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公开(公告)号：CN108701487A
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201680079361.7
申请日：2016-12-22
申请人： 超极存储器股份有限公司
CPC分类号： G11C5/14 , G11C5/00 , G11C7/12 , G11C8/08 , G11C11/407 , G11C29/006 , G11C29/04 , G11C29/4401 , G11C29/781 , G11C29/785 , G11C29/814 , G11C2029/0403 , G11C2029/1202 , G11C2029/1204 , G11C2029/1208 , H01L25/065 , H01L25/07 , H01L25/18
摘要： 本发明的目的在于提供一种能够实现制造成品率的提高的堆叠型半导体装置，此外，提供该堆叠型半导体装置的制造方法。本发明为由多个半导体芯片、备用半导体芯片、控制芯片堆叠而成的堆叠型半导体装置，所述备用半导体芯片用于作为所述半导体芯片的备品来使用，所述控制芯片对所述多个半导体芯片的工作状态和所述备用半导体芯片的工作状态进行控制。在这种结构中，所述半导体芯片以及所述备用半导体芯片包含非接触通信部和工作开关，所述半导体芯片以及所述备用半导体芯片能够通过所述非接触通信部与其它所述半导体芯片进行非接触式通信，所述控制芯片通过切换所述半导体芯片的所述工作开关来对所述半导体芯片的工作状态进行控制，通过切换所述备用半导体芯片的所述工作开关来对所述备用半导体芯片的工作状态进行控制。
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公开(公告)号：CN105390161B
公开(公告)日：2018-08-14
申请号：CN201510706557.1
申请日：2011-02-25
申请人： 海力士半导体有限公司
发明人： 金光现
CPC分类号： G11C29/04 , G11C7/22 , G11C29/022 , G11C29/14 , G11C29/56012 , G11C2029/5602
摘要： 本发明提供一种半导体装置的输入/输出电路和输入/输出方法以及具有其的系统，所述系统包括：控制器，所述控制器能够以第一速度以及比第一速度慢的第二速度之一来工作；半导体存储装置，所述半导体存储装置以第一速度来工作；以及输入/输出装置，所述输入/输出装置连接在半导体存储装置与控制器之间，并被配置为控制所述控制器与半导体存储装置之间的信号的输入/输出，其中输入/输出装置在与半导体存储装置和以第一速度来工作的控制器之间的信号的输入/输出相对应的正常模式中工作，以及在与半导体存储装置和以第二速度来工作的控制器之间的信号的输入/输出相对应的测试模式中工作。
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公开(公告)号：CN104778136B
公开(公告)日：2018-04-27
申请号：CN201510136877.8
申请日：2009-10-29
申请人： 美光科技公司
CPC分类号： G11C29/76 , G06F13/1668 , G06F13/4239 , G11C5/02 , G11C7/10 , G11C8/10 , G11C29/04 , Y02B70/123 , Y02B70/126 , Y02D10/14 , Y02D10/151
摘要： 本发明涉及切换式接口堆叠裸片存储器架构。本文中所揭示的系统及方法包含可接收包含所请求存储器地址的存储器请求且可在不知晓是否需要修复地址的情况下将所述存储器请求直接发送到与堆叠式裸片存储器库相关联的地址解码器的那些系统及方法。如果对所述存储器请求的后续分析展示需要修复地址，那么可暂停对所述所请求存储器地址的过程中解码且起始对所述修复地址的解码。
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公开(公告)号：CN104036827B
公开(公告)日：2017-12-05
申请号：CN201410186457.6
申请日：2014-03-06
申请人： 英特尔公司
IPC分类号： G11C29/44
CPC分类号： G11C29/04 , G11C11/418 , G11C17/16 , G11C17/18 , G11C29/02 , G11C29/785 , G11C29/787 , G11C2029/4402
摘要： 本发明涉及基于位的熔丝修复。依照一些实施例，替代提供替换行，在熔丝阵列内的一区域可以专供存储有缺陷的位的地址。随后这些位能够容易地通过如下方式来修复：简单地读取标识为有缺陷的位的所存储状态，并反转标识为有缺陷的位的所存储的状态，以获得正确的输出。
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公开(公告)号：CN103680625B
公开(公告)日：2017-06-30
申请号：CN201310400243.X
申请日：2013-09-05
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
