公开(公告)号：CN108022872A

公开(公告)日：2018-05-11

申请号：CN201711057851.X

申请日：2017-11-01

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 黄善宽 ,  李镐珍 ,  文光辰 ,  朴炳律 ,  安振镐 ,  李来寅

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L23/48 ,  H01L23/538 ,  H01L25/065

摘要： 本发明公开了一种半导体芯片的插塞结构、其制造方法以及包括其的多芯片封装。该半导体芯片的插塞结构包括：基板；设置在基板上的绝缘夹层；其中绝缘夹层包括设置在其中的焊盘结构；穿过基板和绝缘夹层的通孔，其中通孔暴露焊盘结构；形成在通孔的内表面上的绝缘图案，其中绝缘图案包括掩埋部分，掩埋部分填充在通孔的内表面处在基板中设置的凹口；以及形成在通孔内在绝缘图案上的插塞，其中插塞与焊盘结构电连接。

公开(公告)号：CN107946197A

公开(公告)日：2018-04-20

申请号：CN201710946013.1

申请日：2017-10-11

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 皮在贤 ,  李镐珍 ,  金泰成 ,  文光辰 ,  安振镐 ,  李来寅

IPC分类号： H01L21/48 ,  H01L21/50

摘要： 一种制造半导体封装的方法包括：在插片基板的第一表面上形成光致抗蚀剂图案。所述插片基板包括电极区和划线区。使用光致抗蚀剂图案作为掩模来刻蚀插片基板，以形成分别在电极区和划线区上的第一开口和第二开口。绝缘层和导电层形成于插片基板的第一表面上。第二开口的宽度小于第一开口的宽度。绝缘层接触插片基板的第一表面、第一开口的内表面和第二开口的内表面中的每一个。

公开(公告)号：CN114068473A

公开(公告)日：2022-02-18

申请号：CN202110846183.9

申请日：2021-07-26

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 崔朱逸 ,  朴点龙 ,  安振镐 ,  吴东俊 ,  李忠善 ,  秦正起 ,  千镇豪

IPC分类号： H01L23/498 ,  H01L25/18

摘要： 一种半导体封装件，包括：再分布基板，其包括位于彼此不同水平高度的第一再分布图案和第二再分布图案；以及半导体芯片，其位于该再分布基板上并包括电连接到该第一再分布图案和该第二再分布图案的多个芯片焊盘。该第一再分布图案包括位于第一介电层上的第一金属图案，以及位于该第一介电层与该第一金属图案的底表面之间的第一阻挡图案。该第二再分布图案包括在第二介电层中的第二金属图案，以及位于该第二介电层与该第二金属图案的底表面之间以及该第二介电层与该第二金属图案的侧壁之间的第二阻挡图案。

公开(公告)号：CN112530883A

公开(公告)日：2021-03-19

申请号：CN202010748784.1

申请日：2020-07-30

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 千镇豪 ,  安振镐 ,  郑泰和 ,  秦正起 ,  崔朱逸 ,  藤崎纯史

IPC分类号： H01L23/31 ,  H01L23/498

摘要： 提供了半导体封装，其包括再分布基板和安装在再分布基板上的半导体芯片。再分布基板可以包括下保护层、设置在下保护层上的第一导电图案、围绕第一导电图案并设置在下保护层上的第一绝缘层、以及设置在第一绝缘层上的第二绝缘层。第一绝缘层可以包括第一上表面，第一上表面包括平行于下保护层的上表面延伸的第一平坦部分、以及面对下保护层并与第一导电图案接触的第一凹陷。第一凹陷可以直接连接到第一导电图案。

公开(公告)号：CN112133689A

公开(公告)日：2020-12-25

申请号：CN202010218402.4

申请日：2020-03-25

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 崔朱逸 ,  姜芸炳 ,  安振镐 ,  李种昊 ,  秦正起 ,  藤崎纯史

IPC分类号： H01L23/498

摘要： 提供了半导体装置。半导体装置包括绝缘层和在绝缘层中的导电元件。半导体装置包括与导电元件的表面和绝缘层的表面接触的第一阻挡图案。半导体装置包括在第一阻挡图案上的第二阻挡图案。此外，半导体装置包括在第二阻挡图案上的金属图案。还提供了相关的半导体封装件。

