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公开(公告)号：CN112513790B
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN201980050186.2
申请日：2019-08-05
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： G06F3/038 , G06F3/0354 , G06F3/0481 , H02J7/00
摘要： 一种电子装置包括：充电电路；通信电路；显示器；处理器；以及存储器，被配置为存储指令，其中，所述指令在被处理器执行时使处理器进行以下操作：通过使用通信电路从与电子装置相关的触控笔接收关于触控笔的可再充电电池的剩余电量的信息；基于识别出所述电池的剩余电量小于参考值，通过使用显示器来显示用于引导需要对所述电池进行充电的第一指示；并且响应于在显示第一指示时识别出触控笔与显示器接触，通过使用充电电路向触控笔提供用于对所述电池进行充电的电力，并通过使用显示器将第一指示改变为用于指示所述电池正被充电的第二指示。
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公开(公告)号：CN116137955A
公开(公告)日：2023-05-19
申请号：CN202180061157.3
申请日：2021-05-04
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H04N21/414
摘要： 一种根据各种实施例的电子装置可以包括第一通信模块、第二通信模块、传感器模块、相机模块和处理器，其中处理器被配置为：当相机接口被激活时，基于电子装置的已经基于从传感器模块接收的传感器信息而确定的拍摄方向信息、外部电子装置的已经基于通过第一通信模块接收的第一信号而确定的方向信息、以及相机的视角信息，确定共享外部电子装置；并且当由相机接口提供的图形对象被选择时，向所确定的外部电子装置发送拍摄的图像。可以提供各种其他实施例。
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公开(公告)号：CN101339954A
公开(公告)日：2009-01-07
申请号：CN200810110123.5
申请日：2008-06-10
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01L29/12 , H01L29/786 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/7869
摘要： 示例实施例涉及一种包含氧化锌(ZnO)的氧化物半导体、一种包括由该氧化物半导体形成的沟道的薄膜晶体管以及一种制造该薄膜晶体管的方法。该氧化物半导体可包括：GaxInyZnz氧化物；至少一种材料，从由4B族元素、4B族氧化物、稀土元素及它们的组合组成的组中选择。
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公开(公告)号：CN101257048A
公开(公告)日：2008-09-03
申请号：CN200810080659.7
申请日：2008-02-28
申请人： 三星电子株式会社
发明人： 姜东勋 , 斯蒂法诺维奇·金里克 , 宋利宪 , 朴永洙 , 金昌桢
IPC分类号： H01L29/786 , H01L29/43 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/7869
摘要： 本发明提供一种薄膜晶体管及其制造方法。该薄膜晶体管可以包括栅极；沟道层；源极和漏极，该源极和漏极由金属形成；以及金属氧化物层，该金属氧化物层在该沟道层与该源极和该漏极之间形成。该金属氧化物层可以在该沟道层与该源极和该漏极之间具有渐变的金属含量。
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公开(公告)号：CN1825594A
公开(公告)日：2006-08-30
申请号：CN200610004871.6
申请日：2006-01-10
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01L27/115 , H01L29/78
CPC分类号： G11C13/025 , B82Y10/00 , G11C11/56 , G11C2213/17 , H01L29/42332 , H01L29/66825 , H01L29/66833 , H01L29/7887 , H01L29/7923 , H01L51/0048 , H01L51/0554 , Y10S977/938 , Y10S977/943
摘要： 本发明涉及使用碳纳米管沟道的多位非易失性存储器件及其操作方法。该多位非易失性存储器件包括：由至少一个碳纳米管形成且在一方向上延伸的沟道；源极和漏极，其沿该沟道延伸的该方向彼此隔开布置，且接触该沟道的不同部分；形成在该沟道之下的第一存储节点；形成在该沟道上的第二存储节点；形成在该第一存储节点之下的第一栅极电极；以及形成在该第二存储节点上的第二栅极电极。
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公开(公告)号：CN112771481B
公开(公告)日：2024-01-02
申请号：CN201980063149.5
申请日：2019-08-01
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： G06F3/0354 , G06F3/038 , G06F3/14 , G06F1/16 , H04W4/80
摘要： 提供了一种电子装置，该电子装置包括：壳体，包括内部空间和与内部空间连接的孔；第一导电线圈；第一无线通信电路；第一电磁谐振(EMR)通信控制电路；处理器，可操作地与第一EMR通信控制电路和第一无线通信电路连接；存储器，与至少一个处理器可操作地连接；以及手写笔，其可通过孔插入该内部空间中。存储器包括指令，所述指令在被执行时使得处理器利用第一EMR通信控制电路来发送或接收信号。
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公开(公告)号：CN111373762A
公开(公告)日：2020-07-03
申请号：CN201880075213.7
申请日：2018-11-22
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H04N21/438 , H04N21/458 , H04N21/434 , H04N21/431
摘要： 广播接收用于当广播信号中包括的信令信息已经改变时通过扫描广播信号来更新服务映射信息。
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公开(公告)号：CN109426413A
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201810959373.X
申请日：2018-08-22
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： G06F3/0481 , G06F3/0488 , G06F9/451
CPC分类号： G06F3/04817 , G06F3/0481 , G06F3/0482 , G06F3/04883 , G06F2203/04803 , G06F2203/04808 , G06F9/451
摘要： 提供了一种用于操作应用的电子装置和方法。所述电子装置包括：显示器、处理器和存储器，其中，存储器存储包括第一用户界面的第一应用程序和包括第二用户界面的第二应用程序。存储器存储指令，所述指令当被执行时使得处理器进行以下操作：响应于手势输入在邻近于边缘的区域中显示多个图标的阵列，其中，所述多个图标中的每个图标具有第一尺寸，所述多个图标中的一个图标包括第一图标和第二图标，第一图标和第二图标具有小于第一尺寸的第二尺寸，第一图标指示第一应用程序，第二图标指示第二应用程序；接收用于选择所述多个图标中的所述一个图标的输入；响应于接收到的输入在显示器上一起显示第一用户界面和第二用户界面。
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公开(公告)号：CN101060139A
公开(公告)日：2007-10-24
申请号：CN200610148646.X
申请日：2006-11-22
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/336
摘要： 本发明提供了一种非晶氧化锌(ZnO)薄膜晶体管(TFT)及其制造方法，所述非晶ZnO TFT包括：衬底；半导体沟道，在衬底上由包括n(GaO3)、m(InO3)和(ZnO)k的非晶ZnO基化合物半导体材料形成；源极和漏极电极，电接触半导体沟道的两端；栅极，形成围绕半导体沟道的电场；和栅极绝缘体，设置于栅极和半导体沟道之间。可以满足不等式条件n≥1.5、m≥1.5、k＞0。
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公开(公告)号：CN111373762B
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN201880075213.7
申请日：2018-11-22
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H04N21/438 , H04N21/458 , H04N21/434 , H04N21/431
摘要： 本公开提供了一种广播接收装置及其控制方法，广播接收装置包括：存储器；接收机；处理器，被配置为：关于广播信号的多个频带执行扫描操作；通过扫描操作，将关于多个频带的服务映射信息存储在存储器中，服务映射信息指定多个频带中的频带内的多个子帧之中的提供信令信息的子帧，信令信息是用于获得与一个信道相对应的广播服务数据的信息；接收选择信道的用户输入；基于所存储的服务映射信息在与所选择的信道相对应的频带内识别第一子帧；基于由第一子帧提供的信令信息，从广播信号获得广播服务数据；以及响应于识别到信令信息不是由第一子帧提供的，通过重新扫描频带，以频带内的第二子帧更新服务映射信息。
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