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公开(公告)号:CN103512867A
公开(公告)日:2014-01-15
申请号:CN201310261904.5
申请日:2013-06-27
申请人: 三星康宁精密素材株式会社
IPC分类号: G01N21/63
CPC分类号: G01N21/27 , G01N21/6489 , G01N21/9501 , G01N2021/646
摘要: 一种易于在诸如大气压和室温的常规条件下测量氮化镓(GaN)的质量的设备。该设备包括被布置在GaN衬底上方的光源和被布置在GaN衬底上方的测量单元。该光源向GaN衬底的表面发射光。该测量单元基于从GaN衬底辐射的光的光谱来测量GaN衬底的质量。
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公开(公告)号:CN103489970A
公开(公告)日:2014-01-01
申请号:CN201310232719.3
申请日:2013-06-13
申请人: 三星康宁精密素材株式会社
CPC分类号: H01L21/02 , C30B25/02 , C30B25/16 , C30B29/406 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/02502 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L29/2003
摘要: 制造氮化镓(GaN)基板的方法和由此制造的GaN基板。所述方法包含下列步骤:在基底基板上生长氮化铝成核层,在上面已生长所述氮化铝成核层的所述基底基板上生长第一氮化镓膜,所述第一氮化镓膜具有氮对镓的第一含量比,在所述第一氮化镓膜上生长第二氮化镓膜,所述第二氮化镓膜具有小于所述第一含量比的氮对镓的第二含量比。在生长过程中,可以发生所述基底基板与GaN基板之间的自分离,从而排除了机械分离,提高了自分离的面积,并使翘曲的发生最小化。
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公开(公告)号:CN103526296A
公开(公告)日:2014-01-22
申请号:CN201310271109.4
申请日:2013-07-01
申请人: 三星康宁精密素材株式会社
CPC分类号: H01L33/0075 , C30B25/02 , C30B25/16 , C30B29/406 , H01L21/0237 , H01L21/02458 , H01L21/02502 , H01L21/02513 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02664
摘要: 制造氮化镓(GaN)基板的方法和由该方法制造的GaN基板。该方法包括在基底基板上生长GaN膜和从GaN膜分离基底基板的步骤。生长GaN膜的步骤包括在GaN膜中形成凹点,该凹点诱导倒反畴界在GaN膜的内部形成。GaN基板可具有在层转移(LT)工艺过程中可用来操控基板的预定厚度,并且GaN基板的翘曲可达最小化,从而防止由于翘曲引起的裂纹。
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