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公开(公告)号：CN116356187B
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN202310258326.3
申请日：2023-03-17
Applicant: 三峡大学
Abstract: 本发明公开一种高强韧三相共晶高熵合金及其制备方法，该三相共晶高熵合金原子成分为Co、Cr、Fe、Ni、Nb和Al，其中CoCrFeNi：NiAl：Nb三组原子百分比分别为70%~87%：10%~24%：3%~9%。制备工艺如下：选用纯度高于99.95wt%的原料，先利用非自耗真空电弧熔炼炉对CoCrFeNi、NiAl和Nb原料熔炼，最终获得三相共晶高熵合金。本发明所述的三相共晶高熵合金相比较传统的高熵合金具有更好的综合力学性能。所述共晶高熵合金的具有良好的强塑性匹配，应用前景广阔。
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公开(公告)号：CN116240439B
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202211566409.0
申请日：2022-12-07
Applicant: 三峡大学
Abstract: 本发明公开一种六元或六元以上共晶高熵合金及其制备方法，该所述的共晶高熵合金原子成分为Co、Cr、Fe、Ni、Nb、Ta、Mo和W，其中Co：Cr：Fe：Ni：Nb：Ta：Mo：W的原子百分比分别为21%~25%：21%~25%：21%~25%：21%~25%：0~14%：0~15%：0~16%：0~13%。制备工艺如下：选用纯度高于99.95wt%的Co、Cr、Ni和Fe四种元素作为基体，Nb、Ta、Mo和W四种元素中的两种及两种以上的元素组合作为合金元素进行配料，利用非自耗真空电弧熔炼炉制备该高熵合金。本发明所述高熵合金片层细小、组织均匀，表现出优异的综合力学性能。所述共晶高熵合金的具有良好的强塑性匹配，应用前景广阔。
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公开(公告)号：CN111281514A
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：CN201811488491.3
申请日：2018-12-06
Applicant: 三峡大学附属仁和医院
Abstract: 一种脊椎骨接骨装置，包括第一安装板、第二安装板、断裂部固定爪和固定板装置，所述第一安装板的下方设置有第二安装板，所述第一安装板与第二安装板的中部均设置有螺钉孔，所述第一安装板上的螺钉孔的内部插入有第一螺钉，所述第二安装板上的螺钉孔的内部插入有第二螺钉，所述第一安装板与第二安装板之间安装有固定板装置，本发明在固定板之间安装了铰链，所以固定板可以随着脊椎的弯曲而产生一定的弯曲角度，避免了患者在治疗期间接骨板阻止了患者的轻微脊椎弯曲，设置了断裂部固定爪，断裂部固定爪可以固定住脊椎断裂处，保证了脊椎在弯曲时脊椎断裂处不会裂开。
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公开(公告)号：CN118516579A
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202410820152.X
申请日：2024-06-24
Applicant: 三峡大学
Abstract: 本发明提供了一种高镁含量Al‑Mg‑Zn合金制备方法及其均匀化热处理工艺。合金原料为高纯Al、高纯Mg、高纯Zn及Al‑Sc、Al‑Zr等中间合金。将高纯Al、高纯Mg、高纯Zn及Al‑Sc、Al‑Zr中间合金原料打磨去除氧化层。按配比称重后将高纯Al加入到井式电阻炉中进行熔炼，完全熔化后加入Al‑Sc、Al‑Zr等中间合金，最后加入高纯Zn和高纯Mg，熔炼温度为740‑750℃，待全部原料熔化后除气、排渣，搅拌均匀后浇注到水冷铜模中冷却凝固得到合金铸锭。本发明还公开了一种高镁含量Al‑Mg‑Zn合金均匀化热处理工艺，其工艺为低温和高温双级均匀化热处理。本发明通过对高镁含量Al‑Mg‑Zn合金进行双级均匀化热处理，能有效促进合金中粗大非平衡第二相溶解，消除合金枝晶偏析以及铸造残余应力，显著提高合金综合性能。
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公开(公告)号：CN118291869A
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202410315630.1
申请日：2024-03-19
Applicant: 三峡大学
Abstract: 本发明提供了一种含Nb类非等原子比AlCrFeNi高熵合金及制备方法，通式为AlaCrbFecNi20‑xNbx，其中10≤a≤20、10≤b≤20、45≤c≤55、2≤x≤8，且a+b+c+(20‑x)+x＝100，a、b、c、(20‑x)和x分别对应着元素的摩尔比。本发明还公开了一种含Nb类非等原子比AlCrFeNi高熵合金制备方法，将Al、Cr、Fe、Ni和Nb金属单质去氧化皮，按摩尔比称量并以一定顺序混合后置于真空电弧熔炼炉中，充入高纯保护气体氩气后再进行电弧熔炼，得到合金液，搅拌、冷却后得到合金铸锭。本发明通过简单热力学相图计算确定高熵合金成分，所述含Nb类非等原子比AlCrFeNi高熵合金在室温下含有FCC相、BCC相和C14‑Laves相，可以发挥高熵合金的高熵效应和晶格畸变效应等，通过固溶强化、析出强化等方式使合金拥有良好的力学性能和腐蚀性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118072878A
