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公开(公告)号：CN105590963A
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201510753020.0
申请日：2015-11-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L27/092
CPC classification number: H01L29/1045 , H01L21/823412 , H01L21/823425 , H01L21/823431 , H01L21/823807 , H01L21/823821 , H01L27/088 , H01L27/0886 , H01L27/0924 , H01L29/0649 , H01L29/36 , H01L29/66545 , H01L29/7851 , H01L29/7816 , H01L27/092 , H01L29/66681
Abstract: 本发明提供了一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：基板，具有第一导电类型的有源区；在有源区中的第二导电类型的漂移区；覆盖有源区并在漂移区上的栅极；设置在有源区和栅极之间的栅绝缘膜；第二导电类型的漏极区，在漂移区中的与栅极间隔开的位置处，并具有比漂移区高的掺杂浓度；第一导电类型的浅阱区，在漂移区中与漏极区间隔开并在栅极和漏极区之间；和第二导电类型的源极区，形成在栅极和漏极区之间的第一导电类型的浅阱区中并具有比第一导电类型的浅阱区高的掺杂浓度。
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公开(公告)号：CN103914177A
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：CN201310743625.2
申请日：2013-12-30
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G06F3/0416 , G06F3/0412 , G06F3/042 , G06F3/0421 , G06F3/044 , H01L27/14678 , H03K17/962 , H03K2017/9606
Abstract: 本发明涉及混合感测触摸屏装置及驱动其的方法。触摸屏装置包括：像素行，其中排列了用于显示图像的像素；用于感测物理触摸的触摸感测单元和用于感测入射光的光感测单元，所述触摸感测单元和所述光感测单元排列在两个邻近像素行之间；第一感测器栅极线，连接至所述光感测单元和所述触摸感测单元两者，用于提供激活所述光感测单元和重置所述触摸感测单元的栅极信号；第二感测器栅极线，连接至所述光感测单元和所述触摸感测单元两者，用于提供激活所述光感测单元和重置所述触摸感测单元的栅极信号；和重置电路，被配置为在像素的激活状态下提供公共电压给所述像素以及在所述光感测单元或者所述触摸感测单元的激活状态下不提供公共电压给所述像素。
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公开(公告)号：CN102968220B
公开(公告)日：2017-09-22
申请号：CN201210051118.8
申请日：2012-03-01
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F3/042
CPC classification number: G06F3/042 , G06F3/0386 , H01L27/14679
Abstract: 本申请提供的是通过使用包括氧化物半导体晶体管的光传感器晶体管能够远程感测和触摸感测的光学触摸屏装置。所述光学触摸屏装置包括沿多个行和多个列排列的多个感测像素的像素阵列。感测像素中的每一个包括：用于感测由外部光源照射的光的光感测像素，以及用于感测通过屏幕触摸反射的显示光的触摸感测像素。所述光感测像素包括相互串联连接的第一光传感器晶体管和第一开关晶体管，所述触摸感测像素包括相互串联连接的第二光传感器晶体管和第二开关晶体管。
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公开(公告)号：CN102968220A
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN201210051118.8
申请日：2012-03-01
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F3/042
CPC classification number: G06F3/042 , G06F3/0386 , H01L27/14679
Abstract: 本申请提供的是通过使用包括氧化物半导体晶体管的光传感器晶体管能够远程感测和触摸感测的光学触摸屏装置。所述光学触摸屏装置包括沿多个行和多个列排列的多个感测像素的像素阵列。感测像素中的每一个包括：用于感测由外部光源照射的光的光感测像素，以及用于感测通过屏幕触摸反射的显示光的触摸感测像素。所述光感测像素包括相互串联连接的第一光传感器晶体管和第一开关晶体管，所述触摸感测像素包括相互串联连接的第二光传感器晶体管和第二开关晶体管。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115483286A
公开(公告)日：2022-12-16
申请号：CN202210429349.1
申请日：2022-04-22
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供半导体器件。所述半导体器件包括：基底；栅电极，设置在基底的上表面上；源极区，设置在栅电极的第一侧上；漏极区，设置在栅电极的第二侧上，栅电极的第二侧在水平方向上与栅电极的第一侧背对；以及绝缘结构，至少部分地掩埋在基底内部。绝缘结构包括设置在基底与栅电极之间的第一部分和与漏极区接触的第二部分。绝缘结构的第二部分的最上表面低于绝缘结构的第一部分的最上表面。栅电极的至少一部分设置在绝缘结构的第二部分的最上表面上。
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公开(公告)号：CN103914177B
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201310743625.2
申请日：2013-12-30
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G06F3/0416 , G06F3/0412 , G06F3/042 , G06F3/0421 , G06F3/044 , H01L27/14678 , H03K17/962 , H03K2017/9606
Abstract: 本发明涉及混合感测触摸屏装置及驱动其的方法。触摸屏装置包括：像素行，其中排列了用于显示图像的像素；用于感测物理触摸的触摸感测单元和用于感测入射光的光感测单元，所述触摸感测单元和所述光感测单元排列在两个邻近像素行之间；第一感测器栅极线，连接至所述光感测单元和所述触摸感测单元两者，用于提供激活所述光感测单元和重置所述触摸感测单元的栅极信号；第二感测器栅极线，连接至所述光感测单元和所述触摸感测单元两者，用于提供激活所述光感测单元和重置所述触摸感测单元的栅极信号；和重置电路，被配置为在像素的激活状态下提供公共电压给所述像素以及在所述光感测单元或者所述触摸感测单元的激活状态下不提供公共电压给所述像素。
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公开(公告)号：CN102997993B
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201210186006.3
申请日：2012-06-07
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/14609 , G06F3/0412 , G06F3/0421 , G06F2203/04103
Abstract: 一种光感测装置、驱动光感测装置的方法以及包含光感测装置的光学触摸屏装置，其中，光感测像素中的光传感器晶体管由光敏氧化物半导体晶体管形成。光感测装置包括：光感测像素阵列，具有按照行和列排列的多个光感测像素；以及多条栅极线，按照行方向排列并且分别向光感测像素提供栅极电压，其中，光感测像素的每一个包括用于感测光的光传感器晶体管以及用于输出来自光传感器晶体管的光感测信号的开关晶体管。栅极线被连接到在光感测像素阵列中的每一行中的开关晶体管的栅极，且复位线被连接到在光感测像素阵列中的每一行中的光传感器晶体管的栅极。复位线经由相位反转器被连接到栅极线。因而，当栅极电压被施加于栅极线时，具有与栅极电压反转相位的复位信号可以被施加于复位线。
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公开(公告)号：CN115377093A
公开(公告)日：2022-11-22
申请号：CN202210544374.4
申请日：2022-05-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/02
Abstract: 一种半导体保护器件包括：N型外延层；设置在N型外延层的上表面上的器件隔离层；设置在器件隔离层下面的N型漂移区；设置在N型漂移区中的N型阱；第一P型漂移区和第二P型漂移区，分别设置为与器件隔离层接触并与N型漂移区间隔开；第一P型掺杂区和第二P型掺杂区，分别设置在第一P型漂移区和第二P型漂移区中；第一N型浮置阱和第二N型浮置阱，分别设置在第一P型漂移区和第二P型漂移区中以分别与第一P型掺杂区和第二P型掺杂区间隔开并设置为与器件隔离层接触；以及第一接触层和第二接触层，分别设置为覆盖第一N型浮置阱和第二N型浮置阱，以与器件隔离层接触。
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