公开(公告)号：CN115565909A

公开(公告)日：2023-01-03

申请号：CN202210732148.9

申请日：2022-06-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴相真 ,  郑志薰 ,  金伶厚 ,  李根泽

IPC: H01L21/67

Abstract: 一种用于干燥晶片的装置，包括：干燥室；超临界流体供应模块，被配置为向干燥室供应超临界流体；主排放管线，连接到干燥室并且安装有主阀；以及辅助排放单元，连接到主排放管线。辅助排放单元包括：辅助排放管线，连接到主排放管线，并且被配置为当主阀关闭时将超临界流体从干燥室排放；负压罐，安装在辅助排放管线中；第一阀，安装在辅助排放管线中，该第一阀被配置为当主阀关闭时打开；以及第二阀，安装在辅助排放管线中，该第二阀被配置为与第一阀一起打开。

公开(公告)号：CN110120358A

公开(公告)日：2019-08-13

申请号：CN201910034834.7

申请日：2019-01-15

Applicant: 三星电子株式会社 ,  细美事有限公司

Inventor： 朴美贤 ,  吴政玟 ,  金伶厚 ,  李晓山 ,  金兑根 ,  延蕊林 ,  吴海琳 ,  郑址洙 ,  赵旼熙

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/02

Abstract: 公开了清洁组合物、清洁装置和制造半导体器件的方法，清洁组合物包括：表面活性剂；去离子水；以及有机溶剂，其中，表面活性剂以约0.28M至约0.39M的浓度或约0.01至约0.017的摩尔分数包括在清洁组合物中，其中，有机溶剂以约7.1M至约7.5M的浓度或约0.27至约0.35的摩尔分数包括在清洁组合物中。

公开(公告)号：CN109148328A

公开(公告)日：2019-01-04

申请号：CN201810631977.1

申请日：2018-06-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵庸真 ,  金伶厚 ,  郑志薰 ,  金荣俊 ,  吴政玟 ,  李根泽 ,  李晓山

IPC: H01L21/67

CPC classification number: H01L21/67034 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/67126 ,  H01L21/67178 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67201

Abstract: 公开了工艺腔以及包括该工艺腔的衬底处理装置。工艺腔包括第一壳体和在第一壳体上的第二壳体。第一壳体包括第一外壁、面对第一外壁的第一分隔壁以及连接第一外壁和第一分隔壁的第一侧壁。第二壳体包括第二外壁、在第二外壁和第一分隔壁之间的第二分隔壁以及连接第二外壁和第二分隔壁的第二侧壁。第一外壁和第二外壁中的每个具有比第一分隔壁的厚度和第二分隔壁的厚度大的厚度。

公开(公告)号：CN109037094B

公开(公告)日：2023-07-25

申请号：CN201810022556.9

申请日：2018-01-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金伶厚 ,  朴相真 ,  赵庸真 ,  吉娟真 ,  郑志薰 ,  赵炳权 ,  高镛璿 ,  李根泽

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/02

Abstract: 一种基板处理装置包括：容器，其提供用于处理基板的处理空间；基板支撑部，其支撑装载在处理空间中的基板；以及屏障，其在容器的侧壁与基板支撑部之间并围绕由基板支撑部支撑的基板的边缘。

公开(公告)号：CN110176408A

公开(公告)日：2019-08-27

申请号：CN201811300516.2

申请日：2018-11-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金伶厚 ,  朴晟见 ,  卢炫佑 ,  车知勳 ,  崔溶俊

IPC: H01L21/67 ,  B01D35/02 ,  B01D35/16

Abstract: 提供了液体化学回收系统、液体化学供应系统和制造半导体装置的方法。液体化学回收系统包括：缓冲槽，从外部接收第一液体化学品；真空槽，具有连接至此的真空泵并使用真空泵从缓冲槽接收第一液体化学品；以及回收槽，从真空槽接收第一液体化学品并向外部提供作为回收的第一液体化学品的第二液体化学品，其中，缓冲槽包括提供第一液体化学品的第一注入部分以及将第一液体化学品提供到真空槽的第一供应部分，并且缓冲槽的底部朝向第一供应部分向下倾斜，以防止包含在第一液体化学品中的物质积累在缓冲槽中。

公开(公告)号：CN102117698A

公开(公告)日：2011-07-06

申请号：CN201010605685.4

申请日：2010-12-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 康大赫 ,  尹普彦 ,  李根泽 ,  沈雨宽 ,  车知勋 ,  朴壬洙 ,  李晓山 ,  金伶厚 ,  吴政玟