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202410106607.1
申请日：2024-01-25
Applicant: 三峡大学
IPC: G16C60/00
Abstract: 本发明属于高熵合金材料设计及制备技术领域，涉及一种一种精确合成共晶高熵合金的方法。为解决现有共晶高熵合金设计效率低下的问题，提供一种通过混合焓和二元共晶成分再分配的策略来高效的精确设计共晶高熵合金。本发明设计的共晶高熵合金由Co、Cr、Fe、Ni、Nb和Ta元素组成，主要分为两个组元，其中Co、Cr、Fe和Ni属于组元A，Nb和Ta属于组元B。通过计算组元A中的元素与组元B的元素之间的总混合焓，利用二元混合焓与总混合焓之比来重新分配二元共晶的成分，并限制其价电子浓度范围，即可高效的精确设计共晶高熵合金，大大扩展了共晶高熵合金的研究领域。
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公开(公告)号：CN116240439A
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202211566409.0
申请日：2022-12-07
Applicant: 三峡大学
Abstract: 本发明公开一种六元或六元以上共晶高熵合金及其制备方法，该所述的共晶高熵合金原子成分为Co、Cr、Fe、Ni、Nb、Ta、Mo和W，其中Co：Cr：Fe：Ni：Nb：Ta：Mo：W的原子百分比分别为21%~25%：21 %~25%：21%~25%：21%~25%：0~14%：0~15%：0~16%：0~13%。制备工艺如下：选用纯度高于99.95wt%的Co、Cr、Ni和Fe四种元素作为基体，Nb、Ta、Mo和W四种元素中的两种及两种以上的元素组合作为合金元素进行配料，利用非自耗真空电弧熔炼炉制备该高熵合金。本发明所述高熵合金片层细小、组织均匀，表现出优异的综合力学性能。所述共晶高熵合金的具有良好的强塑性匹配，应用前景广阔。
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公开(公告)号：CN110526695B
公开(公告)日：2022-02-01
申请号：CN201910860102.3
申请日：2019-09-11
Applicant: 三峡大学
IPC: C04B35/14 , C04B35/628 , B01J13/02 , B01J13/22
Abstract: 本发明公开了一种用于喷射成型的石墨烯/陶瓷复合微粒及其制备方法，石墨烯/陶瓷复合微粒由陶瓷微粒、水性聚氨酯树脂、石墨烯和醇溶性树脂组成，以陶瓷微粒为核心粒子，水性聚氨酯树脂层、石墨烯层和醇溶性树脂层依次包覆其上，其中水性聚氨酯树脂层的厚度为5～15μm，石墨烯层的厚度为0.15～0.75μm，醇溶性树脂层的厚度为5～20μm。该复合微粒的制备过程包括陶瓷微粒预处理、低温等离子处理、石墨烯包覆和沸腾喷雾包覆干燥等工艺环节。该石墨烯/陶瓷复合微粒大小一致，具有良好的流动性、可用于喷射成型，以便控制石墨烯在基体中分散范围和分散效果。所提供的制备方法具有成本低，工艺简单有效、无污染等优点。
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公开(公告)号：CN110759739A
公开(公告)日：2020-02-07
申请号：CN201910913106.3
申请日：2019-09-25
Applicant: 三峡大学
IPC: C04B35/622 , C04B35/632 , C04B35/634 , C04B35/638 , B33Y10/00 , B33Y80/00
Abstract: 本发明公开了一种石墨烯陶瓷复合材料的制备方法。该石墨烯陶瓷复合材料由石墨烯复合微粒与陶瓷基体组成。石墨烯复合微粒嵌在陶瓷基体中，并形成三维导电网络结构。以陶瓷微粒为核心粒子，利用喷雾包衣法制备得到石墨烯复合微粒；将陶瓷粉末、光敏树脂、消泡剂混合制备得到陶瓷浆料；将石墨烯复合微粒在高压无气喷嘴作用下有效嵌入到陶瓷浆料内；重复多层叠加成型，在陶瓷基内构筑了石墨烯三维导电网络；经冻干、脱脂、高温烧结等后处理工艺，得到内嵌有三维石墨烯导电网络的陶瓷复合材料。制备得到的石墨烯陶瓷复合材料在保证具有陶瓷良好的力学性能、良好的导热性、可耐高温等优异性能的同时，赋予其高导电性。
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公开(公告)号：CN106289419B
公开(公告)日：2019-07-02
申请号：CN201610814468.3
申请日：2016-09-09
Applicant: 三峡大学
Abstract: 一种注射式3D打印流量估计方法，在考虑打印喷管内流体材料壁面滑移的前提下，提供了一套简化的、含未知参数的注射式3D打印流量估计计算式，该计算式既包含了不可在线测量的打印材料物理特性，又具有良好的可实现性，其未知参数可在正式打印前通过简单的试打印进行标定，后代入到流量估计计算式，即可在正式打印过程中对打印流量进行估计，可为注射式3D打印流量的估计和精确控制提供依据。
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