公开(公告)号：CN105914129B

公开(公告)日：2020-12-11

申请号：CN201610098970.9

申请日：2016-02-23

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 田仁秀 ,  丘知娟 ,  金孝媛

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/04

摘要： 一种插入绝缘层的方法包括：在金属层上生长石墨烯层；通过在第一压力和第一温度下加热第一材料而在金属层和石墨烯层之间插入第一材料；以及通过在不同于第一压力的第二压力和不同于第一温度的第二温度下加热第二材料而在金属层和石墨烯层之间插入第二材料。因此，第一材料和第二材料彼此化学地键合以形成绝缘层，该绝缘层可以在金属层和石墨烯层之间。

公开(公告)号：CN107055514B

公开(公告)日：2023-04-07

申请号：CN201611166044.7

申请日：2016-12-16

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 金孝媛

IPC分类号： C01B32/182 ,  C01B32/184 ,  H01L29/16

摘要： 提供多层石墨烯、其形成方法、包括所述多层石墨烯的器件和制造所述器件的方法。在形成所述多层石墨烯的方法中，在底层上形成第一石墨烯，然后通过使第一石墨烯上的两个相邻区域暴露于源气体而形成多层石墨烯。通过使温度和/或源气体差异化，所述多层石墨烯在所述两个相邻的区域中具有不同的电特性。

公开(公告)号：CN105914129A

公开(公告)日：2016-08-31

申请号：CN201610098970.9

申请日：2016-02-23

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 田仁秀 ,  丘知娟 ,  金孝媛

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/04

摘要： 一种插入绝缘层的方法包括：在金属层上生长石墨烯层；通过在第一压力和第一温度下加热第一材料而在金属层和石墨烯层之间插入第一材料；以及通过在不同于第一压力的第二压力和不同于第一温度的第二温度下加热第二材料而在金属层和石墨烯层之间插入第二材料。因此，第一材料和第二材料彼此化学地键合以形成绝缘层，该绝缘层可以在金属层和石墨烯层之间。

公开(公告)号：CN107055514A

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201611166044.7

申请日：2016-12-16

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 金孝媛

IPC分类号： C01B32/182 ,  C01B32/184 ,  H01L29/16

CPC分类号： H01L29/1606 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/186 ,  C01B32/194 ,  C01B2204/04 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02444 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02527 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02587 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/167 ,  H01L29/6603 ,  H01L29/66045 ,  H01L29/66977 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78684 ,  H01L29/861

摘要： 提供多层石墨烯、其形成方法、包括所述多层石墨烯的器件和制造所述器件的方法。在形成所述多层石墨烯的方法中，在底层上形成第一石墨烯，然后通过使第一石墨烯上的两个相邻区域暴露于源气体而形成多层石墨烯。通过使温度和/或源气体差异化，所述多层石墨烯在所述两个相邻的区域中具有不同的电特性。

公开(公告)号：CN105575769A

公开(公告)日：2016-05-11

申请号：CN201510717694.5

申请日：2015-10-29

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 金孝媛 ,  李载昊

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L29/16 ,  H01L31/028

摘要： 提供了石墨烯层、形成该石墨烯层的方法、包括该石墨烯层的器件以及制造该器件的方法。形成石墨烯层的方法可以包括在第一温度下使用第一源气体形成第一石墨烯以及在第二温度下使用第二源气体形成第二石墨烯。第一石墨烯和第二石墨烯中的其中之一可以是P型石墨烯，第一石墨烯和第二石墨烯中的另一个可以是N型石墨烯。第一石墨烯和第二石墨烯共同形成P-N结。