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公开(公告)号：CN109285847B
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN201810154273.X
申请日：2018-02-22
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01L27/146
摘要： 本发明公开了一种光电转换元件以及包括该光电转换元件的光学传感器。光电转换元件可以包括多个晶格堆叠，该多个晶格堆叠在基板上一个在另一个的顶部上重复地堆叠并配置为具有有效带隙。所述多个晶格堆叠可以每个包括第一有源层和在第一有源层上的第二有源层。第一有源层可以包括具有第一带隙的第一二维材料。第二有源层可以包括具有不与第一带隙重叠的第二带隙的第二二维材料。有效带隙可以基于第一二维材料和第二二维材料的类型、第一有源层和第二有源层的厚度、以及所述多个晶格堆叠的一个在另一个的顶部上重复堆叠的次数来调整。
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公开(公告)号：CN109285847A
公开(公告)日：2019-01-29
申请号：CN201810154273.X
申请日：2018-02-22
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01L27/146
摘要： 本发明公开了一种光电转换元件以及包括该光电转换元件的光学传感器。光电转换元件可以包括多个晶格堆叠，该多个晶格堆叠在基板上一个在另一个的顶部上重复地堆叠并配置为具有有效带隙。所述多个晶格堆叠可以每个包括第一有源层和在第一有源层上的第二有源层。第一有源层可以包括具有第一带隙的第一二维材料。第二有源层可以包括具有不与第一带隙重叠的第二带隙的第二二维材料。有效带隙可以基于第一二维材料和第二二维材料的类型、第一有源层和第二有源层的厚度、以及所述多个晶格堆叠的一个在另一个的顶部上重复堆叠的次数来调整。
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公开(公告)号：CN108063145A
公开(公告)日：2018-05-22
申请号：CN201710599298.6
申请日：2017-07-21
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01L27/146 , H01L27/30
CPC分类号： H01L27/14667 , B82Y15/00 , H01L27/14636 , H01L31/0264 , H01L31/074 , H01L27/14601 , H01L27/307
摘要： 示例实施方式涉及一种配置为实现高光电转换效率和低暗电流的图像传感器。该图像传感器包括：第一电极和第二电极、提供在第一电极与第二电极之间的多个光探测层、以及提供在光探测层之间的夹层。光探测层将入射光转换成电信号并包括半导体材料。夹层包括具有电导率各向异性的金属性材料或半金属性材料。
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公开(公告)号：CN105575769A
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201510717694.5
申请日：2015-10-29
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01L21/02 , H01L29/16 , H01L31/028
摘要： 提供了石墨烯层、形成该石墨烯层的方法、包括该石墨烯层的器件以及制造该器件的方法。形成石墨烯层的方法可以包括在第一温度下使用第一源气体形成第一石墨烯以及在第二温度下使用第二源气体形成第二石墨烯。第一石墨烯和第二石墨烯中的其中之一可以是P型石墨烯，第一石墨烯和第二石墨烯中的另一个可以是N型石墨烯。第一石墨烯和第二石墨烯共同形成P-N结。
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公开(公告)号：CN104659096A
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：CN201410433124.9
申请日：2014-08-28
申请人： 三星电子株式会社
摘要： 本发明公开了一种包括分离的结接触的石墨烯器件及其制造方法。石墨烯器件是其中石墨烯被用作沟道的场效应晶体管(FET)。源电极和漏电极不直接接触石墨烯沟道，通过掺杂半导体而形成的结接触分离地设置在石墨烯沟道和源电极之间以及石墨烯沟道和漏电极之间。因此，在其中电压不施加到栅电极的截止状态中，由于在石墨烯沟道和结接触之间的势垒，载流子不会移动。结果，石墨烯器件在截止状态可以具有低电流。
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公开(公告)号：CN104103671A
公开(公告)日：2014-10-15
申请号：CN201410175362.4
申请日：2014-02-17
申请人： 三星电子株式会社
CPC分类号： H01L29/1606 , H01L29/786 , H01L29/78642 , H01L29/78684 , H01L31/028 , H01L31/08 , H01L33/34 , H01L51/0046 , H01L51/0504 , H01L51/0558 , H01L51/0562 , H01L51/0566 , H01L51/057 , H01L51/428 , H01L51/50
摘要： 本发明提供石墨烯器件和包括石墨烯器件的电子设备。根据示例实施例，石墨烯器件包括：包括源极、栅极和漏极的晶体管；有源层，载流子通过其移动；以及在栅极和有源层之间的石墨烯层。石墨烯层可被配置为既作为有源层的电极又作为晶体管的沟道层。
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公开(公告)号：CN1330985C
公开(公告)日：2007-08-08
申请号：CN200410100306.0
申请日：2004-12-09
申请人： 三星电子株式会社
CPC分类号： C03C25/64 , C03C13/047 , C03C25/607
摘要： 公开了一种减小光纤的氢敏感性的方法。所述方法包括：氘气处理步骤，将光纤暴露于包括氘气的气体混合物以使光纤与氘气接触；以及脱气步骤，在负压条件下对氘气处理过的光纤进行脱气，其中在步骤i)中，将氘气的反应温度保持在大约45℃到55℃的范围内，以及将步骤ii)执行至少四到五天。
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公开(公告)号：CN1680834A
公开(公告)日：2005-10-12
申请号：CN200410079867.7
申请日：2004-09-23
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： G02B6/00 , C03B37/012
CPC分类号： G02B6/02357 , C03B37/0122 , C03B2203/14 , C03B2203/42 , G02B6/02347 , G02B6/0238
摘要： 披露了一种能够单模传输的光子晶体光纤及其预制件。所述光子晶体光纤包括基底和多个具有不同折射率的折射率调整材料层，其中所述光纤的折射率分布与穿过所述光纤的入射光的电场功率分布相同。所述光子功率光纤可使光损失造成的脉冲色散和由于入射光通过偏离实际纤芯的区域造成的折射率偏差最小。
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公开(公告)号：CN1206521C
公开(公告)日：2005-06-15
申请号：CN03121613.7
申请日：2003-03-18
申请人： 三星电子株式会社
CPC分类号： G01L1/242 , G01M11/088
摘要： 本发明涉及一种测量光导纤维中残余应力的装置，该装置包括：一个固定单元，用于固定待测量的带有残余应力的光导纤维；和一个测量单元，包括一个光发生器，用于生成测量光导纤维残余应力的光，和一个探测器，用于探测光发生器生成的光的相位变化；其中，测量单元根据穿过光导纤维的光的相位变化，测量光导纤维中的残余应力，与此同时，测量单元沿光导纤维的周边转动。
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公开(公告)号：CN118434272A
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202410492389.X
申请日：2020-09-25
申请人： 三星电子株式会社
摘要： 公开电容器、包括其的半导体器件和电子设备、以及制造电容器的方法。所述电容器包括：底部电极；在所述底部电极上方的顶部电极；在所述底部电极和所述顶部电极之间的介电膜；以及在所述顶部电极和所述介电膜之间的掺杂Al2O3膜，其中所述掺杂Al2O3膜包括第一掺杂剂，并且包括与所述第一掺杂剂相同的元素的氧化物具有比Al2O3的介电常数高的介电常数。
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