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公开(公告)号：CN1716549A
公开(公告)日：2006-01-04
申请号：CN200510073873.6
申请日：2005-05-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/3205 , H01L21/768
CPC classification number: H01L21/76846 , H01L21/2855 , H01L21/28556 , H01L21/76876 , H01L21/76877 , H01L2221/1089
Abstract: 通过在凹槽中形成金属－氮化物层可以在集成电路中形成金属层，包括在凹槽底部的金属－氮化物层中的第一氮浓度，第一氮浓度小于紧邻凹槽开口的金属－氮化物层中的第二氮浓度。在凹槽中包括的金属－氮化物层上可以形成金属层。
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公开(公告)号：CN118116900A
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202311543364.X
申请日：2023-11-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/522 , H01L23/528 , H01L27/088
Abstract: 一种集成电路器件包括衬底上的中间绝缘结构、穿过中间绝缘结构并从中间绝缘结构的顶表面朝向衬底延伸第一垂直长度的第一接触结构、以及穿过中间绝缘结构的第二接触结构。中间绝缘结构可以具有在第一垂直水平处沿横向方向延伸的顶表面。第二接触结构可以从中间绝缘结构的顶表面朝向衬底延伸大于第一垂直长度的第二垂直长度。第一接触结构可以具有沿着中间绝缘结构的顶表面的延长线平面延伸的第一顶表面。第二接触结构可以具有可在远离衬底的方向上凸出的第二顶表面。
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公开(公告)号：CN1790675A
公开(公告)日：2006-06-21
申请号：CN200510118196.5
申请日：2005-11-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/8242 , H01L21/8222 , H01L21/82 , H01L21/02 , H01L21/00 , H01L27/108 , H01L27/102 , H01L27/10 , H01L27/00 , H01L29/92
CPC classification number: H01L28/91 , H01L27/10817 , H01L27/10852 , H01L28/75
Abstract: 用于形成存储电容器的方法包括：在半导体衬底上形成具有通过其的开口的层间绝缘层；在该开口内形成接触栓塞；在层间绝缘层和接触栓塞上形成模制氧化物层；选择性地去除部分模制氧化物层，以在接触栓塞之上形成凹槽；在该凹槽的下表面和侧面上形成钛层；在该钛层上形成氮化钛层；以及在该氮化钛层上形成氮氧化钛层。存储电容器包括：半导体衬底；层间绝缘层，位于半导体衬底上，具有形成在其上的接触栓塞；以及存储电极，位于接触栓塞上，包括位于硅化钛层、位于该硅化钛层上的氮化钛层以及位于该氮化钛层上的氮氧化钛层。
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公开(公告)号：CN116207071A
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202211483155.6
申请日：2022-11-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/522 , H01L23/528
Abstract: 本公开提供了包括通路结构的半导体器件。一种半导体器件包括基板。布线层在基板之上。第一通路结构直接接触布线层的下部。第二通路结构直接接触布线层的上部。第一通路结构在布线层中产生第一应力。第二通路结构在布线层中产生第二应力。第二应力是与第一应力相反的类型。第一应力和第二应力在布线层中彼此补偿。
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公开(公告)号：CN115602687A
公开(公告)日：2023-01-13
申请号：CN202210793148.X
申请日：2022-07-05
Applicant: 三星电子株式会社(KR)
IPC: H01L27/105
Abstract: 一种半导体器件，包括：下部结构，包括衬底；第一互连层，在下部结构上沿第一方向延伸并且包括第一金属；第一通路，与第一互连层的上表面的一部分接触并且包括第二金属；第二通路，与第一通路的上表面的至少一部分接触，并且具有比第一通路的最大宽度窄的最大宽度；以及第二互连层，连接到第二通路并在第二方向上延伸。第一互连层具有倾斜侧表面，在第一互连层的倾斜侧表面中第一互连层的宽度朝向第一互连层的上部区域变窄，并且第一通路具有倾斜侧表面，在第一通路的倾斜侧表面中第一通路的宽度朝向第一通路的上部区域变窄。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114664792A
