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公开(公告)号：CN108257893B
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN201711470648.5
申请日：2017-12-29
IPC分类号： H01L21/67
摘要： 一种基板处理装置，包括：腔室，提供处理基板的空间；第一基板支撑件，在腔室内并且构造为当基板装载到腔室中时支撑基板；第二基板支撑件，在腔室内并且构造为以比第一基板支撑件支撑基板的高度更大的高度支撑基板；第一供应端口，超临界流体通过第一供应端口被供应到腔室空间的在基板下方的第一空间；第二供应端口，超临界流体通过第二供应端口被供应到腔室空间的在基板上方的第二空间；以及排放端口，超临界流体通过排放端口从腔室排出。
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公开(公告)号：CN100454549C
公开(公告)日：2009-01-21
申请号：CN200410057456.8
申请日：2004-08-12
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01L27/108 , H01L29/00 , H01L21/82 , H01L21/8242
CPC分类号： H01L28/91 , H01L27/10852 , Y10S438/978
摘要： 在一个实施例中，半导体器件包括基底和在该基底上形成的倾斜壁。该壁具有中线以及内侧壁和外侧壁。内侧壁和外侧壁相对于该中线互相基本对称。因此，可以提高半导体电容器结构的可靠性，而且可以提高生产能力。此外，利用本发明原理，有助于进一步缩小半导体器件。
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公开(公告)号：CN101236931A
公开(公告)日：2008-08-06
申请号：CN200810008637.X
申请日：2008-02-01
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01L21/8247 , H01L21/336 , H01L21/311
CPC分类号： H01L21/28282 , H01L29/4234 , H01L29/513 , H01L29/792
摘要： 提出了非易失性存储装置的制造方法，包括在具有沟道区的衬底上顺序地形成隧道绝缘层、电荷俘获层、阻挡层和导电层。对导电层进行构图以形成字线结构，以及使用酸的水溶液作为刻蚀溶液对阻挡层和电荷俘获层进行刻蚀，以形成阻挡层图案和电荷俘获层图案。
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公开(公告)号：CN102117698A
公开(公告)日：2011-07-06
申请号：CN201010605685.4
申请日：2010-12-24
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01G4/00 , H01G4/002 , H01G4/005 , H01G4/06 , H01L21/8242
CPC分类号： H01L28/91 , H01L27/10817 , H01L27/10852 , H01L28/87
摘要： 本发明公开形成电容器及动态随机存取存储器器件的方法。在电容器的形成方法中，包括第一绝缘材料的第一模层图案可以形成在衬底上。第一模层图案可以具有沟槽。包括第二绝缘材料的支撑层可以形成在沟槽中。第二绝缘材料可以相对于第一绝缘材料具有蚀刻选择性。第二模层可以形成在第一模层图案和支撑层图案上。下电极可以形成为穿过第二模层和第一模层图案。下电极可以接触支撑层图案的侧壁。可以去除第一模层图案和第二模层。电介质层和上电极可以形成在下电极和支撑层图案上。
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公开(公告)号：CN101024882B
公开(公告)日：2010-05-26
申请号：CN200610064332.1
申请日：2006-12-30
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： C23F1/24 , H01L21/306
CPC分类号： C11D11/0047 , C11D7/02 , C11D7/08 , C11D7/10 , C11D7/265 , H01L21/02057 , H01L21/02063
摘要： 提供了一种用于硅表面的清洁溶液，所述清洁溶液含有缓冲溶液，该缓冲溶液包括醋酸(CH3COOH)和醋酸铵(CH3COONH4)、碘氧化剂、氢氟酸(HF)和水；其中，氢氟酸的含量为0.01wt％至2wt％，包括0.01和2；醋酸的含量为0.01wt％至30wt％，包括0.01和30；醋酸铵的含量为0.01wt％至30wt％，包括0.01和30；碘氧化剂的含量为0.01wt％至2wt％，包括0.01和2；以及，水的含量为90wt％或更少。在用于制造半导体器件的方法中，硅基片可具有被暴露的硅表面，可以使用含有缓冲溶液的清洁溶液来清洁该暴露的硅表面，该缓冲溶液包括醋酸、醋酸铵、碘氧化剂、氢氟酸和水。
