公开(公告)号：CN118785744A

公开(公告)日：2024-10-15

申请号：CN202410384406.8

申请日：2024-04-01

申请人： 三星显示有限公司

发明人： 金根佑 ,  郭惠娜 ,  金斗娜 ,  金相燮 ,  成范模

IPC分类号： H10K59/12 ,  H10K59/121

摘要： 本公开涉及显示装置和制造显示装置的方法。显示装置包括：发光元件，设置在衬底上；第一晶体管，控制在发光元件中流动的驱动电流；第二晶体管，向第一晶体管的栅电极提供数据电压；第一‑第三晶体管和第二‑第三晶体管，串联连接在第一晶体管的栅电极和漏电极之间；第一电荷注入层，在第一‑第三晶体管的半导体区域上与第一‑第三晶体管的漏电极相邻，第一‑第三晶体管的漏电极电连接到第一晶体管的栅电极；以及第二电荷注入层，在第二‑第三晶体管的半导体区域上与第二‑第三晶体管的源电极相邻，第二‑第三晶体管的源电极与第一晶体管的漏电极一体地形成。第一电荷注入层的电荷注入区域大于第二电荷注入层的电荷注入区域。

公开(公告)号：CN114842782A

公开(公告)日：2022-08-02

申请号：CN202210102300.5

申请日：2022-01-27

申请人： 三星显示有限公司

发明人： 金根佑 ,  姜美在 ,  金韩彩 ,  李度炅 ,  朱在焕

IPC分类号： G09G3/20

摘要： 提供了像素和具有像素的显示装置。像素包括发光元件、驱动开关元件以及第一补偿开关元件和第二补偿开关元件。驱动开关元件向发光元件施加驱动电流。第一补偿开关元件和第二补偿开关元件连接在驱动开关元件的控制电极与驱动开关元件的输出电极之间。第一补偿开关元件和第二补偿开关元件彼此串联连接。驱动开关元件为P型晶体管。第一补偿开关元件为N型晶体管。第二补偿开关元件为P型晶体管。

公开(公告)号：CN114551508A

公开(公告)日：2022-05-27

申请号：CN202111182146.9

申请日：2021-10-11

申请人： 三星显示有限公司

发明人： 金根佑

IPC分类号： H01L27/32

摘要： 公开了一种显示装置的实施例，所述显示装置包括：显示面板，具有柔性特性；后钝化层，设置在显示面板的后表面上并且包括开口；以及像素，形成在显示面板的对应于开口的区域中。显示面板包括：柔性基底，包括聚酰亚胺层和设置在聚酰亚胺层上的阻挡层；驱动晶体管和第五晶体管，设置在基底上并且包括多晶半导体层；发光二极管，接收驱动晶体管的输出电流；以及底部金属层，在剖视图中设置在聚酰亚胺层与多晶半导体层之间，并且在平面图中设置在驱动晶体管的沟道周围。

公开(公告)号：CN113554988A

公开(公告)日：2021-10-26

申请号：CN202110256273.2

申请日：2021-03-09

申请人： 三星显示有限公司

发明人： 金根佑 ,  郭惠娜 ,  金相燮 ,  金太辉

IPC分类号： G09G3/3233

摘要： 本发明涉及像素和包括该像素的显示装置。该像素包括：包括半导体层和栅电极的驱动晶体管；以及连接到驱动晶体管的栅电极和半导体层的补偿晶体管，其中补偿晶体管包括：第一子晶体管，包括在一时段期间接收具有第一电压电平的第一扫描信号的第一栅电极；以及第二子晶体管，并联连接到第一子晶体管，并且包括在同一时段期间接收具有作为第一电压电平的反相电平的第二电压电平的第二扫描信号的第二栅电极。

公开(公告)号：CN113394233A

公开(公告)日：2021-09-14

申请号：CN202110265157.7

申请日：2021-03-11

申请人： 三星显示有限公司

发明人： 金根佑 ,  姜泰旭 ,  金斗娜 ,  成范模 ,  李度炅 ,  朱在焕

IPC分类号： H01L27/12 ,  H01L27/32

摘要： 提供了一种薄膜晶体管基底和包括该薄膜晶体管基底的显示装置。所述薄膜晶体管基底包括：半导体层，设置在基底上；栅极绝缘层，设置在半导体层上；第一电极，所述第一电极与半导体层至少部分地叠置，其中，栅极绝缘层设置在第一电极与半导体层之间；多个薄膜层，设置在第一电极上；以及第二电极，所述第二电极与第一电极至少部分地叠置，其中，多个薄膜层设置在第二电极与第一电极之间，其中，多个薄膜层中的至少一个包括非晶硅。

