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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117766521A
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202311143260.X
申请日：2023-09-06
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种静电放电器件及包括该静电放电器件的显示驱动芯片。所述静电放电(ESD)器件可以包括：半导体衬底；半导体衬底中的基础阱；在基础阱内的、包括具有第一导电类型的第一杂质区的第一区；在基础阱中的、与第一区在水平方向上间隔开并且包括具有第二导电类型的第二杂质区的第二区；在第一杂质区上与第一杂质区在垂直方向上至少部分地交叠的第一硅化物层；以及在第二杂质区上与第一硅化物层在水平方向上间隔开的第二硅化物层。第二硅化物层可以与第二杂质区在垂直方向上至少部分地交叠。第二导电类型可以与第一导电类型相反。
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公开(公告)号：CN111146289B
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN201910763096.X
申请日：2019-08-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L29/06
Abstract: 一种功率器件包括：第二导电类型的漂移层，位于第一导电类型的半导体层上；第二导电类型的第一源极区域和第二导电类型的第二源极区域，在漂移层上安置为彼此分开；以及栅电极，在第一源极区域和第二源极区域之间的漂移层上，栅极绝缘层在栅电极和漂移层之间，其中栅电极包括分别与第一源极区域和第二源极区域相邻的第一栅电极和第二栅电极、以及在第一栅电极和第二栅电极之间的第三栅电极，其中第三栅电极浮置或接地。
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公开(公告)号：CN115483286A
公开(公告)日：2022-12-16
申请号：CN202210429349.1
申请日：2022-04-22
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供半导体器件。所述半导体器件包括：基底；栅电极，设置在基底的上表面上；源极区，设置在栅电极的第一侧上；漏极区，设置在栅电极的第二侧上，栅电极的第二侧在水平方向上与栅电极的第一侧背对；以及绝缘结构，至少部分地掩埋在基底内部。绝缘结构包括设置在基底与栅电极之间的第一部分和与漏极区接触的第二部分。绝缘结构的第二部分的最上表面低于绝缘结构的第一部分的最上表面。栅电极的至少一部分设置在绝缘结构的第二部分的最上表面上。
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公开(公告)号：CN115377093A
公开(公告)日：2022-11-22
申请号：CN202210544374.4
申请日：2022-05-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/02
Abstract: 一种半导体保护器件包括：N型外延层；设置在N型外延层的上表面上的器件隔离层；设置在器件隔离层下面的N型漂移区；设置在N型漂移区中的N型阱；第一P型漂移区和第二P型漂移区，分别设置为与器件隔离层接触并与N型漂移区间隔开；第一P型掺杂区和第二P型掺杂区，分别设置在第一P型漂移区和第二P型漂移区中；第一N型浮置阱和第二N型浮置阱，分别设置在第一P型漂移区和第二P型漂移区中以分别与第一P型掺杂区和第二P型掺杂区间隔开并设置为与器件隔离层接触；以及第一接触层和第二接触层，分别设置为覆盖第一N型浮置阱和第二N型浮置阱，以与器件隔离层接触。
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公开(公告)号：CN111146289A
公开(公告)日：2020-05-12
申请号：CN201910763096.X
申请日：2019-08-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L29/06
Abstract: 一种功率器件包括：第二导电类型的漂移层，位于第一导电类型的半导体层上；第二导电类型的第一源极区域和第二导电类型的第二源极区域，在漂移层上安置为彼此分开；以及栅电极，在第一源极区域和第二源极区域之间的漂移层上，栅极绝缘层在栅电极和漂移层之间，其中栅电极包括分别与第一源极区域和第二源极区域相邻的第一栅电极和第二栅电极、以及在第一栅电极和第二栅电极之间的第三栅电极，其中第三栅电极浮置或接地。
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