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公开(公告)号：CN111146289B
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN201910763096.X
申请日：2019-08-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L29/06
Abstract: 一种功率器件包括：第二导电类型的漂移层，位于第一导电类型的半导体层上；第二导电类型的第一源极区域和第二导电类型的第二源极区域，在漂移层上安置为彼此分开；以及栅电极，在第一源极区域和第二源极区域之间的漂移层上，栅极绝缘层在栅电极和漂移层之间，其中栅电极包括分别与第一源极区域和第二源极区域相邻的第一栅电极和第二栅电极、以及在第一栅电极和第二栅电极之间的第三栅电极，其中第三栅电极浮置或接地。
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公开(公告)号：CN115483286A
公开(公告)日：2022-12-16
申请号：CN202210429349.1
申请日：2022-04-22
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供半导体器件。所述半导体器件包括：基底；栅电极，设置在基底的上表面上；源极区，设置在栅电极的第一侧上；漏极区，设置在栅电极的第二侧上，栅电极的第二侧在水平方向上与栅电极的第一侧背对；以及绝缘结构，至少部分地掩埋在基底内部。绝缘结构包括设置在基底与栅电极之间的第一部分和与漏极区接触的第二部分。绝缘结构的第二部分的最上表面低于绝缘结构的第一部分的最上表面。栅电极的至少一部分设置在绝缘结构的第二部分的最上表面上。
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公开(公告)号：CN107086248A
公开(公告)日：2017-08-22
申请号：CN201710076431.X
申请日：2017-02-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/10 , H01L21/336 , H01L27/088 , H01L21/8234
Abstract: 本公开涉及半导体器件及其制造方法。一种具有高且稳定的工作电压的半导体器件及其制造方法被提供，该半导体器件包括：具有包括沟道区域的有源区的衬底；覆盖有源区的顶表面的栅绝缘层；覆盖有源区的顶表面上的栅绝缘层的栅电极；掩埋绝缘图案，其在栅电极的下侧处于有源区的沟道区域中，并且与衬底的顶表面间隔开；以及在掩埋绝缘图案中的每个的两侧处的衬底中并且从衬底的顶表面延伸到比掩埋绝缘图案中的每个的高度更低的高度的一对源/漏区域。
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公开(公告)号：CN115377093A
公开(公告)日：2022-11-22
申请号：CN202210544374.4
申请日：2022-05-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/02
Abstract: 一种半导体保护器件包括：N型外延层；设置在N型外延层的上表面上的器件隔离层；设置在器件隔离层下面的N型漂移区；设置在N型漂移区中的N型阱；第一P型漂移区和第二P型漂移区，分别设置为与器件隔离层接触并与N型漂移区间隔开；第一P型掺杂区和第二P型掺杂区，分别设置在第一P型漂移区和第二P型漂移区中；第一N型浮置阱和第二N型浮置阱，分别设置在第一P型漂移区和第二P型漂移区中以分别与第一P型掺杂区和第二P型掺杂区间隔开并设置为与器件隔离层接触；以及第一接触层和第二接触层，分别设置为覆盖第一N型浮置阱和第二N型浮置阱，以与器件隔离层接触。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111146289A
公开(公告)日：2020-05-12
申请号：CN201910763096.X
申请日：2019-08-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L29/06
Abstract: 一种功率器件包括：第二导电类型的漂移层，位于第一导电类型的半导体层上；第二导电类型的第一源极区域和第二导电类型的第二源极区域，在漂移层上安置为彼此分开；以及栅电极，在第一源极区域和第二源极区域之间的漂移层上，栅极绝缘层在栅电极和漂移层之间，其中栅电极包括分别与第一源极区域和第二源极区域相邻的第一栅电极和第二栅电极、以及在第一栅电极和第二栅电极之间的第三栅电极，其中第三栅电极浮置或接地。
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公开(公告)号：CN105633161A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201510611794.X
申请日：2015-09-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78
CPC classification number: H01L27/0886 , H01L23/528 , H01L29/0649 , H01L29/0653 , H01L29/0865 , H01L29/0873 , H01L29/0882 , H01L29/4232 , H01L29/4236 , H01L29/7816 , H01L29/7835 , H01L29/785 , H01L29/7855
Abstract: 本发明涉及一种半导体器件，该半导体器件包括第一鳍、与第一鳍分离的第二鳍、以及位于第一鳍和第二鳍上的栅极。栅极与第一鳍和第二鳍交叉。第一鳍包括位于栅极两侧的第一掺杂区。第一掺杂区配置为具有施加至其上的第一电压。第二鳍包括位于栅极两侧的第二掺杂区。第二掺杂区配置为具有施加至其上的第二电压。第二电压不同于第一电压。
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公开(公告)号：CN105633085B
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN201510795235.9
申请日：2015-11-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/108 , H01L29/94 , H01L29/06
Abstract: 半导体器件包括：基板，该基板包括具有第一掺杂浓度的第一杂质扩散区域和具有不同于第一掺杂浓度的第二掺杂浓度的至少一个第二杂质扩散区域，至少一个第二杂质扩散区被所述第一杂质扩散区域围绕；至少一个电极，面对第一杂质扩散区域和至少一个第二杂质扩散区域；和至少一个绝缘层，在第一杂质扩散区域与至少一个电极之间以及在至少一个第二杂质扩散区域与至少一个电极之间。
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公开(公告)号：CN112825334A
公开(公告)日：2021-05-21
申请号：CN202011308208.1
申请日：2020-11-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 一种半导体装置包括半导体衬底。漂移区设置在半导体衬底中。漂移区具有第一导电类型。主体区设置在半导体衬底中，邻近于漂移区。主体区具有第二导电类型。漏极区设置在漂移区中，与主体区相对。漏极隔离绝缘膜设置在邻近于漏极区的漂移区的一部分中。栅极绝缘膜设置在半导体衬底上，并且在主体区的一部分和漂移区的一部分上方延伸。栅电极设置在栅极绝缘膜上，并且栅电极具有至少一个闭合类型的开口。
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公开(公告)号：CN107086248B
公开(公告)日：2020-10-16
申请号：CN201710076431.X
申请日：2017-02-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/10 , H01L21/336 , H01L27/088 , H01L21/8234
Abstract: 本公开涉及半导体器件及其制造方法。一种具有高且稳定的工作电压的半导体器件及其制造方法被提供，该半导体器件包括：具有包括沟道区域的有源区的衬底；覆盖有源区的顶表面的栅绝缘层；覆盖有源区的顶表面上的栅绝缘层的栅电极；掩埋绝缘图案，其在栅电极的下侧处于有源区的沟道区域中，并且与衬底的顶表面间隔开；以及在掩埋绝缘图案中的每个的两侧处的衬底中并且从衬底的顶表面延伸到比掩埋绝缘图案中的每个的高度更低的高度的一对源/漏区域。
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