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公开(公告)号：CN112802728A
公开(公告)日：2021-05-14
申请号：CN202110059971.3
申请日：2021-01-18
申请人： 万华化学集团电子材料有限公司 , 万华化学集团股份有限公司
IPC分类号： H01J37/08 , H01J37/317 , H01L21/265 , H01L21/762
摘要： 本发明公开了一种基于固态电解质的氧离子源、离子注入机及其在制备SOI晶片中的应用，所述固态电解质材料采用三价稀土元素掺杂的氧化锆或者氧化铈粉体通过注塑成型的方式加工而成，基于所述固态电解质的氧离子源在吸出电极处即可获得高纯度的负氧离子束。基于本发明离子源的离子注入机无需磁分析器对引出离子进一步筛选，可以摆脱磁分析器的使用限制，使得整个离子注入机在设计上得到极大地简化，能耗大大地降低。
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公开(公告)号：CN113793800B
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202110947117.0
申请日：2021-08-18
申请人： 万华化学集团电子材料有限公司 , 万华化学集团股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种半导体单晶硅片的除杂工艺及半导体单晶硅片的制造工艺，所述除杂工艺包含对硅片进行热处理,在硅片表层厚度不超过20μm范围内形成一层含氧沉淀体微缺陷的吸杂层，所述吸杂层捕获硅片表层及体内的金属杂质并经抛光去除的步骤。本发明的半导体单晶硅片的除杂工艺加工后的硅片，可以有效地降低硅片金属污染水平，并且能长时间保持表面金属污染水平的稳定。
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公开(公告)号：CN117020430A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202311054582.7
申请日：2023-08-21
申请人： 万华化学集团电子材料有限公司 , 万华化学集团股份有限公司
IPC分类号： B23K26/362 , B23K26/60 , B23K26/70
摘要： 本申请公开了一种硅片打码方法、装置、系统及存储介质，所述方法包括：当检测到打码机台的第一载物台出现待打码硅片时，获取硅片打码位置需求；根据所述硅片打码位置需求，确定所述硅片的打码位置标准，其中，所述位置标准至少规定了打码区左上侧与硅片中心轴距离，打码区左下侧与硅片中心轴距离，打码区底侧与硅片边缘距离，以及打码区底侧与面幅上边缘距离中的一种预设指标对应的取值区间；根据所述位置标准确定所述待打码硅片中的打码区位置；根据所述待打码硅片中的打码区位置对所述待打码硅片进行打码操作。采用本方案，可以自动确定打码区位置，提高了打码效率。
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公开(公告)号：CN113793800A
公开(公告)日：2021-12-14
申请号：CN202110947117.0
申请日：2021-08-18
申请人： 万华化学集团电子材料有限公司 , 万华化学集团股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种半导体单晶硅片的除杂工艺及半导体单晶硅片的制造工艺，所述除杂工艺包含对硅片进行热处理,在硅片表层厚度不超过20μm范围内形成一层含氧沉淀体微缺陷的吸杂层，所述吸杂层捕获硅片表层及体内的金属杂质并经抛光去除的步骤。本发明的半导体单晶硅片的除杂工艺加工后的硅片，可以有效地降低硅片金属污染水平，并且能长时间保持表面金属污染水平的稳定。
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公开(公告)号：CN114818426A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210446499.3
申请日：2022-04-26
申请人： 万华化学集团电子材料有限公司 , 万华化学集团股份有限公司
IPC分类号： G06F30/23 , G06F119/14
摘要： 本发明公开一种硅片单面减薄加工模拟方法、电子设备及存储系统，方法包括：创建硅片单面减薄加工区模型，所述硅片单面减薄加工区模型包括：砂轮模型(1)和硅片模型(2)；对硅片单面减薄加工区模型进行前处理，所述前处理，至少包括：设定所述砂轮模型(1)与所述硅片模型(2)表面平行放置；进行所述砂轮模型(1)减薄加工所述硅片模型(2)模拟仿真，得到模拟结果。本发明提供的硅片单面减薄加工模拟，能在实际加工前、或需排查问题、改善精度时，对硅片单面减薄加工产生的变形及应力进行有针对性的预测与分析，模拟仿真的方式可有效节约成本、有利于整体运营费控，对实际生产具有参考价值。
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公开(公告)号：CN115847197A
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202211695679.1
申请日：2022-12-28
申请人： 万华化学集团股份有限公司
摘要： 本申请提出了一种用于硅晶圆的减薄装置和方法，用于硅晶圆的减薄装置包括磨牙加载架，所述磨牙加载架呈长杆状，并用于围绕垂直穿过硅晶圆的圆心的旋转轴进行旋转；设置在所述磨牙加载架的下壁面上的磨牙，其中，所述磨牙加载架构造为沿着硅晶圆的直径方向远离或者靠近所述旋转轴以调节位置，该用于硅晶圆的减薄装置位置设置到位后，只绕固定的旋转轴进行旋转运动，直至到研磨深度，操作过程简单方便易于实现。
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公开(公告)号：CN220070926U
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202322877229.0
申请日：2023-10-26
申请人： 万华化学集团股份有限公司
IPC分类号： B01D29/64
摘要： 本实用新型属于单晶硅片生产技术领域，具体公开了一种废水处理装置，其过滤组件、废料收集槽均设置于装置主体内，且废料收集槽设置于过滤组件的下方。驱动组件设置于装置主体上，且与过滤组件传动连接，驱动组件驱动过滤组件沿装置主体的高度方向向下移动时，废料收集槽能够刮除并收集过滤板上的碎屑。由此，通过驱动组件、过滤组件和废料收集槽的配合使用，可以半自动地将过滤板上的碎屑刮除，无需将过滤板从装置主体上拆除，即可实现过滤板的清理工作，减少人工操作，清洁效率较高。
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公开(公告)号：CN220197932U
公开(公告)日：2023-12-19
申请号：CN202321728558.2
申请日：2023-07-04
申请人： 万华化学集团电子材料有限公司 , 万华化学集团股份有限公司
摘要： 本实用新型涉及一种异形高纯石墨纸的切割装置，包括刀片构件、主体支撑构件和套组组装构件，所述刀片构件固定在所述支撑构件的一端部，所述套组组装构件位于所述主体支撑构件远离所述刀片构件一端的侧壁，可以将至少两个所述切割装置连接。本实用新型的切割装置适用于标准化高纯石墨纸的批量异形高精密切割；根据不同异形尺寸可进行90°四方向自由装配，避免手工裁剪的高损率；同时无电机等动设备、结构简单，成本优势明显，且能确保异形高纯石墨纸具有高竞争力的质量和精度。
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