公开(公告)号：CN118547287A

公开(公告)日：2024-08-27

申请号：CN202410201168.2

申请日：2024-02-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜炳俊 ,  金圣玟 ,  成旼哉 ,  宋佳荣 ,  吴政玟 ,  李晓山 ,  崔炳基 ,  咸喆 ,  黄圭荣

IPC: C23F1/26 ,  H01L21/3213 ,  C23F1/44 ,  C09K13/06 ,  C09K13/08

Abstract: 提供用于含钛层的蚀刻组合物、通过使用所述蚀刻组合物蚀刻含钛层的方法和通过使用所述蚀刻组合物制造半导体器件的方法，所述蚀刻组合物包括氧化剂、无机酸、和选择性蚀刻抑制剂，其中所述无机酸包括基于磷的无机酸、基于氯的无机酸、基于氟的无机酸、或其任意组合，并且所述选择性蚀刻抑制剂包括具有含氮重复单元的聚合物。

公开(公告)号：CN116904990A

公开(公告)日：2023-10-20

申请号：CN202310178446.2

申请日：2023-02-28

Applicant: 东友精细化工有限公司 ,  三星电子株式会社

Inventor： 金志原 ,  鲁珍圭 ,  尹嚆重 ,  朴汉雨 ,  成旼哉 ,  金秀珍 ,  吴政玟 ,  裵相元

IPC: C23F1/14 ,  H01L27/12 ,  H01L21/77

Abstract: 本发明涉及一种含有高碘酸和铵离子且具有6至7.5的pH值的钌蚀刻液组合物、一种包括使用该蚀刻液组合物来蚀刻钌金属膜的图案形成方法、一种包括该图案形成方法的制造用于显示装置的阵列基板的方法、以及一种根据该制造方法制造的用于显示装置的阵列基板。