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公开(公告)号：CN118522710A
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202311216060.2
申请日：2023-09-20
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01L23/48 , H01L27/088 , H01L21/768 , H01L21/8234
摘要： 实施例提供了半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括：半导体衬底，其具有彼此相反的第一表面和第二表面；沟道图案，其设置在半导体衬底的第一表面上；源极/漏极图案，其设置在半导体衬底的第一表面上并且设置在沟道图案的两侧；第一蚀刻停止膜和第二蚀刻停止膜，其设置在半导体衬底的第一表面上；接触电极，其电连接到源极/漏极图案；下布线结构，其设置在半导体衬底的第二表面上；以及贯通通路，其穿过半导体衬底、第一蚀刻停止膜和第二蚀刻停止膜，以连接接触电极和下布线结构，其中，贯通通路包括：第一部分，其接触接触电极；以及第二部分，其接触第一部分并且设置在第一部分与下布线结构之间。
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公开(公告)号：CN116247026A
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202211493232.6
申请日：2022-11-25
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01L23/50
摘要： 提供了一种半导体器件。所述半导体器件包括第一布线结构和第二布线结构，所述第一布线结构包括第一材料，并且在其最低表面上在第一方向上具有第一宽度，所述第二布线结构包括第二材料，在所述第一方向上与所述第一布线结构间隔开，并且在其最低表面上在所述第一方向上具有小于所述第一宽度的第二宽度，其中，所述第一布线结构的最高表面在所述第一方向上具有小于所述第一宽度的第三宽度，并且所述第二布线结构的最高表面在所述第一方向上具有小于所述第二宽度的第四宽度。
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公开(公告)号：CN118782612A
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202410410211.6
申请日：2024-04-07
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01L27/088
摘要： 一种半导体器件包括衬底、在衬底的上表面上沿第一水平方向延伸的有源图案、在衬底的上表面上围绕有源图案的侧壁的场绝缘层、在有源图案上沿与第一水平方向相交的第二水平方向延伸的第一栅电极、在有源图案上设置在第一栅电极的至少一侧上的源极/漏极区、在场绝缘层上覆盖源极/漏极区的上层间绝缘层、在垂直方向上穿透衬底、场绝缘层和上层间绝缘层并在第二水平方向与源极/漏极区间隔开的贯通通路、在第一栅电极的至少一侧上设置在上层间绝缘层内部并连接到源极/漏极区的源极/漏极接触、和设置在上层间绝缘层内部并连接到贯通通路和源极/漏极接触中的每一者的连接部分，其在第一水平方向上的宽度大于源极/漏极接触在第一水平方向上的宽度。
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公开(公告)号：CN117995809A
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202311380183.X
申请日：2023-10-23
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01L23/522 , H01L23/528
摘要： 本发明构思的实施例提供了一种半导体装置，所述半导体装置包括：第一鳍式有源图案和第二鳍式有源图案，设置在基底的上表面上，并且具有不同宽度；第一栅极结构和第二栅极结构，分别与第一鳍式有源图案和第二鳍式有源图案交叉；第一源/漏区域和第二源/漏区域，分别设置在第一鳍式有源图案和第二鳍式有源图案上；第一接触结构和第二接触结构，分别连接到第一源/漏区域和第二源/漏区域；栅极隔离结构，与具有相对大的宽度的第一鳍式有源图案相邻；掩埋导电结构，接触栅极隔离结构的一个端表面，并且连接到第二接触结构；导电贯通结构，从基底的下表面延伸，并且连接到掩埋导电结构；以及第一布线层，电连接到第一接触结构和掩埋导电结构。
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公开(公告)号：CN118198031A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202311525559.1
申请日：2023-11-15
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01L23/528 , H01L23/522 , H01L21/60 , H01L21/768 , H01L25/16 , H10B80/00
摘要： 提供了一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：电力传输网络层；绝缘层，在电力传输网络层上，并且该绝缘层中具有开口；半导体层，填充开口并且覆盖绝缘层；第一通孔，延伸穿过半导体层并且电连接到电力传输网络层；第二通孔，延伸穿过绝缘层和半导体层并且电连接到电力传输网络层；逻辑元件，在半导体层上并且电连接到第一通孔；以及无源元件，在半导体层上并且电连接到第二通孔。
