公开(公告)号：CN115831697A

公开(公告)日：2023-03-21

申请号：CN202211025582.X

申请日：2022-08-25

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 黄贤洙 ,  具秀炫 ,  权俊润 ,  宋乺智 ,  吴东俊 ,  李忠善

IPC分类号： H01J37/32 ,  H01L21/67 ,  H01L21/3065

摘要： 提供了一种干蚀刻装置、使用其的晶片蚀刻系统和干蚀刻方法。该干蚀刻装置包括：等离子体工艺腔室；边缘环，该边缘环布置在等离子体工艺腔室中并且晶片安装在该边缘环上；遮蔽环，在晶片的等离子体蚀刻工艺期间定位成在边缘环上方以第一垂直距离间隔开；操作单元，联接到遮蔽环并具有升高和降低遮蔽环的升降销；具有多个固定销的固定部分，该多个固定销在不同的位置处与升降销接合以固定遮蔽环的降低点；以及距离控制单元，控制固定部分以确定第一垂直距离，其中第一垂直距离由晶片和边缘环之间的第一水平距离确定。

公开(公告)号：CN114068462A

公开(公告)日：2022-02-18

申请号：CN202110864235.5

申请日：2021-07-29

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 黄贤洙 ,  权俊润 ,  朴点龙 ,  安振镐 ,  吴东俊 ,  李忠善 ,  崔朱逸

IPC分类号： H01L23/488 ,  H01L23/498 ,  H01L21/48 ,  H01L21/50

摘要： 公开了半导体封装件及其制造方法。半导体封装件包括重分布衬底，其包括电介质层中的重分布线图案；以及半导体芯片，其位于重分布衬底上。半导体芯片包括芯片焊盘，其电连接至重分布线图案。重分布线图案中的每一个具有基本上共面的顶表面和非共面的底表面。重分布线图案中的每一个包括中心部分和位于中心部分的相对侧上的边缘部分。重分布线图案中的每一个在中心部分处具有作为最小厚度的第一厚度，并且在边缘部分处作为最大厚度的第二厚度。

公开(公告)号：CN118825056A

公开(公告)日：2024-10-22

申请号：CN202410467940.5

申请日：2024-04-18

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 尹俊浩 ,  权俊润 ,  朴海珉 ,  李光镕 ,  金帝成 ,  赵多莹

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L23/31 ,  H01L21/78 ,  B23K26/38 ,  B23K101/40

摘要： 半导体芯片包括有源层，其在下面的基底衬底的顶表面上。有源层具有：(i)接合表面，在有源层中，接合表面界定底部有源层与在底部有源层上延伸的顶部有源层之间的界面，以及(ii)倒角边缘，其完全延伸穿过顶部有源层以完全暴露其侧壁，但仅部分地穿过底部有源层，使得倒角边缘的竖直高度大于顶部有源层的厚度但小于顶部有源层和底部有源层的组合厚度。还提供保护层，其覆盖有源层的顶表面的至少一部分。倒角边缘的底部的竖直高度可以高于基底衬底的顶表面的竖直高度。

公开(公告)号：CN115881632A

公开(公告)日：2023-03-31

申请号：CN202211097137.4

申请日：2022-09-08

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 权俊润 ,  朴点龙 ,  宋乺智 ,  吴东俊 ,  李忠善 ,  黄贤洙

IPC分类号： H01L21/78

摘要： 一种制造半导体封装件的方法包括：在晶片上形成掩模层，所述晶片包括半导体衬底和绝缘层；通过执行第一激光开槽工艺在所述半导体衬底中形成凹槽；通过执行第二激光开槽工艺来扩展由所述第一激光开槽工艺打开的所述掩模层的开口；通过去除所述掩模层的一部分来暴露所述绝缘层的一部分；以及通过执行切割工艺切割所述半导体衬底，同时去除在所述暴露期间所暴露的所述绝缘层的所述一部分。

公开(公告)号：CN116613124A

公开(公告)日：2023-08-18

申请号：CN202310020818.9

申请日：2023-01-06

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 权俊润 ,  高荣范 ,  金宇柱 ,  南熙载 ,  柳正锡 ,  尹俊浩

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L23/31 ,  H01L23/488 ,  H01L23/485

摘要： 公开了晶片结构和半导体器件。一种半导体器件可以包括衬底和衬底上的单元阵列结构。衬底可以包括器件区域和在平面图中围绕器件区域的虚设区域。单元阵列结构可以包括多个第一介电层、多个栅极结构、竖直沟道结构和虚设图案。竖直沟道结构可以在器件区域上，并且可以穿透多个栅极结构和多个第一介电层。单元阵列结构包括位于衬底的边缘之上的外侧壁和位于单元阵列结构的外侧壁上的凹进部分。虚设图案可以覆盖该凹进部分的侧壁和该凹进部分的底表面。虚设图案和竖直沟道结构可以包括相同的材料。

公开(公告)号：CN115763408A

公开(公告)日：2023-03-07

申请号：CN202210794486.5

申请日：2022-07-07

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 黄贤洙 ,  权俊润 ,  朴点龙 ,  宋乺智 ,  吴东俊 ,  李忠善

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L23/485 ,  H01L21/768 ,  H01L21/60

摘要： 公开了一种晶圆结构和一种半导体装置。该晶圆结构包括半导体基板，其包括芯片区域和划道区域。第一介电层在半导体基板的第一表面上，第二介电层在第一介电层上。介电图案在第一介电层和第二介电层之间。通孔件在半导体基板的芯片区域处穿透半导体基板的第一表面和第二表面，并且导电焊盘在第二介电层中并在通孔件上。介电图案包括在半导体基板的芯片区域上并与导电焊盘的底表面接触的蚀刻停止图案以及在半导体基板的划道区域上的对准键图案。

公开(公告)号：CN115621229A

公开(公告)日：2023-01-17

申请号：CN202210751816.2

申请日：2022-06-28

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 黄贤洙 ,  权俊润 ,  朴点龙 ,  宋乺智 ,  吴东俊 ,  李忠善

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L23/485 ,  H01L21/768 ,  H01L25/18 ,  H10B80/00 ,  H01L23/488 ,  H01L21/60

摘要： 提供了半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括：绝缘层，所述绝缘层位于衬底上；通路，所述通路从衬底内延伸并且延伸穿过所述衬底的一个面和在所述绝缘层中限定的沟槽的底面，使得所述通路的侧壁的一部分和顶面通过所述衬底暴露；以及焊盘，所述焊盘接触所述通路的所述侧壁的被暴露的所述一部分和所述顶面。所述焊盘填充所述沟槽。所述绝缘层包括位于所述衬底上的钝化层和位于所述钝化层上的保护层。在所述钝化层和所述保护层之间不存在蚀刻停止层。所述沟槽的底面的垂直高度高于所述衬底的一个面的垂直高度并且低于所述钝化层的顶面的垂直高度。