-
-
公开(公告)号：CN109752906B
公开(公告)日：2022-03-11
申请号：CN201811085097.5
申请日：2018-09-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G03B21/20
Abstract: 本公开提供了一种元投影仪、光源装置及包括元投影仪的对象识别装置和电子装置。元投影仪包括配置为沿着光路发射光的光源阵列。光源阵列包括第一发光阵列和第二发光阵列，第一发光阵列包括配置为发射具有第一组光特性的第一光的多个第一发光元件，第二发光阵列包括配置为发射具有第二组光特性的第二光的多个第二发光元件，第二组光特性不同于第一组光特性。元投影仪包括与光路对准的元结构层。元投影仪包括具有比从光源阵列发射的光的波长更小的亚波长形状尺寸的多个纳米结构。元结构层被配置为对第一光和第二光关于彼此进行不同地调制。
-
公开(公告)号：CN110858702A
公开(公告)日：2020-03-03
申请号：CN201910752325.8
申请日：2019-08-14
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种背面发光式光源阵列器件和电子装置。该背面发光式光源阵列器件包括：基板；分布式布拉格反射器(DBR)，设置在基板的第一表面上；多个增益层，设置在DBR上，所述多个增益层彼此间隔开，并且所述多个增益层中的每个增益层被配置为分别产生光；以及纳米结构反射器，设置在所述多个增益层上与DBR相对，并且包括具有亚波长尺寸的多个纳米结构，其中，DBR的反射率小于纳米结构反射器的反射率，使得产生的光通过基板发射。
-
公开(公告)号：CN109752905A
公开(公告)日：2019-05-14
申请号：CN201811007364.7
申请日：2018-08-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G03B21/20
CPC classification number: G02B3/08 , G01B11/25 , G01S7/4814 , G01S17/48 , G02B1/002 , G02B3/06 , G02B5/008 , G02B5/08 , G02B5/1809 , G02B5/189 , G02B19/0004 , G02B19/0057 , G02B27/425 , G03B21/142 , G03B21/2033
Abstract: 提供了投影仪，每个投影仪包括：光源，被配置为发射激光；基板，与光源间隔开一距离；图案掩模，包括在基板的第一表面上的图案，该第一表面面向光源；以及元透镜，包括在基板的第二表面上的多个第一纳米结构，该第二表面面向第一表面，纳米结构具有亚波长的形状尺寸，该亚波长小于从光源发射的光的波长。
-
公开(公告)号：CN104638080A
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201410363259.2
申请日：2014-07-28
CPC classification number: H01L31/035236 , G01S7/4914 , G01S17/36 , G01S17/89 , G02F1/017 , G02F1/01725 , G02F2001/0155 , G02F2201/34 , H01L31/02327 , H01L33/06
Abstract: 提供了一种光学设备，其包括具有两个外部势垒和在所述两个外部势垒之间的耦合量子阱的有源层。耦合量子阱包括：第一量子阱层、第二量子阱层、以及第三量子阱层、布置在所述第一量子阱层和所述第二量子阱层之间的第一耦合势垒、以及布置在所述第二量子阱层和所述第三量子阱层之间的第二耦合势垒。第一量子阱层的厚度和第三量子阱层的厚度的每个与第二量子阱层的厚度不同。此外，第一量子阱层的能级和第三量子阱层的能级的每个与第二量子阱层的能级不同。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110858702B
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN201910752325.8
申请日：2019-08-14
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种背面发光式光源阵列器件和电子装置。该背面发光式光源阵列器件包括：基板；分布式布拉格反射器(DBR)，设置在基板的第一表面上；多个增益层，设置在DBR上，所述多个增益层彼此间隔开，并且所述多个增益层中的每个增益层被配置为分别产生光；以及纳米结构反射器，设置在所述多个增益层上与DBR相对，并且包括具有亚波长尺寸的多个纳米结构，其中，DBR的反射率小于纳米结构反射器的反射率，使得产生的光通过基板发射。