IPC: H01G4/00 ,  H01G4/002 ,  H01G4/005 ,  H01G4/06 ,  H01L21/8242

CPC classification number: H01L28/91 ,  H01L27/10817 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/87

Abstract: 本发明公开形成电容器及动态随机存取存储器器件的方法。在电容器的形成方法中，包括第一绝缘材料的第一模层图案可以形成在衬底上。第一模层图案可以具有沟槽。包括第二绝缘材料的支撑层可以形成在沟槽中。第二绝缘材料可以相对于第一绝缘材料具有蚀刻选择性。第二模层可以形成在第一模层图案和支撑层图案上。下电极可以形成为穿过第二模层和第一模层图案。下电极可以接触支撑层图案的侧壁。可以去除第一模层图案和第二模层。电介质层和上电极可以形成在下电极和支撑层图案上。

公开(公告)号：CN101577226A

公开(公告)日：2009-11-11

申请号：CN200910137129.6

申请日：2009-05-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 康大赫 ,  金伶厚 ,  洪昌基 ,  李根泽 ,  李在东 ,  严大弘 ,  韩政男

IPC: H01L21/283 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234

CPC classification number: H01L21/76843 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76855 ,  H01L23/485 ,  H01L27/24 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了一种形成接触结构的方法及制造半导体器件的方法。绝缘层可以形成在具有接触区的目标体上。绝缘层可以被部分蚀刻以形成暴露接触区的开口。包括硅和氧的材料层可以形成在暴露的接触区上。金属层可以形成在包括硅和氧的材料层上。包括硅和氧的材料层可以与金属层反应从而至少在接触区上形成金属氧硅化物层。导电层可以形成在金属氧硅化物层以填充开口。

公开(公告)号：CN110120358B

公开(公告)日：2024-12-13

申请号：CN201910034834.7

申请日：2019-01-15

Applicant: 三星电子株式会社 ,  细美事有限公司

Inventor： 朴美贤 ,  吴政玟 ,  金伶厚 ,  李晓山 ,  金兑根 ,  延蕊林 ,  吴海琳 ,  郑址洙 ,  赵旼熙

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/02

Abstract: 公开了清洁组合物、清洁装置和制造半导体器件的方法，清洁组合物包括：表面活性剂；去离子水；以及有机溶剂，其中，表面活性剂以约0.28M至约0.39M的浓度或约0.01至约0.017的摩尔分数包括在清洁组合物中，其中，有机溶剂以约7.1M至约7.5M的浓度或约0.27至约0.35的摩尔分数包括在清洁组合物中。

公开(公告)号：CN109148328B

公开(公告)日：2024-02-06

申请号：CN201810631977.1

申请日：2018-06-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵庸真 ,  金伶厚 ,  郑志薰 ,  金荣俊 ,  吴政玟 ,  李根泽 ,  李晓山

IPC: H01L21/67

Abstract: 公开了工艺腔以及包括该工艺腔的衬底处理装置。工艺腔包括第一壳体和在第一壳体上的第二壳体。第一壳体包括第一外壁、面对第一外壁的第一分隔壁以及连接第一外壁和第一分隔壁的第一侧壁。第二壳体包括第二外壁、在第二外壁和第一分隔壁之间的第二分隔壁以及连接第二外壁和第二分隔壁的第二侧壁。第一外壁和第二外壁中的每个具有比第一分隔壁的厚度和第二分隔壁的厚度大的厚度。

公开(公告)号：CN115206828A

公开(公告)日：2022-10-18

申请号：CN202111536747.5

申请日：2021-12-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴相真 ,  金英泰 ,  郑志薰 ,  金伶厚

IPC: H01L21/67

Abstract: 提供了一种流体供应设备，该流体供应设备被配置为向包括腔室的晶片处理设备供应处理流体。该流体供应设备包括：储存器，被配置为将处理流体改变为超临界流体状态；晶片保护设备，被配置为通过接收处于超临界流体状态的处理流体并限制处理流体的速度来防止处于晶片处理设备的腔室中的晶片被处于超临界流体状态的处理流体损坏；以及流体供应管线，被配置为提供储存器和晶片保护设备之间的处理流体的路径以及晶片保护设备和晶片处理设备之间的处理流体的路径。