
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN202322744716.X
申请日：2023-10-13
申请人： 万华化学集团股份有限公司 , 万华化学集团电子材料有限公司
发明人： 宗芳
摘要： 本实用新型涉及环保技术领域，公开了混合处理装置，该混合处理装置包括罐体、多个气体供应组件、输出组件，以及设置于罐体内的气体混合组件，气体混合组件包括转动连接于罐体的第一扇叶结构和第二扇叶结构，以及导流组件。其中，导流组件包括喇叭状导流流道，多个气体供应组件与导流流道的小端连通，第一扇叶结构位于导流流道内且分布于导流流道的小端，第二扇叶结构分布于导流流道的大端；第一扇叶结构被配置为能够混合由多个气体供应组件输送至导流流道内的气体；第二锥形罩能引导第二扇叶结构吹出的气体流至输出组件。该混合处理装置有效提升了对多种气体进行混合的混合效果。
-
公开(公告)号：CN220197932U
公开(公告)日：2023-12-19
申请号：CN202321728558.2
申请日：2023-07-04
申请人： 万华化学集团电子材料有限公司 , 万华化学集团股份有限公司
摘要： 本实用新型涉及一种异形高纯石墨纸的切割装置，包括刀片构件、主体支撑构件和套组组装构件，所述刀片构件固定在所述支撑构件的一端部，所述套组组装构件位于所述主体支撑构件远离所述刀片构件一端的侧壁，可以将至少两个所述切割装置连接。本实用新型的切割装置适用于标准化高纯石墨纸的批量异形高精密切割；根据不同异形尺寸可进行90°四方向自由装配，避免手工裁剪的高损率；同时无电机等动设备、结构简单，成本优势明显，且能确保异形高纯石墨纸具有高竞争力的质量和精度。
-
公开(公告)号：CN116732608A
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN202310694622.8
申请日：2023-06-13
申请人： 万华化学集团电子材料有限公司
摘要： 本发明公开了一种适用于连续加料的直拉单晶硅生产装置及生产方法，所述生产装置包括石英坩埚、支撑坩埚、加热器、热屏、保温材料、主腔室和副室，所述石英坩埚为双坩埚，所述坩埚底部中心处为凹形结构；所述加热器包括侧边加热器和中心加热器，所述中心加热器位于所述坩埚底部中心处的凹形结构内。本发明的生产装置用于直拉单晶硅的生产，采用中心加热器，可以直接调节固液界面附近的温度梯度，大幅提高固液界面温度梯度的均匀性，获得良好的V/G，大大提高半导体完美晶良率。
-
公开(公告)号：CN117995650A
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202211343324.6
申请日：2022-10-31
申请人： 万华化学集团电子材料有限公司
摘要： 本发明公开了一种降低12英寸硅片单片磨削背面Pit不良的方法，在单片磨削前增加研磨前清洗工序，所述研磨前清洗工序包含一个清洗槽和一个漂洗槽；所述清洗槽为药剂清洗槽，同时具有加温控温，底振和前后侧振，以及使清洗片盒上下抛动，清洗槽底部鼓泡的功能；所述漂洗槽为常温漂洗槽，同时具有溢流，底振和前后侧振，以及使清洗片盒上下抛动，漂洗槽底部鼓泡的功能。采用本发明的方法，可达到降低Pit不良的目的，使硅片背面Pit不良由清洗前的Pit不良率10%降为0.8‑1%。
-
公开(公告)号：CN117206239A
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202311196524.8
申请日：2023-09-15
申请人： 万华化学集团电子材料有限公司
摘要： 本发明公开一种持片机构清洁系统及其控制方法、电子设备。持片机构清洁系统包括：喷淋机构管路、吹扫机构管路、喷吹机构、清洗槽以及控制器，喷淋机构管路的进水端与外部供水装置连接，吹扫机构管路的进水端与外部供气装置连接，喷淋机构管路的出水端以及吹扫机构管路的出气端分别与喷吹机构连接，喷吹机构位于清洗槽内，控制器与喷淋机构管路以及吹扫机构管路通信连接，控制喷淋机构管路向喷吹机构供水以及控制吹扫机构管路向喷吹机构供气。本发明通过对持片机构接触过腐蚀液的部位进行全方位喷淋和干燥，可彻底清洗残留的高浓度NaOH腐蚀液，避免持片机构来回移动污染设备载台，防止持片机构碱结晶现象的出现，降低机台维护成本。
-
公开(公告)号：CN106977383B
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201710144184.2
申请日：2017-03-10
申请人： 万华化学集团股份有限公司
摘要： 本发明提供一种制备柠檬醛的方法，包括以下步骤：顺式/反式‑异戊烯基‑3‑甲基丁二烯醚发生Claisen重排，得到2,4,4‑三甲基‑3‑甲酰基‑1,5‑己二烯，之后进行Cope重排得到柠檬醛(3,7‑二甲基‑2,6‑辛二烯‑1‑醛)。此方法包括在原料中添加酯类作为副反应抑制剂并起到调节反应速率的作用。该方法选择性高，反应速率快，整个流程停留时间为1～15min。
-
公开(公告)号：CN118292002A
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202310000383.1
申请日：2023-01-03
申请人： 万华化学集团股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种电化学制备乙二胺基乙基磺酸钠的方法，将N‑(2‑硝基乙基)牛磺酸钠加入盐溶液中，混合均匀后置于电解槽阳极室，再加入碱调节pH为8~13，并进行电化学反应，反应完成后反应液经过滤、加氢还原、结晶、干燥得到低色度乙二胺基乙基磺酸钠。本发明方法能够简单、高效解决铁离子致乙二胺基乙基磺酸钠的变色问题。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
18 条记录 (耗时 0.057 秒)
