公开(公告)号：CN101458461A

公开(公告)日：2009-06-17

申请号：CN200810183747.X

申请日：2008-12-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李时镛 ,  金京泽 ,  金贤友 ,  尹东基

IPC: G03F7/26 ,  H01L21/027 ,  H01L21/312 ,  H01L21/3105

CPC classification number: H01L21/0332 ,  H01L21/0276 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32139

Abstract: 本申请公开了一种半导体器件的精细构图方法。为了在集成电路制造期间进行构图，激活图像层而在两个最靠近的激活区域上各形成各自的第一种聚合物链段。在图像层上形成嵌段共聚物层，并且在两个最靠近的激活区域的外边缘之间的图像层的区域上，由嵌段共聚物形成多个第一种聚合物链段以及多个第二和第三种聚合物链段。去除第一、第二和第三种聚合物链段中的至少一种聚合物链段，以形成各种各样的掩模结构。

公开(公告)号：CN101458461B

公开(公告)日：2013-03-27

申请号：CN200810183747.X

申请日：2008-12-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李时镛 ,  金京泽 ,  金贤友 ,  尹东基

IPC: G03F7/26 ,  H01L21/027 ,  H01L21/312 ,  H01L21/3105

CPC classification number: H01L21/0332 ,  H01L21/0276 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32139

Abstract: 本申请公开了一种半导体器件的精细构图方法。为了在集成电路制造期间进行构图，激活图像层而在两个最靠近的激活区域上各形成各自的第一种聚合物链段。在图像层上形成嵌段共聚物层，并且在两个最靠近的激活区域的外边缘之间的图像层的区域上，由嵌段共聚物形成多个第一种聚合物链段以及多个第二和第三种聚合物链段。去除第一、第二和第三种聚合物链段中的至少一种聚合物链段，以形成各种各样的掩模结构。

公开(公告)号：CN101494161B

公开(公告)日：2012-10-10

申请号：CN200810171011.0

申请日：2008-10-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李时镛 ,  金明哲 ,  车知勋 ,  田炅烨 ,  尹东基

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/027 ,  H01L21/31 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明提供了一种精细图案化半导体器件的方法。为了在集成电路制造期间图案化，第一掩模结构的第一图案被形成，缓冲层在第一掩模结构的暴露表面上形成。此外，第二掩模结构的第二图案在第一掩模结构的侧壁处的缓冲层之间的凹陷中形成。而且，第一掩模结构和第二掩模结构通过旋涂各自的高含碳材料形成。该第一掩模结构和第二掩模结构以比传统的光刻更好的节距图案化目标层。

公开(公告)号：CN101494161A

公开(公告)日：2009-07-29

申请号：CN200810171011.0

申请日：2008-10-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李时镛 ,  金明哲 ,  车知勋 ,  田炅烨 ,  尹东基

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/027 ,  H01L21/31 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明提供了一种精细图案化半导体器件的方法。为了在集成电路制造期间图案化，第一掩模结构的第一图案被形成，缓冲层在第一掩模结构的暴露表面上形成。此外，第二掩模结构的第二图案在第一掩模结构的侧壁处的缓冲层之间的凹陷中形成。而且，第一掩模结构和第二掩模结构通过旋涂各自的高含碳材料形成。该第一掩模结构和第二掩模结构以比传统的光刻更好的节距图案化目标层。