公开(公告)号：CN117953818A

公开(公告)日：2024-04-30

申请号：CN202311226271.4

申请日：2023-09-22

申请人： 三星显示有限公司

发明人： 金太辉 ,  郭惠娜 ,  辛知映 ,  吴允祯 ,  李度炅 ,  崔相虔

IPC分类号： G09G3/3208 ,  G09G3/3258

摘要： 提供了显示装置，显示装置包括彼此相邻并且各自连接到数据线的第一像素电路和第二像素电路。第一像素电路和第二像素电路中的每个包括：第一晶体管，包括连接到第一电压线的第一电极并且包括连接到显示元件的第二电极；第二晶体管，连接在第一晶体管的栅电极与第一晶体管的第二电极之间；第三晶体管，连接在第一晶体管的栅电极与第二晶体管之间并且与第二晶体管串联连接；以及第一电容器，包括连接到第一晶体管的栅电极的第一电极并且包括连接到第二电压线的第二电极。第一像素电路和第二像素电路共享包括连接到第一像素电路和第二像素电路中的每个的第二晶体管与第三晶体管之间的节点的第三电极以及连接到数据线的第四电极的第二电容器。

公开(公告)号：CN112820228A

公开(公告)日：2021-05-18

申请号：CN202011171803.5

申请日：2020-10-28

申请人： 三星显示有限公司

发明人： 金根佑 ,  姜泰旭 ,  郭惠娜 ,  金斗娜 ,  金太晖 ,  成范模 ,  李度炅 ,  李镕守 ,  朱在焕

IPC分类号： G09G3/20

摘要： 公开了一种显示装置。显示装置包括：像素部，包括多个像素；扫描驱动部，由多个驱动级构成，且向所述像素部供给扫描信号；以及发光控制驱动部，由多个驱动级构成，且向所述像素部供给发光控制信号。可以是，所述扫描驱动部的各所述驱动级以及所述发光控制驱动部的各所述驱动级之中的至少一个驱动级所包括的多个晶体管中的第一晶体管包括：活性层图案，包括配置在基底层的一面上而形成沟道的沟道区域以及配置在所述沟道区域的两侧的第一区域和第二区域；以及栅电极，与所述活性层图案在其间夹着第一绝缘膜而相远离，且与所述沟道区域重叠，所述沟道区域的沟道宽度比所述多个晶体管之中剩余晶体管之中的至少一个的沟道宽度更窄。

公开(公告)号：CN114842782A

公开(公告)日：2022-08-02

申请号：CN202210102300.5

申请日：2022-01-27

申请人： 三星显示有限公司

发明人： 金根佑 ,  姜美在 ,  金韩彩 ,  李度炅 ,  朱在焕

IPC分类号： G09G3/20

摘要： 提供了像素和具有像素的显示装置。像素包括发光元件、驱动开关元件以及第一补偿开关元件和第二补偿开关元件。驱动开关元件向发光元件施加驱动电流。第一补偿开关元件和第二补偿开关元件连接在驱动开关元件的控制电极与驱动开关元件的输出电极之间。第一补偿开关元件和第二补偿开关元件彼此串联连接。驱动开关元件为P型晶体管。第一补偿开关元件为N型晶体管。第二补偿开关元件为P型晶体管。

公开(公告)号：CN113394233A

公开(公告)日：2021-09-14

申请号：CN202110265157.7

申请日：2021-03-11

申请人： 三星显示有限公司

发明人： 金根佑 ,  姜泰旭 ,  金斗娜 ,  成范模 ,  李度炅 ,  朱在焕

IPC分类号： H01L27/12 ,  H01L27/32

摘要： 提供了一种薄膜晶体管基底和包括该薄膜晶体管基底的显示装置。所述薄膜晶体管基底包括：半导体层，设置在基底上；栅极绝缘层，设置在半导体层上；第一电极，所述第一电极与半导体层至少部分地叠置，其中，栅极绝缘层设置在第一电极与半导体层之间；多个薄膜层，设置在第一电极上；以及第二电极，所述第二电极与第一电极至少部分地叠置，其中，多个薄膜层设置在第二电极与第一电极之间，其中，多个薄膜层中的至少一个包括非晶硅。

公开(公告)号：CN114447047A

公开(公告)日：2022-05-06

申请号：CN202111264162.2

申请日：2021-10-28

申请人： 三星显示有限公司

发明人： 金太熙 ,  姜美在 ,  金根佑 ,  金斗娜 ,  金相燮 ,  李度炅 ,  朱在焕

IPC分类号： H01L27/32 ,  G09G3/3225 ,  G09G3/3233

摘要： 提供了晶体管衬底和包括晶体管衬底的显示装置。显示装置包括衬底、半导体层、第一绝缘层、栅极导体、信号线、第一电极、发射层和第二电极，半导体层布置在衬底上并且包括第一沟道部、第二沟道部、布置在第一沟道部与第二沟道部之间的连接部和电极区，第一绝缘层布置在半导体层上，栅极导体布置在第一绝缘层上并且包括与第一沟道部重叠的第一栅电极和与第二沟道部重叠的第二栅电极，信号线布置在衬底上，第一电极电连接到半导体层的电极区中的至少一个，发射层布置在第一电极上，第二电极布置在发射层上，并且半导体层的第一沟道部和第二沟道部各自具有比连接部的第二宽度大的第一宽度。

