-
公开(公告)号:CN116165842A
公开(公告)日:2023-05-26
申请号:CN202211385369.X
申请日:2022-11-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G03F7/004 , C08F220/38 , C08F220/18
Abstract: 提供光酸产生剂、包括其的光致抗蚀剂组合物以及通过使用光酸产生剂形成图案的方法。所述光酸产生剂包括在曝光时产生酸的单体和酸不稳定单体的共聚物,所述酸不稳定单体对于显影溶剂的溶解性通过经由酸的分解而改变,其中所述共聚物由式1表示,其中,在式1中,x、y、L、A‑、B+、R1、R2、和R3各自与详细描述中所描述的相同。[式1]
-
公开(公告)号:CN106009664A
公开(公告)日:2016-10-12
申请号:CN201610184508.0
申请日:2016-03-28
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开组合物、由其制备的复合物、以及包括其的膜和电子器件。所述组合物包括用烷氧基硅烷基团改性的聚酰胺酸和低聚硅氧化合物,其中所述用烷氧基硅烷基团改性的聚酰胺酸包括如下的反应产物:(i)酸酐和二胺的缩合反应产物,和(ii)反应性有机硅烷化合物,所述低聚硅氧化合物包括有机硅烷二醇和烷氧基硅烷化合物的缩合反应产物,其中所述组合物中的硅原子的量小于或等于15重量%,基于所述组合物中的固含量的总重量。
-
公开(公告)号:CN103054803A
公开(公告)日:2013-04-24
申请号:CN201210401322.8
申请日:2012-10-19
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: A61K41/0028 , A61K41/0052 , A61K47/62 , A61K47/6911
Abstract: 包括脂质双层、与疏水性基元偶联的弹性蛋白样多肽(ELP)、致化学敏感剂、和抗癌剂的脂质体,包括该脂质体的药物组合物,及使用该脂质体将致化学敏感剂和抗癌剂递送到受试者靶部位的方法。
-
公开(公告)号:CN101123275A
公开(公告)日:2008-02-13
申请号:CN200710139981.8
申请日:2007-08-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L27/115 , H01L21/336 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L29/7827 , H01L29/0653 , H01L29/513 , H01L29/66666 , H01L29/7831
Abstract: 一种晶体管,包括衬底上的第一和第二对垂直覆盖源/漏区。各第一和第二垂直沟道区在该第一和第二对覆盖源/漏区的各对覆盖源/漏区之间延伸。各第一和第二绝缘区被设置在各第一和第二对覆盖源/漏区的覆盖源/漏区之间并相邻于第一和第二垂直沟道区的各垂直沟道区。在第一和第二垂直沟道区的各垂直沟道区上设置各第一和第二栅绝缘体。在该第一和第二栅绝缘体之间设置栅电极。第一和第二垂直沟道区可以被设置在覆盖源/漏区的相邻边缘附近。
-
公开(公告)号:CN119431638A
公开(公告)日:2025-02-14
申请号:CN202410962622.6
申请日:2024-07-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C08F120/20 , C08F220/20 , C08F220/06 , C08F220/18 , G03F7/004
Abstract: 提供聚合物、包括所述聚合物的含聚合物的组合物、以及通过使用所述含聚合物的组合物形成图案的方法,所述聚合物包括由式1表示的第一重复单元且具有50℃或更低的玻璃化转变温度,其中,在式1中,L11至L13、a11至a13、A11、R11、R12、b12和p1的描述在本说明书中提供。式1#imgabs0#
-
公开(公告)号:CN103099781A
公开(公告)日:2013-05-15
申请号:CN201210392230.8
申请日:2012-10-16
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: A61K41/0052 , A61K41/0028 , A61K47/62 , A61K47/6911
Abstract: 本发明提供脂质体、含其的药物组合物和通过用其递送活性剂的方法。所述脂质体包括弹性蛋白样多肽。
-
公开(公告)号:CN101123275B
公开(公告)日:2011-02-23
申请号:CN200710139981.8
申请日:2007-08-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L27/115 , H01L21/336 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L29/7827 , H01L29/0653 , H01L29/513 , H01L29/66666 , H01L29/7831
Abstract: 一种晶体管,包括衬底上的第一和第二对垂直覆盖源/漏区。各第一和第二垂直沟道区在该第一和第二对覆盖源/漏区的各对覆盖源/漏区之间延伸。各第一和第二绝缘区被设置在各第一和第二对覆盖源/漏区的覆盖源/漏区之间并相邻于第一和第二垂直沟道区的各垂直沟道区。在第一和第二垂直沟道区的各垂直沟道区上设置各第一和第二栅绝缘体。在该第一和第二栅绝缘体之间设置栅电极。第一和第二垂直沟道区可以被设置在覆盖源/漏区的相邻边缘附近。
-
公开(公告)号:CN101582296A
公开(公告)日:2009-11-18
申请号:CN200910128693.1
申请日:2009-03-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C23/00 , H01L27/108
Abstract: 本发明公开了机电开关及其形成方法。本发明提供了一种存储器装置,该存储器装置包括形成在存储器单元中的贮存节点、第一电极和第二电极,贮存节点贮存电荷,第一电极包括电连接到第二部分的第一部分,当第二电极被赋予能量时,第一部分移动以连接到贮存节点。
-
公开(公告)号:CN118259544A
公开(公告)日:2024-06-28
申请号:CN202311455544.2
申请日:2023-11-03
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供抗蚀剂组合物和使用其形成图案的方法,所述抗蚀剂组合物包括由下式1表示的有机金属化合物、和包括由下式2表示的重复单元的聚合物,其中,在式1和2中,M11、R11、R12、n、A21、L21‑L23、a21‑a23、R21‑R24、b22、p、和X21如说明书中所描述的。式1M11(R11)n(OR12)(4‑n)式2#imgabs0#
-
公开(公告)号:CN117624002A
公开(公告)日:2024-03-01
申请号:CN202310295692.6
申请日:2023-03-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C07C381/12 , G03F7/20 , G03F7/00 , C07D333/76 , C07C65/01 , G03F7/004
Abstract: 提供由式1表示的羧酸盐、包括其的光致抗蚀剂组合物、和通过使用光致抗蚀剂组合物形成图案的方法。其中,在b15式、n111中、,n12A11和、RM1+1如说明‑R15、书中所描述的。式1
-
-
-
-
-
-
-
-
-