-
公开(公告)号：CN107728341B
公开(公告)日：2022-06-28
申请号：CN201710650596.3
申请日：2017-08-02
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了光学调制器和包括光学调制器的三维图像获取设备。光学调制器可以包括含相变材料的光学调制层。第一电极可以被提供在光学调制层的第一表面上。第二电极可以被提供在光学调制层的第二表面上。第一相控制层可以布置为面对光学调制层，第一电极设置在第一相控制层与光学调制层之间。第二相控制层可以布置为面对光学调制层，第二电极设置在第二相控制层与光学调制层之间。第一相控制层和第二相控制层的每个可以具有对应于λ/4的奇数倍的光学厚度，其中λ是待被调制的入射光的目标波长。光学调制器还可以包括布置为面对光学调制层的至少一个反射层。光学调制层可以具有约10nm以下的厚度。光学调制器的工作电压可以为约10V以下。
-
公开(公告)号：CN109752906A
公开(公告)日：2019-05-14
申请号：CN201811085097.5
申请日：2018-09-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G03B21/20
Abstract: 本公开提供了一种元投影仪、光源装置及包括元投影仪的对象识别装置和电子装置。元投影仪包括配置为沿着光路发射光的光源阵列。光源阵列包括第一发光阵列和第二发光阵列，第一发光阵列包括配置为发射具有第一组光特性的第一光的多个第一发光元件，第二发光阵列包括配置为发射具有第二组光特性的第二光的多个第二发光元件，第二组光特性不同于第一组光特性。元投影仪包括与光路对准的元结构层。元投影仪包括具有比从光源阵列发射的光的波长更小的亚波长形状尺寸的多个纳米结构。元结构层被配置为对第一光和第二光关于彼此进行不同地调制。
-
公开(公告)号：CN107728341A
公开(公告)日：2018-02-23
申请号：CN201710650596.3
申请日：2017-08-02
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G02F1/19 , G02F1/0147 , G02F1/0553 , G02F1/21 , G02F2001/0151 , G02F2201/346 , G02F2202/00 , G02F2202/32 , G02F2203/50 , H04B10/548 , H04B10/67 , H04B10/80 , G02F1/0063 , G02F1/0126
Abstract: 提供了光学调制器和包括光学调制器的三维图像获取设备。光学调制器可以包括含相变材料的光学调制层。第一电极可以被提供在光学调制层的第一表面上。第二电极可以被提供在光学调制层的第二表面上。第一相控制层可以布置为面对光学调制层，第一电极设置在第一相控制层与光学调制层之间。第二相控制层可以布置为面对光学调制层，第二电极设置在第二相控制层与光学调制层之间。第一相控制层和第二相控制层的每个可以具有对应于λ/4的奇数倍的光学厚度，其中λ是待被调制的入射光的目标波长。光学调制器还可以包括布置为面对光学调制层的至少一个反射层。光学调制层可以具有约10nm以下的厚度。光学调制器的工作电压可以为约10V以下。
-
公开(公告)号：CN106980188A
公开(公告)日：2017-07-25
申请号：CN201611186285.8
申请日：2016-12-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/017 , H01L31/0352 , H01L31/075 , H01L31/105
CPC classification number: H01L33/06 , G02F1/01725 , G02F2001/01733 , H01L33/30 , H01L33/60 , G02F2001/01766 , H01L31/035236 , H01L31/075 , H01L31/105
Abstract: 提供一种光器件，包括有源层，该有源层包括两个外势垒和该两个外势垒之间的耦合量子阱。该耦合量子阱包括：第一量子阱层；第二量子阱层；第三量子阱层；第一耦合势垒，在第一量子阱层与第二量子阱层之间；以及第二耦合势垒，在第二量子阱层与第三量子阱层之间。第二量子阱层在第一量子阱层与第三量子阱层之间。第二量子阱层的能带隙小于第一量子阱层的能带隙，而且第三量子阱层的能带隙等于或小于第二量子阱层的能带隙。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
34
records
(took 0.031 seconds)