公开(公告)号：CN113363290A

公开(公告)日：2021-09-07

申请号：CN202110230983.8

申请日：2021-03-02

申请人： 三星显示有限公司

发明人： 金根佑 ,  姜泰旭 ,  金太熙 ,  成范模 ,  李度炅 ,  李在燮

IPC分类号： H01L27/32 ,  H01L27/12 ,  H01L21/77 ,  G09G3/3233

摘要： 本申请涉及发光显示装置及其制造方法。该发光显示装置包括：发光元件；连接到扫描线的第二晶体管；将电流施加到发光元件的第一晶体管；连接到第一晶体管的栅电极的电容器；以及连接到第一晶体管的输出电极和第一晶体管的栅电极的第三晶体管。第二晶体管的沟道、第一晶体管的沟道和第三晶体管的沟道被布置在多晶半导体层中，并且第三晶体管的沟道的宽度在约1μm至约2μm的范围内，并且第三晶体管的沟道的长度在约1μm至约2.5μm的范围内。

公开(公告)号：CN115472128A

公开(公告)日：2022-12-13

申请号：CN202210657228.2

申请日：2022-06-10

申请人： 三星显示有限公司

发明人： 金根佑 ,  姜美在 ,  李度炅 ,  姜泰旭

IPC分类号： G09G3/3233

摘要： 公开了一种像素和包括该像素的显示装置。该像素包括：显示元件；驱动晶体管，控制流向显示元件的驱动电流的量；第一电容器，连接到驱动晶体管的栅极；扫描晶体管，将数据电压传输到驱动晶体管的源极；第一补偿晶体管和第二补偿晶体管，彼此串联连接在驱动晶体管的栅极和漏极之间；第一发射控制晶体管和第二发射控制晶体管，在显示元件与电力线之间生成驱动电流的路径；以及第二电容器，连接在位于第一补偿晶体管和第二补偿晶体管之间的浮置节点与第二发射控制晶体管的栅极之间。

公开(公告)号：CN114613333A

公开(公告)日：2022-06-10

申请号：CN202111491132.5

申请日：2021-12-08

申请人： 三星显示有限公司

发明人： 金太辉 ,  姜美在 ,  金根佑 ,  金斗娜 ,  金相燮 ,  李度炅 ,  朱在焕

IPC分类号： G09G3/3233

摘要： 本公开涉及像素和显示装置。像素包括：电容器，连接在第一驱动电压线与第一节点之间；发光二极管，包括连接到第二节点的第一电极以及连接到第二驱动电压线的第二电极；第一晶体管；第二晶体管；第三晶体管，包括连接到第一节点的第一电极、连接到第二节点的第二电极以及用于接收第一扫描信号的栅电极；第四晶体管，包括连接到第一节点的第一电极、连接到用于接收第三电压的第三驱动电压线的第二电极以及用于接收第二扫描信号的栅电极；和补偿晶体管，包括连接到第一节点的第一电极、连接到用于接收补偿电压的第四驱动电压线的第二电极以及用于接收补偿控制电压的栅电极。

公开(公告)号：CN113571020A

公开(公告)日：2021-10-29

申请号：CN202110473263.4

申请日：2021-04-29

申请人： 三星显示有限公司

发明人： 朱在焕 ,  金根佑 ,  姜泰旭 ,  金斗娜 ,  金相燮 ,  成范模 ,  李度炅 ,  李镕守

IPC分类号： G09G3/3233 ,  H01L27/32 ,  H01L29/423

摘要： 本发明涉及一种有机发光显示装置及像素电路。有机发光显示装置包括：有机发光二极管；驱动晶体管，被配置为控制从电源电压线流到有机发光二极管的电流的量；补偿晶体管，被配置为响应于施加到补偿晶体管的第一补偿栅电极和第二补偿栅电极的电压而将驱动晶体管进行二极管连接；以及在补偿晶体管的补偿栅电极和补偿有源区之间的栅绝缘层。栅绝缘层的在第一补偿栅电极和补偿有源区之间的层结构不同于栅绝缘层的在第二补偿栅电极和补偿有源区之间的层结构。

公开(公告)号：CN112466907A

公开(公告)日：2021-03-09

申请号：CN202010934101.1

申请日：2020-09-08

申请人： 三星显示有限公司

发明人： 金斗娜 ,  金根佑 ,  姜泰旭 ,  李度炅 ,  李镕守 ,  朱在焕 ,  金洸炫 ,  禹荣杰 ,  郑镕彬

IPC分类号： H01L27/32

摘要： 本公开涉及显示装置，所述显示装置包括：第一半导体层，位于第一缓冲层上，并且包括第一有源层；第一栅极绝缘层，位于所述第一半导体层上并且覆盖所述第一有源层；第一导电层，位于所述第一栅极绝缘层上并且包括第一栅电极；第二导电层，位于所述第一导电层上并且包括第一源/漏电极；第一层间绝缘层，位于所述第一导电层上；第二半导体层，位于所述第一层间绝缘层上并且包括第二有源层；第二栅极绝缘层，位于所述第二半导体层上并且覆盖所述第二有源层；以及第三导电层，位于所述第二栅极绝缘层上并且包括第二栅电极和第二源/漏电极。所述第一栅极绝缘层和所述第二栅极绝缘层包括彼此不同的绝缘材料。