公开(公告)号：CN101404180A

公开(公告)日：2009-04-08

申请号：CN200810213021.6

申请日：2008-08-20

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 李太熙 ,  金元柱 ,  朴允童 ,  具俊谟 ,  金锡必 ,  尹泰应

IPC分类号： G11C16/02 ,  G11C16/26

CPC分类号： G11C16/0483 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11568

摘要： 本发明提供一种非易失性存储装置及其操作方法。所述非易失性存储装置可包括：一条或多条主串，每条主串可包括第一和第二子串，第一和第二子串可分别包括多个存储单元晶体管；电荷供应线，可被构造为向每条主串的第一和第二子串提供电荷或阻止电荷达到每条主串的第一和第二子串。其中，每条主串可包括：第一地选择晶体管，可连接到第一子串；第一子串选择晶体管，可连接到第一地选择晶体管；第二地选择晶体管，可连接到第二子串；第二子串选择晶体管，可连接到第二地选择晶体管。

公开(公告)号：CN106057804B

公开(公告)日：2022-02-01

申请号：CN201610228052.3

申请日：2016-04-13

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 吕京奂 ,  朴省昱 ,  李承宰 ,  崔道永 ,  朴善钦 ,  尹泰应 ,  车东镐 ,  陈瑞宜

IPC分类号： H01L27/088 ,  H01L29/06

摘要： 本公开涉及一种半导体器件。该半导体器件包括衬底、衬底上的有源图案、与有源图案交叉的栅电极和栅电极上的封盖结构。封盖结构包括顺序层叠在栅电极上的第一封盖图案和第二封盖图案。第二封盖图案完全覆盖第一封盖图案的顶表面，第二封盖图案的介电常数大于第一封盖图案的介电常数。

公开(公告)号：CN101626023A

公开(公告)日：2010-01-13

申请号：CN200910140052.8

申请日：2009-07-10

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 金锡必 ,  朴允童 ,  具俊谟 ,  尹泰应

IPC分类号： H01L27/115 ,  H01L29/423 ,  H01L21/8247

CPC分类号： H01L27/11556 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11551 ,  H01L27/11578

摘要： 本发明提供了一种非易失性存储器及其制造方法，该非易失性存储器包括：第一半导体层，沿第一方向延伸；第二半导体层，平行于第一半导体层延伸并与第一半导体层分隔开；隔离层，在第一半导体层与第二半导体层之间；第一控制栅极电极，在第一半导体层与隔离层之间；第二控制栅极电极，在第二半导体层与隔离层之间，其中第二控制栅极电极和第一控制栅极电极分别设置在隔离层的相反侧；第一电荷存储层，在第一控制栅极电极与第一半导体层之间；以及第二电荷存储层，在第二控制栅极电极与第二半导体层之间。

公开(公告)号：CN102820299A

公开(公告)日：2012-12-12

申请号：CN201210186853.X

申请日：2012-06-07

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 李宰圭 ,  徐基晳 ,  尹泰应

IPC分类号： H01L27/10 ,  H01L27/102 ,  H01L27/24

CPC分类号： H01L45/1691 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2463 ,  H01L27/2481 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1273 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144 ,  H01L45/148 ,  H01L45/1641

摘要： 本发明提供一种存储器件。所述存储器件包括：在半导体基板中的下互连，所述下互连由不同于半导体基板的材料制成；在下互连上的选择元件；以及在选择元件上的存储元件。

公开(公告)号：CN101615656A

公开(公告)日：2009-12-30

申请号：CN200910136928.1

申请日：2009-04-28

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 具俊谟 ,  金锡必 ,  尹泰应

IPC分类号： H01L45/00 ,  H01L27/24 ,  H01L21/82

CPC分类号： H01L27/1021 ,  H01L27/101 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/249 ,  H01L45/04 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1226 ,  H01L45/144 ,  H01L45/146