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN202111570986.2
申请日：2021-12-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/538
Abstract: 一种集成电路器件包括衬底和在衬底上的第一电绝缘层。提供导电的接触插塞，其至少部分地延伸穿过第一电绝缘层。接触插塞包括突起，该突起具有相对于第一电绝缘层的与接触插塞相邻延伸的部分的顶表面与衬底间隔更远的顶表面。导电线提供有在突起的第一部分上延伸的末端。提供第二电绝缘层，其在突起的第二部分上以及在第一电绝缘层上延伸。第二电绝缘层具有侧壁，该侧壁与导电线的末端的侧壁相对地延伸。
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公开(公告)号：CN112820730A
公开(公告)日：2021-05-18
申请号：CN202011210730.6
申请日：2020-11-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088 , H01L27/092 , H01L29/423 , H01L21/8234 , H01L21/8238
Abstract: 一种集成电路(IC)装置包括位于衬底上的第一鳍型有源区域和第二鳍型有源区域。设置了多个第一半导体图案，其堆叠在所述第一鳍型有源区域上作为第一FINFET的多个间隔开的第一沟道区域。设置了多个第二半导体图案，其堆叠在所述第二鳍型有源区域上作为第二FINFET的多个间隔开的第二沟道区域。第一栅极结构设置在所述多个第一半导体图案上。该第一栅极结构包括第一材料区域，其至少部分地填充所述多个间隔开的第一沟道区域之间的空间。此外，第二栅极结构设置在所述多个第二半导体图案上。所述第二栅极结构包括第二材料区域和第三材料区域，其至少部分地填充所述多个间隔开的第二沟道区域之间的空间。
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公开(公告)号：CN112563242A
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN202010776850.6
申请日：2020-08-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/528 , H01L23/532
Abstract: 提供了半导体装置。所述半导体装置包括设置在基底上并具有第一沟槽的第一层间绝缘膜。第一下导电图案填充第一沟槽并且包括在与基底的上表面平行的第一方向上彼此间隔开的第一谷区域和第二谷区域。第一谷区域和第二谷区域朝向基底凹陷。第二层间绝缘膜设置在第一层间绝缘膜上并且包括暴露第一下导电图案的至少一部分的第二沟槽。上导电图案填充第二沟槽并且包括上阻挡膜和设置在上阻挡膜上的上填充膜。上导电图案至少部分地填充第一谷区域。
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公开(公告)号：CN120072799A
公开(公告)日：2025-05-30
申请号：CN202411403571.X
申请日：2024-10-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/538
Abstract: 半导体装置包括在下层间绝缘膜内延伸的下布线结构；下布线结构包含下阻挡膜和下填充膜。提供了在下层间绝缘膜上延伸的上层间绝缘膜；上层间绝缘膜中具有上布线沟槽。提供了在上布线沟槽内延伸并且电连接到下布线结构的上布线结构；上布线结构包括上阻挡膜、上填充膜和在上填充膜上延伸的上封盖膜。上填充膜在上阻挡膜上延伸并且与上阻挡膜接触，上阻挡膜包括沿着上布线沟槽的侧壁延伸的侧壁部分，并且上阻挡膜的侧壁部分包括掺杂有锰(Mn)的氮化钽。
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公开(公告)号：CN119789518A
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202410553408.5
申请日：2024-05-07
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体装置，包括：彼此间隔开的第一导线；以及与第一导线的上表面接触的导电结构，其中，导电结构包括导电结构的下部和导电结构的上部，其中，导电结构的下部与第一导线的上表面接触，其中，导电结构的上部在导电结构的下部上，其中，导电结构的下部的宽度随着导电结构的下部与第一导线的上表面之间的距离减小而减小，并且其中，导电结构的上部的宽度随着导电结构的上部与第一导线的上表面之间的距离减小而增大。
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