公开(公告)号：CN117375400A

公开(公告)日：2024-01-09

申请号：CN202310367194.8

申请日：2023-04-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 吴正贤 ,  金贞敬 ,  朴永训 ,  张勋

IPC: H02M3/00 ,  H01L27/12 ,  H01L25/065 ,  H02M3/158

Abstract: 提供了一种包括降压转换器的电源管理集成电路，降压转换器包括具有第一导电类型的第一金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)和具有第二导电类型的第二MOSFET。第一MOSFET包括被二维地布置的晶体管集合。每个晶体管集合包括源极区域、漏极区域以及源极区域和漏极区域之间的栅电极。每个源极区域和每个漏极区域包括具有第一导电类型的杂质区域，并且每个源极区域还包括具有第二导电类型的分段区域。第一源极区域与第二源极区域在第一方向上间隔开，并且第一源极区域中的分段区域的数量与第二源极区域中的分段区域的数量不同。

公开(公告)号：CN112825334A

公开(公告)日：2021-05-21

申请号：CN202011308208.1

申请日：2020-11-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李奎沃 ,  俞在炫 ,  金贞敬 ,  宋周泫 ,  赵秀娟 ,  洪元杓

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

Abstract: 一种半导体装置包括半导体衬底。漂移区设置在半导体衬底中。漂移区具有第一导电类型。主体区设置在半导体衬底中，邻近于漂移区。主体区具有第二导电类型。漏极区设置在漂移区中，与主体区相对。漏极隔离绝缘膜设置在邻近于漏极区的漂移区的一部分中。栅极绝缘膜设置在半导体衬底上，并且在主体区的一部分和漂移区的一部分上方延伸。栅电极设置在栅极绝缘膜上，并且栅电极具有至少一个闭合类型的开口。