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公开(公告)号：CN117020430A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202311054582.7
申请日：2023-08-21
申请人： 万华化学集团电子材料有限公司 , 万华化学集团股份有限公司
IPC分类号： B23K26/362 , B23K26/60 , B23K26/70
摘要： 本申请公开了一种硅片打码方法、装置、系统及存储介质，所述方法包括：当检测到打码机台的第一载物台出现待打码硅片时，获取硅片打码位置需求；根据所述硅片打码位置需求，确定所述硅片的打码位置标准，其中，所述位置标准至少规定了打码区左上侧与硅片中心轴距离，打码区左下侧与硅片中心轴距离，打码区底侧与硅片边缘距离，以及打码区底侧与面幅上边缘距离中的一种预设指标对应的取值区间；根据所述位置标准确定所述待打码硅片中的打码区位置；根据所述待打码硅片中的打码区位置对所述待打码硅片进行打码操作。采用本方案，可以自动确定打码区位置，提高了打码效率。
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公开(公告)号：CN115847197A
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202211695679.1
申请日：2022-12-28
申请人： 万华化学集团股份有限公司
摘要： 本申请提出了一种用于硅晶圆的减薄装置和方法，用于硅晶圆的减薄装置包括磨牙加载架，所述磨牙加载架呈长杆状，并用于围绕垂直穿过硅晶圆的圆心的旋转轴进行旋转；设置在所述磨牙加载架的下壁面上的磨牙，其中，所述磨牙加载架构造为沿着硅晶圆的直径方向远离或者靠近所述旋转轴以调节位置，该用于硅晶圆的减薄装置位置设置到位后，只绕固定的旋转轴进行旋转运动，直至到研磨深度，操作过程简单方便易于实现。
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公开(公告)号：CN114818426A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210446499.3
申请日：2022-04-26
申请人： 万华化学集团电子材料有限公司 , 万华化学集团股份有限公司
IPC分类号： G06F30/23 , G06F119/14
摘要： 本发明公开一种硅片单面减薄加工模拟方法、电子设备及存储系统，方法包括：创建硅片单面减薄加工区模型，所述硅片单面减薄加工区模型包括：砂轮模型(1)和硅片模型(2)；对硅片单面减薄加工区模型进行前处理，所述前处理，至少包括：设定所述砂轮模型(1)与所述硅片模型(2)表面平行放置；进行所述砂轮模型(1)减薄加工所述硅片模型(2)模拟仿真，得到模拟结果。本发明提供的硅片单面减薄加工模拟，能在实际加工前、或需排查问题、改善精度时，对硅片单面减薄加工产生的变形及应力进行有针对性的预测与分析，模拟仿真的方式可有效节约成本、有利于整体运营费控，对实际生产具有参考价值。
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公开(公告)号：CN220070926U
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202322877229.0
申请日：2023-10-26
申请人： 万华化学集团股份有限公司
IPC分类号： B01D29/64
摘要： 本实用新型属于单晶硅片生产技术领域，具体公开了一种废水处理装置，其过滤组件、废料收集槽均设置于装置主体内，且废料收集槽设置于过滤组件的下方。驱动组件设置于装置主体上，且与过滤组件传动连接，驱动组件驱动过滤组件沿装置主体的高度方向向下移动时，废料收集槽能够刮除并收集过滤板上的碎屑。由此，通过驱动组件、过滤组件和废料收集槽的配合使用，可以半自动地将过滤板上的碎屑刮除，无需将过滤板从装置主体上拆除，即可实现过滤板的清理工作，减少人工操作，清洁效率较高。
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