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公开(公告)号：CN102214697B
公开(公告)日：2015-09-23
申请号：CN201110069262.X
申请日：2011-03-18
申请人： 三星显示有限公司
IPC分类号： H01L29/786 , H01L29/04 , H01L29/06 , H01L21/336 , H01L27/32
CPC分类号： H01L51/5281 , H01L27/1214 , H01L27/1285 , H01L27/3262 , H01L27/3272 , H01L29/66765 , H01L29/78678
摘要： 本发明公开了一种薄膜晶体管、一种薄膜晶体管的制造方法及一种包括该薄膜晶体管的显示装置。薄膜晶体管包括：基底；多晶硅半导体层，位于基底上；金属图案，位于半导体层和基底之间，金属图案与半导体层绝缘，其中，半导体层的多晶硅包括与晶化生长方向平行的晶界，多晶硅半导体层的表面粗糙度小于大约15nm，多晶硅层的表面粗糙度定义为在多晶硅半导体层的表面中的最低峰与最高峰之间的距离。
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公开(公告)号：CN102110719B
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201010579567.0
申请日：2010-12-03
申请人： 三星显示有限公司
IPC分类号： H01L29/786 , H01L29/423 , H01L21/77
CPC分类号： H01L29/42384 , H01L27/12 , H01L27/1281 , H01L29/04 , H01L29/78678
摘要： 本发明提供了一种薄膜晶体管、一种包括该薄膜晶体管的显示装置和一种制造该显示装置的方法，所述薄膜晶体管包括：基底；栅电极，位于所述基底上；栅极绝缘层，位于所述栅电极上；半导体层，位于所述栅极绝缘层上；源/漏电极，与所述半导体层电连接，其中，所述栅电极具有大约至大约的厚度，所述栅极绝缘层具有大约至大约的厚度。
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公开(公告)号：CN102063011B
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201010506962.6
申请日：2010-10-11
申请人： 三星显示有限公司
CPC分类号： C30B29/06 , C23C14/048 , C30B1/023 , C30B13/22 , G03F1/50
摘要： 公开了一种激光掩膜及使用该激光掩膜的连续横向固化结晶方法。在一个实施例中，所述激光掩膜包括：掩膜基板，包括：i)被配置为使光透射过去的至少一个透光部分，以及ii)多个遮光部分，由插入所述遮光部分之间的透光部分隔开。所述遮光部分被配置为挡光；并且多个突出和凹陷区域位于所述掩膜基板的遮光部分上。所述突出和凹陷区域包括交替形成的多个凹进部分和多个凸起部分。
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公开(公告)号：CN102097438B
公开(公告)日：2015-07-15
申请号：CN201010269565.1
申请日：2010-08-31
申请人： 三星显示有限公司
CPC分类号： H01L27/3262 , H01L27/12 , H01L27/1214 , H01L27/1255 , H01L27/1288 , H01L27/3248 , H01L27/326 , H01L29/4908
摘要： 本发明公开了一种平板显示装置及其制造方法。平板显示装置包括：基底，包括第一区域和第二区域；有源层，位于基底的第一区域上并包含半导体材料；下电极，位于基底的第二区域上并包含所述半导体材料；第一绝缘层，位于设置有有源层和下电极的基底上；栅电极，位于第一绝缘层上，栅电极位于有源层的上方并且包括第一导电层图案和第二导电层图案；上电极，位于第一绝缘层上，上电极位于下电极的上方并且包括所述第一导电层图案和所述第二导电层图案；第二绝缘层，位于栅电极和上电极上并暴露有源层的部分和上电极的部分；源电极和漏电极，连接到有源层的暴露部分。
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公开(公告)号：CN102142427B
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：CN201010588327.7
申请日：2010-11-30
申请人： 三星显示有限公司
IPC分类号： H01L23/528 , H01L27/12 , H01L21/77 , H01L21/768
CPC分类号： H01L51/5262 , G02F1/1368 , H01L27/3258
摘要： 公开平板显示设备及其制造方法。在实施例中，平板显示设备包括：i)第一基板，ii)形成在第一基板上方的有源层，其中有源层包括源区、漏区和沟道区，iii)形成在有源层上的栅极绝缘层，iv)形成在栅极绝缘层上并在有源层的沟道区上方的栅电极以及v)形成在栅极绝缘层和栅电极上的第一层间绝缘膜。该设备可进一步包括1)通过接触孔分别电连接至有源层的源区和漏区的源电极和漏电极，其中接触孔形成在第一层间绝缘膜和栅极绝缘层中，2)仅插入i)第一层间绝缘膜与ii)源电极和漏电极之间的第二层间绝缘膜，3)形成在第一层间绝缘膜以及源电极和漏电极上的平坦层以及4)通过形成在平坦层中的通孔电连接至源电极或漏电极的像素电极。
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公开(公告)号：CN102117826B
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201010541892.8
申请日：2010-11-10
申请人： 三星显示有限公司
CPC分类号： H01L27/3262 , H01L27/3258
摘要： 本发明公开有机发光显示装置及其制造方法。该有机发光显示装置包括：形成在基板上的薄膜晶体管的有源层；形成在所述有源层的边缘处的第一导电层；形成在所述基板和所述第一导电层上的第一绝缘层；与所述有源层的中央区域对应且形成在所述第一绝缘层上的第二导电层；与所述第二导电层隔开预定距离的扇出的下电极；像素电极；形成在所述第二导电层上的第三导电层；形成在所述扇出的下电极上的扇出的上电极；形成在所述第三导电层、所述扇出的上电极和所述像素电极上的第二绝缘层；以及与所述像素电极接触并且形成在所述第二绝缘层上的源电极和漏电极。
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公开(公告)号：CN102044568B
公开(公告)日：2014-12-17
申请号：CN201010504260.4
申请日：2010-10-11
申请人： 三星显示有限公司
IPC分类号： H01L29/786 , H01L29/06 , H01L21/336 , H01L29/04
CPC分类号： H01L29/78609 , H01L29/78618
摘要： 本发明公开了一种薄膜晶体管(TFT)及其制造方法。该TFT包括：基底；栅电极，设置在基底上；栅极绝缘层，设置在栅电极上；半导体层，设置在栅极绝缘层上并包括多晶硅(poly-Si)层；欧姆接触层，设置在半导体层的预定区域上；绝缘的中间层，设置在基底的包括欧姆接触层的基本整个表面上；源电极和漏电极，通过形成在绝缘的中间层中的接触孔电连接到欧姆接触层。阻隔层设置在半导体层与欧姆接触层之间。因此，当控制底栅式TFT的截止电流时，可以通过简单的工艺来防止因泄漏电流导致的特性的劣化。
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公开(公告)号：CN101615626B
公开(公告)日：2014-12-17
申请号：CN200910002540.2
申请日：2009-01-16
申请人： 三星显示有限公司
CPC分类号： H01L27/3276
摘要： 本发明涉及一种有机发光二极管显示器及其制造方法。有机发光二极管显示器包括：基板；第一信号线，其形成在基板上并且包括第一衬垫单元；第二信号线，其与第一信号线交叉，包括第二衬垫单元；第一薄膜晶体管，其电连接到第一信号线和第二信号线；第二薄膜晶体管，其电连接到第一薄膜晶体管；像素电极，其电连接到第二薄膜晶体管；公共电极，其面对像素电极；发光件，其形成在像素电极和公共电极之间；接触辅助物，其形成在第一衬垫单元和第二衬垫单元上；以及保护性分隔物，其围绕接触辅助物。
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