显示装置
    1.
    发明公开
    显示装置 审中-实审

    公开(公告)号:CN115274731A

    公开(公告)日:2022-11-01

    申请号:CN202210351421.3

    申请日:2022-04-02

    IPC分类号: H01L27/15 H01L33/46 H01L33/50

    摘要: 提供了一种显示装置。所述显示装置包括:第一基底;多个发光元件,位于第一基底上并且彼此间隔开,其中,多个发光元件中的每个在第一基底的厚度方向上延伸;共电极,位于第一基底和多个发光元件上;第一绝缘层,位于共电极和多个发光元件上;以及第一反射层,位于多个发光元件中的每个的侧表面上,且第一绝缘层位于多个发光元件中的每个与第一反射层之间,其中,共电极与多个发光元件中的每个的侧表面的一部分接触。

    显示装置
    3.
    发明公开
    显示装置 审中-实审

    公开(公告)号:CN115274773A

    公开(公告)日:2022-11-01

    申请号:CN202210233437.4

    申请日:2022-03-10

    IPC分类号: H01L27/32 H01L27/15 H01L33/50

    摘要: 本发明涉及一种显示装置。根据一实施例的显示装置可以包括:多个发光元件,布置于第一基板上;第二基板,与第一基板对向;多个槽,布置于所述第二基板的面向所述第一基板的面的相反面;波长变换层,布置于所述多个槽内,变换从所述多个发光元件发出的光的波长;以及多个滤色器,分别布置于所述波长变换层上。

    显示装置和用于制造该显示装置的方法

    公开(公告)号:CN117393687A

    公开(公告)日:2024-01-12

    申请号:CN202310848662.3

    申请日:2023-07-11

    摘要: 提供了一种显示装置和一种用于制造该显示装置的方法,所述显示装置包括:电路板,包括分别与多个发射区域对应的多个像素驱动器;多个像素电极,在电路板上并且分别与多个发射区域对应;多个像素连接电极,分别在多个像素电极上,多个像素连接电极中的每个包括主层和子层,主层在多个像素电极中的每个上,子层围绕主层的侧表面的与主层的顶表面相邻的部分并且包括与主层的材料不同的材料;以及多个发光元件,分别在多个像素连接电极上。

    显示装置
    7.
    发明公开
    显示装置 审中-公开

    公开(公告)号:CN116261358A

    公开(公告)日:2023-06-13

    申请号:CN202211450994.8

    申请日:2022-11-18

    摘要: 本发明涉及一种显示装置。根据一实施例的显示装置包括:基板;多个接触电极和公共接触电极,布置于所述基板之上;多个发光元件,布置于所述多个接触电极之上;以及公共连接电极,布置于所述公共接触电极之上,并与所述多个发光元件连接,其中,所述公共连接电极包括与所述公共接触电极接触的多个第一导电图案。

    显示装置
    8.
    发明公开
    显示装置 审中-实审

    公开(公告)号:CN116096148A

    公开(公告)日:2023-05-09

    申请号:CN202210851885.0

    申请日:2022-07-19

    摘要: 本发明提供一种显示装置。显示装置包括:多个像素电极,布置为在基板上彼此隔开;多个发光元件,布置于所述多个像素电极上;连接电极层,布置于所述多个发光元件与所述多个像素电极之间;绝缘层,布置于所述基板及所述多个像素电极上,并且围绕所述多个发光元件;及公共电极,布置于所述绝缘层上,并且与所述多个发光元件接触,其中,所述多个发光元件中的每一个包括:第一半导体层,布置于所述连接电极层上;活性层,布置于所述第一半导体层上;以及第二半导体层,布置于所述活性层上,其中,所述连接电极层与所述多个像素电极直接接触,所述公共电极与所述第二半导体层直接接触。

    显示装置
    9.
    发明公开
    显示装置 审中-实审

    公开(公告)号:CN115274734A

    公开(公告)日:2022-11-01

    申请号:CN202210393022.3

    申请日:2022-04-14

    摘要: 提供了一种显示装置。所述显示装置包括:基底;分隔壁,在基底上;发光元件,在基底上在由分隔壁分隔的发射区域中,并且在基底的厚度方向上延伸;波长转换层,在发射区域中在发光元件上方,并且包括基体树脂和散射体,散射体分散在基体树脂中并且转换从发光元件发射的光的波长;阻光构件,在分隔壁上;以及至少一个光学图案,在发射区域中位于波长转换层上,并且具有向上突出的形状。