公开(公告)号：CN113257866A

公开(公告)日：2021-08-13

申请号：CN202110076319.2

申请日：2021-01-20

申请人： 三星显示有限公司

发明人： 李在燮 ,  姜美在 ,  姜闰浩 ,  金根佑 ,  金太辉 ,  阮成进

IPC分类号： H01L27/32

摘要： 本发明构思的示例性实施例涉及一种显示装置，所述显示装置包括：第一薄膜晶体管，包括第一半导体层和第一栅极电极，所述第一半导体层包括第一沟道区、第一源极区和第一漏极区；第三薄膜晶体管，包括第三半导体层和第三栅极电极，所述第三半导体层包括第三沟道区、第三源极区和第三漏极区，其中，所述第三薄膜晶体管在截止状态下的漏电流小于所述第一薄膜晶体管在截止状态下的漏电流；以及像素电极，连接到所述第一源极区和所述第一漏极区中的一个，其中，所述第一源极区和所述第一漏极区中的所述一个连接到所述第三薄膜晶体管。

公开(公告)号：CN112310169A

公开(公告)日：2021-02-02

申请号：CN202010749559.X

申请日：2020-07-30

申请人： 三星显示有限公司

发明人： 金根佑 ,  郭惠娜 ,  金斗娜 ,  金相燮 ,  阮成进 ,  李镕守 ,  朱在焕

IPC分类号： H01L27/32 ,  H01L29/06 ,  H01L29/16 ,  G09G3/3208

摘要： 公开了一种显示装置，该显示装置包括设置在显示区域中的像素。像素包括：发光元件，连接在第一电源与第二电源之间；第一晶体管，连接在第一电源与发光元件之间，用于响应于第一节点的电压来控制在发光元件中流动的驱动电流；以及至少一个开关晶体管，用于将数据信号或初始化电源的电压传输到第一节点。开关晶体管包括第一沟道区域、分别设置在第一沟道区域的相对侧处的第一导电区域和第二导电区域以及设置在第一沟道区域与第二导电区域之间的第一宽带隙区域。

公开(公告)号：CN111834416A

公开(公告)日：2020-10-27

申请号：CN202010326884.5

申请日：2020-04-23

申请人： 三星显示有限公司

发明人： 金根佑 ,  姜美在 ,  金太晖 ,  阮成进 ,  李镕守 ,  李在燮

IPC分类号： H01L27/32 ,  H01L27/12

摘要： 本发明涉及一种对晶体管进行老化的方法以及包括该晶体管的显示设备。该显示设备包括多个像素。多个像素中的每一个像素包括：第一晶体管，该第一晶体管具有被连接至第一节点的栅电极、被连接至第二节点的第一电极和被连接至第三节点的第二电极；第二晶体管，该第二晶体管具有被连接至第一扫描线的栅电极、被连接至数据线的第一电极和被连接至第二节点的第二电极；以及第三晶体管，该第三晶体管具有被连接至第一扫描线的第一栅电极、第二栅电极、被连接至第一节点的第一电极和被连接至第三节点的第二电极。第二栅电极可以处于浮置状态，并且第三晶体管可以被老化以减轻泄漏电流，从而改善图像生成。

公开(公告)号：CN118695675A

公开(公告)日：2024-09-24

申请号：CN202410320584.4

申请日：2024-03-20

申请人： 三星显示有限公司

发明人： 车明根 ,  崔相虔 ,  金根佑

IPC分类号： H10K59/121 ,  H10K59/123 ,  H10K59/131

摘要： 一种显示装置包括：第一晶体管，包括包含硅半导体的第一半导体层和在第一半导体层下方的第一栅电极，其中，第一晶体管控制流到显示元件的驱动电流的大小；数据线，传输数据电压；第二晶体管，包括包含氧化物半导体的第二半导体层，其中，第二晶体管响应于扫描信号将数据线连接到第一晶体管；以及第一电容器，包括第一电极和第二电极，其中，第一电极设置在第一半导体层上，并且第二电极与第一电极至少部分地重叠。

公开(公告)号：CN118057945A

公开(公告)日：2024-05-21

申请号：CN202311510709.1

申请日：2023-11-14

申请人： 三星显示有限公司

发明人： 金根佑 ,  郭惠娜 ,  薛粲烨 ,  成范模 ,  辛知映

IPC分类号： H10K59/121 ,  H10K59/123 ,  H10K59/131 ,  H10K59/124

摘要： 一种显示装置包括：发光元件，在基板上；第三‑第一晶体管和第三‑第二晶体管，串联连接在第一晶体管的栅电极与第一晶体管的漏电极之间；第一金属层，在基板上并且包括第三‑第一晶体管的栅电极和第三‑第二晶体管的栅电极；氢钝化层，在第一金属层上，其中第一晶体管、第三‑第一晶体管和第三‑第二晶体管中的每一个的半导体区在氢钝化层上；封盖层，在第一晶体管的半导体区上，其中第一晶体管的栅电极在封盖层上；第一偏置电极，与第一晶体管的栅电极在同一层，并且与第三‑第一晶体管的半导体区重叠；以及第二偏置电极，与第一偏置电极在同一层，并且与第三‑第二晶体管的半导体区重叠。