公开(公告)号：CN114068462A

公开(公告)日：2022-02-18

申请号：CN202110864235.5

申请日：2021-07-29

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 黄贤洙 ,  权俊润 ,  朴点龙 ,  安振镐 ,  吴东俊 ,  李忠善 ,  崔朱逸

IPC分类号： H01L23/488 ,  H01L23/498 ,  H01L21/48 ,  H01L21/50

摘要： 公开了半导体封装件及其制造方法。半导体封装件包括重分布衬底，其包括电介质层中的重分布线图案；以及半导体芯片，其位于重分布衬底上。半导体芯片包括芯片焊盘，其电连接至重分布线图案。重分布线图案中的每一个具有基本上共面的顶表面和非共面的底表面。重分布线图案中的每一个包括中心部分和位于中心部分的相对侧上的边缘部分。重分布线图案中的每一个在中心部分处具有作为最小厚度的第一厚度，并且在边缘部分处作为最大厚度的第二厚度。

公开(公告)号：CN113571495A

公开(公告)日：2021-10-29

申请号：CN202110401809.5

申请日：2021-04-14

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 崔朱逸 ,  朴点龙 ,  安振镐 ,  李忠善 ,  郑泰和 ,  秦正起

IPC分类号： H01L23/538

摘要： 提供互连结构和包括该互连结构的半导体封装件。互连结构包括介电层和介电层中的布线图案。布线图案包括过孔主体、与过孔主体竖直地重叠的第一焊盘主体以及从第一焊盘主体延伸的线主体。过孔主体、第一焊盘主体和线主体彼此一体地连接，并且第一焊盘主体的底表面的水平低于线主体的底表面的水平。

公开(公告)号：CN110610913A

公开(公告)日：2019-12-24

申请号：CN201910508897.1

申请日：2019-06-13

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 崔朱逸 ,  文光辰 ,  朴秀晶 ,  徐柱斌 ,  安振镐 ,  林东灿 ,  藤崎纯史

IPC分类号： H01L23/48

摘要： 公开了一种半导体器件，所述半导体器件包括：导电图案，所述导电图案位于基板上；钝化层，所述钝化层位于所述基板上并包括部分地暴露所述导电图案的开口；以及焊盘结构，所述焊盘结构设置在所述钝化层上以及所述钝化层的所述开口中并连接到所述导电图案。所述焊盘结构包括填充所述钝化层的所述开口且宽度大于所述开口的宽度的第一金属层和位于所述第一金属层上的第二金属层。所述第一金属层在所述第一金属层的外壁处具有第一厚度，在所述钝化层的顶表面上具有第二厚度以及在所述导电图案的顶表面上具有第三厚度。所述第二厚度大于所述第一厚度，并且所述第三厚度大于所述第二厚度。

公开(公告)号：CN109962064A

公开(公告)日：2019-07-02

申请号：CN201811267757.1

申请日：2018-10-29

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 千镇豪 ,  孙成旻 ,  全炯俊 ,  文光辰 ,  安振镐 ,  李镐珍 ,  藤崎纯史

IPC分类号： H01L25/18 ,  H01L23/48 ,  H01L23/485 ,  H01L23/488 ,  H01L21/60

摘要： 一种半导体装置及其制造方法，所述半导体装置包括：延伸穿过衬底的通孔电极结构；通孔电极结构上的再分布层；以及导电焊盘，该导电焊盘包括延伸穿过再分布层的贯穿部分以及贯穿部分上的突出部分，所述突出部分从再分布层的上表面突出，其中突出部分的上表面的中间区平坦，并且不比突出部分的上表面的边缘区更靠近衬底。

公开(公告)号：CN109962064B

公开(公告)日：2024-02-09

申请号：CN201811267757.1

申请日：2018-10-29

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 千镇豪 ,  孙成旻 ,  全炯俊 ,  文光辰 ,  安振镐 ,  李镐珍 ,  藤崎纯史

IPC分类号： H01L25/18 ,  H10B80/00 ,  H01L23/48 ,  H01L23/485 ,  H01L23/488 ,  H01L21/60

摘要： 一种半导体装置及其制造方法，所述半导体装置包括：延伸穿过衬底的通孔电极结构；通孔电极结构上的再分布层；以及导电焊盘，该导电焊盘包括延伸穿过再分布层的贯穿部分以及贯穿部分上的突出部分，所述突出部分从再分布层的上表面突出，其中突出部分的上表面的中间区平坦，并且不比突出部分的上表面的边缘区更靠近衬底。