摘要： 本发明提供了一种非易失性存储装置及其制造方法。所述非易失性存储装置可以以堆叠的结构延伸，因此可以高度集成。所述非易失性存储装置包括：至少一个第一电极；至少一个第二电极，与所述至少一个第一电极交叉；至少一个数据存储层，设置在所述至少一个第一电极和所述至少一个第二电极之间，并在所述至少一个第一电极与所述至少一个第二电极交叉的区域处；至少一个金属硅化物层，设置在所述至少一个第一电极和所述至少一个第二电极之间，并在所述至少一个第一电极和所述至少一个第二电极交叉的区域处。

公开(公告)号：CN109727979B

公开(公告)日：2024-03-29

申请号：CN201811260335.1

申请日：2018-10-26

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 洪世基 ,  金柱然 ,  金辰昱 ,  尹泰应 ,  河泰元 ,  徐正埙 ,  尹涩琪

IPC分类号： H01L27/088 ,  H01L29/423

摘要： 一种半导体器件包括：基板，所述基板具有其间具有场绝缘层的第一有源区和第二有源区，所述场绝缘层接触所述第一有源区和所述第二有源区；以及栅电极，所述栅电极在所述基板上并且横贯所述第一有源区、所述第二有源区和所述场绝缘层。所述栅电极包括在所述第一有源区上方的第一部分、在所述第二有源区上方的第二部分和与第一部分和第二部分接触的第三部分。栅电极包括分别在第一部分、第二部分和第三部分中具有第一厚度、第二厚度和第三厚度的上栅电极，其中，第三厚度大于第一厚度并且小于第二厚度。

公开(公告)号：CN106057804A

公开(公告)日：2016-10-26

申请号：CN201610228052.3

申请日：2016-04-13

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 吕京奂 ,  朴省昱 ,  李承宰 ,  崔道永 ,  朴善钦 ,  尹泰应 ,  车东镐 ,  陈瑞宜

IPC分类号： H01L27/088 ,  H01L29/06

CPC分类号： H01L29/408 ,  H01L27/1104 ,  H01L29/41791 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/785 ,  H01L27/0886 ,  H01L29/0649

摘要： 本公开涉及一种半导体器件。该半导体器件包括衬底、衬底上的有源图案、与有源图案交叉的栅电极和栅电极上的封盖结构。封盖结构包括顺序层叠在栅电极上的第一封盖图案和第二封盖图案。第二封盖图案完全覆盖第一封盖图案的顶表面，第二封盖图案的介电常数大于第一封盖图案的介电常数。

公开(公告)号：CN109727979A

公开(公告)日：2019-05-07

申请号：CN201811260335.1

申请日：2018-10-26

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 洪世基 ,  金柱然 ,  金辰昱 ,  尹泰应 ,  河泰元 ,  徐正埙 ,  尹涩琪

IPC分类号： H01L27/088 ,  H01L29/423

摘要： 一种半导体器件包括：基板，所述基板具有其间具有场绝缘层的第一有源区和第二有源区，所述场绝缘层接触所述第一有源区和所述第二有源区；以及栅电极，所述栅电极在所述基板上并且横贯所述第一有源区、所述第二有源区和所述场绝缘层。所述栅电极包括在所述第一有源区上方的第一部分、在所述第二有源区上方的第二部分和与第一部分和第二部分接触的第三部分。栅电极包括分别在第一部分、第二部分和第三部分中具有第一厚度、第二厚度和第三厚度的上栅电极，其中，第三厚度大于第一厚度并且小于第二厚度。

公开(公告)号：CN101677108A

公开(公告)日：2010-03-24

申请号：CN200910176281.5

申请日：2009-09-21

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 金锡必 ,  具俊谟 ,  尹泰应

IPC分类号： H01L27/24 ,  H01L45/00 ,  G11C7/10 ,  G06K19/07 ,  G06F13/38

CPC分类号： H01L45/04 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/249 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1226 ,  H01L45/144 ,  H01L45/146

摘要： 本发明提供了一种具有容易高度地集成的堆叠结构的非易失性存储装置以及经济地制造该非易失性存储装置的方法。所述非易失性存储装置可以包括彼此交叉的至少一个第一电极和至少一个第二电极。至少一个数据存储层可以设置在所述至少一个第一电极与所述至少一个第二电极彼此交叉的区域。所述至少一个第一电极可以包括第一导电层和第一半导体层。