公开(公告)号：CN109727979B

公开(公告)日：2024-03-29

申请号：CN201811260335.1

申请日：2018-10-26

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 洪世基 ,  金柱然 ,  金辰昱 ,  尹泰应 ,  河泰元 ,  徐正埙 ,  尹涩琪

IPC分类号： H01L27/088 ,  H01L29/423

摘要： 一种半导体器件包括：基板，所述基板具有其间具有场绝缘层的第一有源区和第二有源区，所述场绝缘层接触所述第一有源区和所述第二有源区；以及栅电极，所述栅电极在所述基板上并且横贯所述第一有源区、所述第二有源区和所述场绝缘层。所述栅电极包括在所述第一有源区上方的第一部分、在所述第二有源区上方的第二部分和与第一部分和第二部分接触的第三部分。栅电极包括分别在第一部分、第二部分和第三部分中具有第一厚度、第二厚度和第三厚度的上栅电极，其中，第三厚度大于第一厚度并且小于第二厚度。

公开(公告)号：CN109727979A

公开(公告)日：2019-05-07

申请号：CN201811260335.1

申请日：2018-10-26

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 洪世基 ,  金柱然 ,  金辰昱 ,  尹泰应 ,  河泰元 ,  徐正埙 ,  尹涩琪

IPC分类号： H01L27/088 ,  H01L29/423

摘要： 一种半导体器件包括：基板，所述基板具有其间具有场绝缘层的第一有源区和第二有源区，所述场绝缘层接触所述第一有源区和所述第二有源区；以及栅电极，所述栅电极在所述基板上并且横贯所述第一有源区、所述第二有源区和所述场绝缘层。所述栅电极包括在所述第一有源区上方的第一部分、在所述第二有源区上方的第二部分和与第一部分和第二部分接触的第三部分。栅电极包括分别在第一部分、第二部分和第三部分中具有第一厚度、第二厚度和第三厚度的上栅电极，其中，第三厚度大于第一厚度并且小于第二厚度。