存储器装置、包括存储器装置的存储器系统及其操作方法

    公开(公告)号:CN113050883A

    公开(公告)日:2021-06-29

    申请号:CN202011124698.X

    申请日:2020-10-20

    Inventor: 朴龙相

    Abstract: 提供了存储器装置、包括存储器装置的存储器系统及其操作方法。所述存储器装置包括:模式寄存器组,被配置为存储第一修复模式、第二修复模式和第二修复关闭模式;以及修复控制电路,被配置为在所述第一修复模式下执行用于将与缺陷地址对应的第一字线永久修复为第一冗余字线的第一修复操作,在所述第二修复模式下执行用于将与所述缺陷地址对应的所述第一字线暂时修复为第二冗余字线的第二修复操作,并且在所述第二修复关闭模式下关闭被配置为执行所述第二修复操作的修复逻辑以在所述第二修复操作之后访问旧数据。

    半导体装置
    4.
    发明公开
    半导体装置 审中-公开

    公开(公告)号:CN111063681A

    公开(公告)日:2020-04-24

    申请号:CN201910986928.4

    申请日:2019-10-17

    Inventor: 朴龙相 边铉一

    Abstract: 半导体装置包括:基底衬底,其包括第一区域和第二区域;光子装置,其设置在第一区域中,该光子装置包括设置在基底衬底上的第一掺杂层以及设置在第一掺杂层上以与第一掺杂层至少部分地竖直地重叠的第二掺杂层,第二掺杂层具有第一竖直厚度;以及晶体管,其设置在第二区域中,该晶体管包括设置在基底衬底上并且与第一掺杂层水平间隔开的半导体层以及与第二掺杂层水平间隔开并且设置在半导体层上的栅电极,栅电极设置在与第二掺杂层的竖直水平相同的竖直水平处并且具有等于第一竖直厚度的第二竖直厚度。

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