显示装置及其制造方法
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN110444564B

    公开(公告)日:2024-08-02

    申请号:CN201910359849.0

    申请日:2019-04-30

    摘要: 公开了显示装置和显示装置的制造方法。所述显示装置包括衬底、发光元件、像素电路和导电图案,其中,发光元件位于衬底上;像素电路位于衬底与发光元件之间,其中像素电路电连接到发光元件并且包括多个晶体管;导电图案包括电极部和用于向电极部供给电压的布线部,其中电极部与多个晶体管之中的至少一个晶体管的有源图案重叠,其中导电图案布置在衬底与有源图案之间,并且其中布线部的厚度大于电极部的厚度。

    显示面板和包括该显示面板的电子装置

    公开(公告)号:CN115458555A

    公开(公告)日:2022-12-09

    申请号:CN202210624131.1

    申请日:2022-06-02

    IPC分类号: H01L27/32

    摘要: 提供了显示面板和包括该显示面板的电子装置。显示面板包括:基板,包括聚合物树脂;第一像素电路和第二像素电路,各自包括薄膜晶体管;第一发光二极管,连接到第一像素电路并且位于第一显示区域中;第二发光二极管,连接到第二像素电路并且位于第二显示区域的子显示区域中;底部金属层,在第二显示区域中并且在基板与第二像素电路之间;以及保护层,在基板与底部金属层之间并且与第一显示区域和第二显示区域相对应,其中,底部金属层包括在透射区域中的第一开口,并且保护层包括在透射区域中并且与底部金属层的第一开口重叠的第二开口。

    有机发光二极管显示器
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN111554704A

    公开(公告)日:2020-08-18

    申请号:CN202010080474.7

    申请日:2020-02-05

    摘要: 一种有机发光二极管显示器包括:沟道形成在多晶半导体层中的第一薄膜晶体管;沟道形成在氧化物半导体层中的第二薄膜晶体管;电连接到第一薄膜晶体管的有机发光二极管;具有第一电极和第二电极的存储电容器,其中存储电容器的第二电极电连接到第一薄膜晶体管的栅电极;以及在平面图中与氧化物半导体层重叠并且接收正电压的重叠层。氧化物半导体层被放置得比第一薄膜晶体管的栅电极和存储电容器的第二电极高。

    显示装置及其制造方法
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN110444564A

    公开(公告)日:2019-11-12

    申请号:CN201910359849.0

    申请日:2019-04-30

    IPC分类号: H01L27/32 H01L51/56

    摘要: 公开了显示装置和显示装置的制造方法。所述显示装置包括衬底、发光元件、像素电路和导电图案,其中,发光元件位于衬底上;像素电路位于衬底与发光元件之间,其中像素电路电连接到发光元件并且包括多个晶体管;导电图案包括电极部和用于向电极部供给电压的布线部,其中电极部与多个晶体管之中的至少一个晶体管的有源图案重叠,其中导电图案布置在衬底与有源图案之间,并且其中布线部的厚度大于电极部的厚度。

    显示装置
    6.
    发明公开
    显示装置 审中-公开

    公开(公告)号:CN117953818A

    公开(公告)日:2024-04-30

    申请号:CN202311226271.4

    申请日:2023-09-22

    IPC分类号: G09G3/3208 G09G3/3258

    摘要: 提供了显示装置,显示装置包括彼此相邻并且各自连接到数据线的第一像素电路和第二像素电路。第一像素电路和第二像素电路中的每个包括:第一晶体管,包括连接到第一电压线的第一电极并且包括连接到显示元件的第二电极;第二晶体管,连接在第一晶体管的栅电极与第一晶体管的第二电极之间;第三晶体管,连接在第一晶体管的栅电极与第二晶体管之间并且与第二晶体管串联连接;以及第一电容器,包括连接到第一晶体管的栅电极的第一电极并且包括连接到第二电压线的第二电极。第一像素电路和第二像素电路共享包括连接到第一像素电路和第二像素电路中的每个的第二晶体管与第三晶体管之间的节点的第三电极以及连接到数据线的第四电极的第二电容器。

    显示设备
    7.
    发明公开
    显示设备 审中-实审

    公开(公告)号:CN115835707A

    公开(公告)日:2023-03-21

    申请号:CN202211129460.5

    申请日:2022-09-16

    摘要: 一种用于显示高分辨率图像并且具有低的由电压降引起的缺陷的发生率的显示设备。显示设备包括:基底;第一导电层,布置在基底上,并且包括在第一方向上延伸的辅助数据线;第一半导体层,布置在第一导电层上;第一栅极层,布置在第一半导体层上;第一连接电极层,布置在第一栅极层上,并且包括电连接到第一半导体层和辅助数据线的第一连接电极;以及第二连接电极层,布置在第一连接电极层上,并且包括电连接到第一连接电极的数据线。

    显示装置、制造显示装置的方法和电子设备

    公开(公告)号:CN115802815A

    公开(公告)日:2023-03-14

    申请号:CN202210916170.9

    申请日:2022-08-01

    摘要: 本发明提供了显示装置、制造显示装置的方法和电子设备。该显示装置包括:基板;以及多个像素电路,在基板上,多个像素电路中的至少一个像素电路包括:有源层,包括第一区和第二区;栅绝缘层,在有源层上,栅绝缘层包括与第一区和第二区重叠的第一绝缘层、在第一绝缘层上并且与第一区重叠的第二绝缘层以及在第二绝缘层上并且与第一区和第二区重叠的第三绝缘层;以及第一导电层,在栅绝缘层上,第一导电层包括与第一区重叠以形成驱动晶体管的第一栅电极以及与第二区重叠以形成开关晶体管的第二栅电极。栅绝缘层的与第一区重叠的第一部分的厚度大于栅绝缘层的与第二区重叠的第二部分的厚度。

    显示装置
    9.
    发明公开
    显示装置 审中-实审

    公开(公告)号:CN115707278A

    公开(公告)日:2023-02-17

    申请号:CN202210948203.8

    申请日:2022-08-09

    IPC分类号: H10K59/12 H10K59/121

    摘要: 显示装置包括:基板;第一有源层,配置在基板上,并且包括源极区域、电阻区域以及通过电阻区域而与源极区域间隔开的漏极区域;第一栅电极和第二栅电极,配置在第一有源层上,并且与第一有源层重叠地配置;以及第一电源电压电极,配置在第一栅电极和第二栅电极上,并且在剖视图上仅与电阻区域重叠。

    显示装置
    10.
    发明公开
    显示装置 审中-实审

    公开(公告)号:CN115643772A

    公开(公告)日:2023-01-24

    申请号:CN202210707097.4

    申请日:2022-06-21

    摘要: 提供了一种显示装置。所述显示装置包括:基底,包括主区域和位于主区域的一侧处的子区域;薄膜晶体管,位于基底上并且定位在主区域中;第一绝缘层,位于薄膜晶体管的栅电极上;发光元件,位于第一绝缘层上,定位在主区域中,并且电连接到薄膜晶体管;多个垫,位于第一绝缘层上,并且定位在子区域中;以及光阻挡层,与多个垫叠置,并且定位在基底与第一绝缘层之间。