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公开(公告)号：CN117594564A
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202311002838.X
申请日：2023-08-10
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01L23/528 , H01L23/48 , H01L27/088 , H01L27/092
摘要： 一种半导体器件包括：具有鳍型有源图案的衬底；在鳍型有源图案上的源极/漏极区；在隔离绝缘层上和在源极/漏极区上的层间绝缘层；电连接到源极/漏极区的接触结构；电连接到接触结构并掩埋在层间绝缘层中的掩埋导电结构；以及穿透衬底并与掩埋导电结构的底表面接触的电力传送结构。掩埋导电结构包括第一接触插塞以及在第一接触插塞的侧表面上并与第一接触插塞的底表面间隔开的第一导电阻挡物。电力传送结构包括与第一接触插塞的底表面直接接触的第二接触插塞。
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公开(公告)号：CN118629993A
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202410234876.6
申请日：2024-03-01
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01L23/522 , H01L23/528 , H01L23/367
摘要： 一种半导体装置，包括：有源图案，其在衬底的第一表面上并在第一方向上延伸；场绝缘膜，其在第一表面和有源图案的侧表面上；栅极结构，其在有源图案和场绝缘膜上并在与第一方向相交的第二方向上延伸；源极/漏极区，其在栅极结构的侧表面上并接触有源图案；以及贯通接触件，其在与第一方向和第二方向垂直的第三方向上延伸并延伸通过场绝缘膜。该装置还包括在衬底中的接触贯通接触件的埋置图案、在衬底的第二表面上并电连接到埋置图案的背面布线结构、以及在衬底中的与埋置图案相邻的散热结构。散热结构填充从第二表面延伸至衬底中的沟槽。
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公开(公告)号：CN118538734A
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202311832178.8
申请日：2023-12-28
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01L27/092 , H01L23/48
摘要： 一种半导体器件包括：衬底，具有在第一方向上彼此相对的第一表面和第二表面；第一鳍型图案，在第一方向上从衬底的第一表面突出，并且在第二方向上延伸；第一源/漏图案，在第一鳍型图案上；第一源/漏接触部，在第一源/漏图案上；接触连接过孔，在第一方向上延伸，并且电连接到第一源/漏接触部；掩埋导电图案，在衬底中，电连接到接触连接过孔，并且具有在第一方向上彼此相对的第一表面和第二表面，掩埋导电图案的第一表面面对第一源/漏接触部；以及第一掩埋绝缘衬层，沿掩埋导电图案的侧壁和沿掩埋导电图案的第一表面延伸。
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公开(公告)号：CN118198002A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202311521763.6
申请日：2023-11-15
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01L23/00 , H01L23/528
摘要： 一种半导体装置包括：半导体衬底，其具有第一表面和面对第一表面的第二表面，并且在平面图中包括主芯片区域和围绕主芯片区域的密封区域；前布线层，其在半导体衬底的第一表面上，并且包括前布线结构；后布线层，其在半导体衬底的第二表面上，并且包括电力布线结构；前环结构，其在密封区域的前布线层中；以及后环结构，其在密封区域的后布线层中。
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公开(公告)号：CN117525133A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202310710772.3
申请日：2023-06-15
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/51 , H01L29/06 , H01L29/10 , H01L29/41 , H01L23/535 , H01L23/522 , H01L23/528
摘要： 提供了一种半导体器件。该半导体器件包括：第一衬底；有源图案，在第一衬底上延伸；栅电极，在有源图案上延伸；源/漏区，在有源图案上；第一层间绝缘层，在源/漏区上；牺牲层，在第一衬底上；下布线层，在牺牲层的下表面上；通孔沟槽，通过在竖直方向上穿过第一层间绝缘层和牺牲层延伸到下布线层；通孔，在通孔沟槽内部，并连接到下布线层；凹部，在牺牲层内部，并在第二水平方向上从通孔沟槽的侧壁突出；以及通孔绝缘层，沿通孔沟槽的侧壁延伸，并延伸到凹部中。
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