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公开(公告)号:CN108108810B
公开(公告)日:2023-08-18
申请号:CN201711191140.1
申请日:2017-11-24
申请人: 三星电子株式会社
摘要: 存储装置包括非易失性存储器件、缓冲存储器、控制器和神经形态芯片。神经形态芯片被配置为基于访问结果信息和访问环境信息生成访问分类器。控制器被配置为使用缓冲存储器执行对非易失性存储器件的第一访问,并且收集缓冲存储器中的第一访问的访问结果信息和访问环境信息。控制器被配置为使用缓冲存储器执行非易失性存储器件的第二访问。控制器被配置为通过使用与第二访问和访问分类器相关联的访问环境信息来获得与第二访问相关联的访问参数的预测结果。
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公开(公告)号:CN108108810A
公开(公告)日:2018-06-01
申请号:CN201711191140.1
申请日:2017-11-24
申请人: 三星电子株式会社
摘要: 存储装置包括非易失性存储器件、缓冲存储器、控制器和神经形态芯片。神经形态芯片被配置为基于访问结果信息和访问环境信息生成访问分类器。控制器被配置为使用缓冲存储器执行对非易失性存储器件的第一访问,并且收集缓冲存储器中的第一访问的访问结果信息和访问环境信息。控制器被配置为使用缓冲存储器执行非易失性存储器件的第二访问。控制器被配置为通过使用与第二访问和访问分类器相关联的访问环境信息来获得与第二访问相关联的访问参数的预测结果。
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公开(公告)号:CN107957851B
公开(公告)日:2022-04-26
申请号:CN201710892707.1
申请日:2017-09-27
申请人: 三星电子株式会社
IPC分类号: G06F3/06
摘要: 一种存储器系统包括多个存储装置,所述存储装置分别包括非易失性存储器装置。客户机装置被配置成收集从所述存储装置提供的所述非易失性存储器装置的劣化信息。服务器装置被配置成接收所收集劣化信息并通过基于所收集劣化信息以及初始劣化信息执行机器学习来实时地预测所述非易失性存储器装置的劣化程度。所述客户机装置基于来自所述服务器装置的所述非易失性存储器装置的劣化程度来确定所述非易失性存储器装置的读取电平。所述存储装置将所述非易失性存储器装置设定成基于在所述客户机装置中确定的所述读取电平来运行。
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公开(公告)号:CN107957851A
公开(公告)日:2018-04-24
申请号:CN201710892707.1
申请日:2017-09-27
申请人: 三星电子株式会社
IPC分类号: G06F3/06
CPC分类号: G11C16/349 , G06N99/005 , G11C7/14 , G11C11/5642 , G11C16/0483 , G11C16/26 , G11C29/021 , G11C29/028 , G11C29/04 , G11C29/42 , G11C29/52 , G06F3/0614 , G06F3/0653
摘要: 一种存储器系统包括多个存储装置,所述存储装置分别包括非易失性存储器装置。客户机装置被配置成收集从所述存储装置提供的所述非易失性存储器装置的劣化信息。服务器装置被配置成接收所收集劣化信息并通过基于所收集劣化信息以及初始劣化信息执行机器学习来实时地预测所述非易失性存储器装置的劣化程度。所述客户机装置基于来自所述服务器装置的所述非易失性存储器装置的劣化程度来确定所述非易失性存储器装置的读取电平。所述存储装置将所述非易失性存储器装置设定成基于在所述客户机装置中确定的所述读取电平来运行。
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