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公开(公告)号：CN101024882A
公开(公告)日：2007-08-29
申请号：CN200610064332.1
申请日：2006-12-30
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： C23F1/24 , H01L21/306
CPC分类号： C11D11/0047 , C11D7/02 , C11D7/08 , C11D7/10 , C11D7/265 , H01L21/02057 , H01L21/02063
摘要： 提供了一种用于硅表面的清洁溶液，所述清洁溶液含有缓冲溶液，该缓冲溶液包括醋酸(CH3COOH)和醋酸铵(CH3COONH4)、碘氧化剂、氢氟酸(HF)和水。在用于制造半导体器件的方法中，硅基片可具有被暴露的硅表面，可以使用含有缓冲溶液的清洁溶液来清洁该暴露的硅表面，该缓冲溶液包括醋酸、醋酸铵、碘氧化剂、氢氟酸和水。
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公开(公告)号：CN1949482A
公开(公告)日：2007-04-18
申请号：CN200610132163.0
申请日：2006-10-12
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01L21/8242
CPC分类号： H01L28/90 , H01L21/0334 , H01L21/31144 , H01L27/10852
摘要： 一方面，提出了一种制造半导体存储器器件的方法，包括：在半导体衬底的第一部分和第二部分上面形成模具绝缘膜，其中模具绝缘膜包括在半导体衬底的第一部分上面彼此间隔的多个存储节点电极孔。该方法还包括：在存储节点电极孔的内表面上分别形成多个存储节点电极，以及形成覆盖膜，所述覆盖膜覆盖位于半导体衬底的第一部分上面的存储节点电极和模具绝缘膜的第一部分，但暴露出位于半导体衬底的第二部分上面的模具绝缘膜的第二部分。该方法还包括：至少利用湿法刻蚀，选择性地除去模具绝缘膜以暴露出由覆盖膜所覆盖的存储节点电极中的至少一个存储节点电极的侧壁，以及通过干法刻蚀除去覆盖膜以暴露出存储节点电极的上部。
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公开(公告)号：CN108257893A
公开(公告)日：2018-07-06
申请号：CN201711470648.5
申请日：2017-12-29
IPC分类号： H01L21/67
CPC分类号： H01L21/02101 , B08B3/08 , B08B7/0021 , B08B2203/007 , H01L21/67017 , H01L21/67034 , H01L21/67103 , H01L21/6719 , H01L21/67248 , H01L21/67253 , H01L21/68742 , H01L21/6875 , H01L21/67207
摘要： 一种基板处理装置，包括：腔室，提供处理基板的空间；第一基板支撑件，在腔室内并且构造为当基板装载到腔室中时支撑基板；第二基板支撑件，在腔室内并且构造为以比第一基板支撑件支撑基板的高度更大的高度支撑基板；第一供应端口，超临界流体通过第一供应端口被供应到腔室空间的在基板下方的第一空间；第二供应端口，超临界流体通过第二供应端口被供应到腔室空间的在基板上方的第二空间；以及排放端口，超临界流体通过排放端口从腔室排出。
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公开(公告)号：CN102117698B
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN201010605685.4
申请日：2010-12-24
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01G4/00 , H01G4/002 , H01G4/005 , H01G4/06 , H01L21/8242
CPC分类号： H01L28/91 , H01L27/10817 , H01L27/10852 , H01L28/87
摘要： 本发明公开形成电容器及动态随机存取存储器器件的方法。在电容器的形成方法中，包括第一绝缘材料的第一模层图案可以形成在衬底上。第一模层图案可以具有沟槽。包括第二绝缘材料的支撑层可以形成在沟槽中。第二绝缘材料可以相对于第一绝缘材料具有蚀刻选择性。第二模层可以形成在第一模层图案和支撑层图案上。下电极可以形成为穿过第二模层和第一模层图案。下电极可以接触支撑层图案的侧壁。可以去除第一模层图案和第二模层。电介质层和上电极可以形成在下电极和支撑层图案上。
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