IPC分类号： G11C16/10
CPC分类号： G11C29/83 , G11C5/143 , G11C29/02 , G11C29/04 , G11C29/832
摘要： 本发明涉及用于在存储器设备中提供电压供应保护的系统和方法。本发明涉及电子存储系统，更具体地，涉及用于在存储器设备中提供电压供应保护的系统，以及用于在存储器设备中提供电压供应保护的方法。根据实施方式，提供了用于在存储器设备中提供电压供应保护的系统，该系统包括存储器阵列和多个限流元件，该存储器阵列包括布置在存储单元的多个组中的多个存储单元，其中，存储单元的每个组与至少一个限流元件相关联。
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公开(公告)号：CN104471546B
公开(公告)日：2017-06-06
申请号：CN201380006059.5
申请日：2013-02-08
申请人： TLI有限公司
CPC分类号： G11C29/04 , G06F3/06 , G06F3/0613 , G06F3/0659 , G06F3/0688 , G06F11/108 , G06F11/1096 , G06F12/0246 , G06F2212/262 , G06F2212/7208
摘要： 提供一种用于管理经多信道交叉驱动的多个内存信道的控制装置。所述装置包括：带区构成单元，根据所述多个内存信道中包含的页面的物理性页码，来构成带区；和奇偶校验生成单元，生成所述构成的带区的奇偶校验数据。
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公开(公告)号：CN104081418B
公开(公告)日：2016-12-14
申请号：CN201280066697.1
申请日：2012-01-13
申请人： 三菱电机株式会社
IPC分类号： G06K19/07 , G11C11/413
CPC分类号： G11C29/04 , G11C5/14 , G11C5/147 , G11C11/417 , G11C11/419 , G11C29/021 , G11C2029/0409
摘要： SRAM存储卡具备：监视部，其经由接点而对电池所产生的电源电压进行监视，在所述接点的电位比阈值低的情况下，将警报信号设定为ON值，在所述接点的电位大于或等于所述閾值的情况下，将所述警报信号设定为OFF值，并经由接口部而将所述警报信号输出至装置；检测部，其经由所述接口部而对所述装置的所述电源的接通/断开状态进行检测；以及放电电路，其根据由所述检测部所检测的所述装置的所述电源的接通/断开状态而对电容元件的第1电极所积蓄的电荷进行放电。
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公开(公告)号：CN105390161A
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201510706557.1
申请日：2011-02-25
申请人： 海力士半导体有限公司
发明人： 金光现
CPC分类号： G11C29/04 , G11C7/22 , G11C29/022 , G11C29/14 , G11C29/56012 , G11C2029/5602
摘要： 本发明提供一种半导体装置的输入/输出电路和输入/输出方法以及具有其的系统，所述系统包括：控制器，所述控制器能够以第一速度以及比第一速度慢的第二速度之一来工作；半导体存储装置，所述半导体存储装置以第一速度来工作；以及输入/输出装置，所述输入/输出装置连接在半导体存储装置与控制器之间，并被配置为控制所述控制器与半导体存储装置之间的信号的输入/输出，其中输入/输出装置在与半导体存储装置和以第一速度来工作的控制器之间的信号的输入/输出相对应的正常模式中工作，以及在与半导体存储装置和以第二速度来工作的控制器之间的信号的输入/输出相对应的测试模式中工作。
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公开(公告)号：CN105336376A
公开(公告)日：2016-02-17
申请号：CN201410370621.9
申请日：2014-07-30
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC分类号： G11C17/16
CPC分类号： G11C29/787 , G11C17/16 , G11C17/18 , G11C29/04
摘要： 一种存储阵列、存储器及编程、无冗余和冗余读取、操作方法，所述存储阵列包括：呈M行N列排布的存储单元，M≥1，N＞1，N为偶数，所述存储单元包括：第一MOS管和熔丝；在同一个存储单元中，第一MOS管的第一端连接熔丝的第一端，第一MOS管的第二端和熔丝的第二端中的一个为所述存储单元的第一端，另一个为所述存储单元的第二端；位于同一列的存储单元的第一端连接在一起，位于同一列的存储单元的第二端连接在一起；位于第n列的存储单元的第二端连接位于第n-1列的存储单元的第二端，N≥n＞1，n为偶数。
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