薄膜晶体管及其制造方法
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118676156A

    公开(公告)日:2024-09-20

    申请号:CN202411088832.3

    申请日:2017-05-19

    摘要: 提供了一种薄膜晶体管及其制造方法,所述薄膜晶体管包括:基底;半导体层,设置在基底上方;栅极绝缘膜,设置在半导体层上方;以及栅电极。半导体层包括沟道区、源区和漏区。栅极绝缘膜包括第一区和第二区。第二区与第一区接界。栅电极设置在第一区上方。台阶形状形成在第二区和第一区相接处。

    有机发光显示设备
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN109994518A

    公开(公告)日:2019-07-09

    申请号:CN201811502685.4

    申请日:2014-05-30

    IPC分类号: H01L27/32 H01L51/52

    摘要: 提供了一种有机发光显示设备,所述有机发光显示设备包括:薄膜晶体管,包括有源层、栅电极、源电极、漏电极、位于有源层和栅电极之间的第一绝缘层以及位于栅电极与源电极和漏电极之间的第二绝缘层;焊盘电极,包括与源电极和漏电极位于同一层上的第一焊盘层和位于第一焊盘层上的第二焊盘层;第三绝缘层,覆盖源电极和漏电极以及焊盘电极的端部;像素电极,包括位于第三绝缘层中的开口中的半透射导电层;保护层,位于像素电极和第一绝缘层之间;第四绝缘层,在与形成在第三绝缘层中的开口相对应的位置中具有开口,第四绝缘层覆盖焊盘电极的端部;发射层,位于像素电极上;以及相对电极,位于发射层上。

    有机发光显示装置及其制造方法

    公开(公告)号:CN103426900B

    公开(公告)日:2017-12-26

    申请号:CN201310174968.1

    申请日:2013-05-13

    CPC分类号: H01L27/3279

    摘要: 有机发光装置包括薄膜晶体管(TFT)、有机发光设备、中间层和相对电极,其中,薄膜晶体管(TFT)包括有源层、栅电极和源电极及漏电极,有机发光设备包括连接到TFT的像素电极,中间层包括发射层,相对电极接触部分将相对电极连接到功率互连线。连接到相对电极接触部分的功率互连线包括第一互连层和第二互连层,第一互连层和第二互连层堆叠并且二者之间没有绝缘层。

    有机发光显示装置及其制造方法

    公开(公告)号:CN104218065A

    公开(公告)日:2014-12-17

    申请号:CN201410239459.7

    申请日:2014-05-30

    IPC分类号: H01L27/32 H01L51/52

    摘要: 有机发光显示装置包括:薄膜晶体管,包括位于有源层与栅电极之间的第一绝缘层、以及位于栅电极与源电极和漏电极之间的第二绝缘层;焊盘电极,包括与源电极/漏电极位于相同层上的第一焊盘层、以及第二焊盘层;第三绝缘层,覆盖源电极/漏电极和焊盘电极的端部的有机绝缘材料;像素电极,包括半透射式金属层,位于第三绝缘层的开口中;阴极接触单元,包括第一接触层、第二接触层和第三接触层;第四绝缘层,覆盖焊盘电极的端部;位于像素电极上的有机发光层;以及位于有机发光层上的相对电极。