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    半导体器件
    1.
    发明公开
    半导体器件 审中-公开

    公开(公告)号：CN116782637A

    公开(公告)日：2023-09-19

    申请号：CN202310212812.1

    申请日：2023-03-06

    申请人： 三星电子株式会社

    发明人： 任遂彬 ,  金仁洙 ,  孟瑞贤 ,  朴基钟 ,  朴壬洙 ,  李基硕

    IPC分类号： H10B12/00

    摘要： 一种半导体器件可以包括：衬底上的第一柱状绝缘图案，沿竖直方向延伸，在第一方向上间隔开并排列成行；衬底上的第二柱状绝缘图案，沿竖直方向延伸，在第一方向上间隔开并排列成行，第二柱状绝缘图案和第一柱状绝缘图案在与第一方向垂直的第二方向上彼此重叠；堆叠在衬底上以在竖直方向上间隔开的硅图案，沿第二方向延伸并位于两个第一柱状绝缘图案之间和两个第二柱状绝缘图案之间；每个硅图案的上表面和下表面中的每个表面上的字线，沿第一方向延伸，接触第一柱状绝缘图案和/或第二柱状绝缘图案中的至少一个的侧壁；接触硅图案中的至少第一硅图案的第一侧壁的位线，沿竖直方向延伸；及接触第一硅图案的第二侧壁的电容器，沿水平方向设置。

    包括扩大的接触孔的半导体器件及其形成方法
    3.
    发明授权
    包括扩大的接触孔的半导体器件及其形成方法 有权

    公开(公告)号：CN108933135B

    公开(公告)日：2023-06-30

    申请号：CN201810157217.1

    申请日：2018-02-24

    申请人： 三星电子株式会社

    发明人： 孙允镐 ,  申材旭 ,  高镛璇 ,  朴壬洙 ,  郑盛允

    IPC分类号： H10B12/00 ,  H01L21/768

    摘要： 本发明提供包括扩大的接触孔的半导体器件及其形成方法。该方法可以包括形成第一线图案和第二线图案。第一线图案具有面向第二线图案的第一侧，并且第二线图案具有面向第一线图案的第二侧。该方法还可以包括在第一线图案的第一侧形成第一间隔件结构，以及在第二线图案的第二侧形成第二间隔件结构。第一间隔件结构和第二间隔件结构可以限定开口。该方法可以进一步包括：在所述开口的下部中形成第一导体；通过蚀刻第一间隔件结构的上部和第二间隔件结构的上部，形成扩展开口；并且在扩展开口中形成第二导体。该扩展开口的宽度可以大于所述开口的下部的宽度。

    包括扩大的接触孔的半导体器件及其形成方法
    4.
    发明公开
    包括扩大的接触孔的半导体器件及其形成方法 审中-实审

    公开(公告)号：CN108933135A

    公开(公告)日：2018-12-04

    申请号：CN201810157217.1

    申请日：2018-02-24

    申请人： 三星电子株式会社

    发明人： 孙允镐 ,  申材旭 ,  高镛璇 ,  朴壬洙 ,  郑盛允

    IPC分类号： H01L27/108 ,  H01L21/768

    摘要： 本发明提供包括扩大的接触孔的半导体器件及其形成方法。该方法可以包括形成第一线图案和第二线图案。第一线图案具有面向第二线图案的第一侧，并且第二线图案具有面向第一线图案的第二侧。该方法还可以包括在第一线图案的第一侧形成第一间隔件结构，以及在第二线图案的第二侧形成第二间隔件结构。第一间隔件结构和第二间隔件结构可以限定开口。该方法可以进一步包括：在所述开口的下部中形成第一导体；通过蚀刻第一间隔件结构的上部和第二间隔件结构的上部，形成扩展开口；并且在扩展开口中形成第二导体。该扩展开口的宽度可以大于所述开口的下部的宽度。