等离子体处理装置
    3.
    发明授权

    公开(公告)号:CN110021515B

    公开(公告)日:2024-06-18

    申请号:CN201910017949.5

    申请日:2019-01-09

    IPC分类号: H01J37/32

    摘要: 提供了一种等离子体处理装置。所述等离子体处理装置包括:腔室;多个介电窗,覆盖腔室的顶部;盖框架,在同一平面上支撑所述多个介电窗;多个支撑杆,支撑盖框架的顶部;以及多个天线,位于所述多个介电窗上方,其中,所述多个天线包括位于由所述多个支撑杆限定的区域内部并具有环形形式的第一天线以及位于由所述多个支撑杆限定的区域外部并具有环形形式的第二天线,并且第一天线中的第一电流方向与第二天线中的第二电流方向彼此相同。

    等离子体处理装置
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN110021515A

    公开(公告)日:2019-07-16

    申请号:CN201910017949.5

    申请日:2019-01-09

    IPC分类号: H01J37/32

    摘要: 提供了一种等离子体处理装置。所述等离子体处理装置包括:腔室;多个介电窗,覆盖腔室的顶部;盖框架,在同一平面上支撑所述多个介电窗;多个支撑杆,支撑盖框架的顶部;以及多个天线,位于所述多个介电窗上方,其中,所述多个天线包括位于由所述多个支撑杆限定的区域内部并具有环形形式的第一天线以及位于由所述多个支撑杆限定的区域外部并具有环形形式的第二天线,并且第一天线中的第一电流方向与第二天线中的第二电流方向彼此相同。

    蚀刻装置和使用该蚀刻装置制造显示装置的方法

    公开(公告)号:CN114267572A

    公开(公告)日:2022-04-01

    申请号:CN202111037766.3

    申请日:2021-09-06

    IPC分类号: H01J37/32 H01L21/67 H01L51/56

    摘要: 提供了一种蚀刻装置和使用该蚀刻装置制造显示装置的方法,所述蚀刻装置包括:腔室;台,设置在腔室中,并且目标基底装载在台上;气体分布单元,在腔室中设置为面对台;多个等离子体产生模块,设置在腔室上方;气体供应单元,将气体供应到腔室中;气体线路,将气体供应单元和多个等离子体产生模块连接;以及多个气体入口管,每个气体入口管包括连接到多个等离子体产生模块中的对应的等离子体产生模块的一端和连接到气体分布单元的另一端。

    静电卡盘
    6.
    发明公开
    静电卡盘 审中-实审

    公开(公告)号:CN113223990A

    公开(公告)日:2021-08-06

    申请号:CN202010518120.6

    申请日:2020-06-09

    IPC分类号: H01L21/683

    摘要: 本发明提供一种静电卡盘,为了将静电卡盘与基板的间隙最小化来防止气体泄漏,具备:主体部,配置有在一面上具备显示要素的基板;第一绝缘层,介于所述主体部与所述基板之间;第一电极层,配置在所述第一绝缘层上,且上表面距所述基板的另一面远离了第一距离,其中,所述基板的所述另一面与所述一面相反;第二电极层,配置在所述第一电极层上,且上表面距所述基板的所述另一面远离了比所述第一距离短的第二距离;以及堤坝部,配置在所述第二电极层上。