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公开(公告)号：CN111009546A
公开(公告)日：2020-04-14
申请号：CN201910949959.2
申请日：2019-10-08
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本申请提供了一种可变电阻存储器装置及其制造方法，所述方法包括：在衬底上形成存储器单元的阵列，其中，各个存储器单元包括可变电阻结构和开关元件；以及形成覆盖开关元件的侧壁的侧壁绝缘层。形成侧壁绝缘层的步骤包括：向开关元件的暴露的侧壁供应硅源的预备步骤；以及执行工艺循环多次的主步骤，工艺循环包括供应硅源和供应反应气体。在预备步骤中供应硅源的持续时间长于在主步骤中的工艺循环中供应硅源的持续时间。
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公开(公告)号：CN100365716C
公开(公告)日：2008-01-30
申请号：CN200380110396.5
申请日：2003-12-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11B7/12
CPC classification number: G11B7/0945 , G11B7/123 , G11B7/1275 , G11B7/131 , G11B7/1353 , G11B2007/0006
Abstract: 本发明公开了一种光学再现设备，其具有使用了双波长激光二极管的光检测器。根据本发明，由于用于分别检测DVD和CD的激光束的16分光学二极管的出现，能够通过应用双波长激光二极管来实现光学拾波器。此外，根据光盘的种类使用不同的方法来检测聚焦误差信号和循轨误差信号，从而使得多盘再现成为可能。
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公开(公告)号：CN1551157A
公开(公告)日：2004-12-01
申请号：CN200410043065.0
申请日：2004-04-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11B7/135
CPC classification number: G11B7/1353 , G11B7/0909 , G11B7/123 , G11B7/1263 , G11B7/127 , G11B7/131 , G11B7/1356 , G11B7/1359 , G11B7/1398 , G11B2007/0006
Abstract: 一种光学拾取器包括光学模块，该光学模块向记录媒体发射光并接收从记录媒体反射回来的光从而检测信息信号和/或错误信号。光学模块包括光源；光路改变器，其用于改变从光源出射的光束的路径；主光电探测器，其用于接收从记录媒体反射回光学模块的光束，从而检测信息信号和/或错误信号；和全息元件，其用于产生入射到光学模块中光的像散。由于除了物镜以外的大多数光学模块都能够被包装在单一的光学模块中，所以整个光学拾取器的结构可以被简化，并且也可减少在基底上固定光学拾取器的光学元件的粘结点的数量。
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公开(公告)号：CN113921705A
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN202110400679.3
申请日：2021-04-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L45/00
Abstract: 一种可变电阻存储装置包括：第一导电线，所述第一导电线在第一方向上延伸；第二导电线，所述第二导电线在第二方向上延伸并且在所述可变电阻存储装置的俯视图中与所述第一导电线交叉；以及单元结构，所述单元结构在所述俯视图中分别设置在所述第一导电线与所述第二导电线的交叉点处。每个所述单元结构包括开关图案、可变电阻图案以及设置在所述开关图案和所述第一导电线之间的第一电极，所述第一电极包含碳。每条所述第一导电线包括位于其上部的上图案，所述上图案包含金属氮化物。所述上图案与所述第一电极的底表面接触。
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公开(公告)号：CN109216543A
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201810730781.8
申请日：2018-07-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L45/00
CPC classification number: H01L27/2463 , G11C7/18 , G11C8/14 , G11C13/0004 , G11C13/003 , G11C2213/76 , H01L27/2427 , H01L27/2481 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/126 , H01L45/142 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/148 , H01L45/1675 , H01L45/00
Abstract: 一种半导体器件包括第一存储单元、第二存储单元、第一盖膜和第二盖膜。第一存储单元包括在第一相变存储器上的第一双向阈值开关(OTS)。第二存储单元包括在第二相变存储器上的第二OTS。第一盖膜在第一存储单元和第二存储单元的侧表面上。第二盖膜在第一盖膜上并填充第一存储单元与第二存储单元之间的空间。
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公开(公告)号：CN1794608A
公开(公告)日：2006-06-28
申请号：CN200510132822.6
申请日：2005-12-22
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H04B7/04
Abstract: 提供了一种用于使用单个串行编程接口(SPI)控制具有多个RF块的多入多出(MIMO)射频(RF)收发器的方法和设备。该MIMO系统包括：MIMO收发器，具有一个或多个输入和输出单元以及控制所述输入和输出单元串行接口转换单元；和控制器，控制MIMO收发器。串行接口转换单元经由串行编程接口(SPI)从控制器接收控制数据，将接收的控制数据解码为具有适于控制输入和输出单元的格式，并将从输入和输出单元接收的数据编码为与SPI兼容。因此，可实现具有简单结构的小尺寸MIMO系统，并且可减小在控制MIMO系统的多个RF块的处理中发生的错误的概率。
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公开(公告)号：CN1771543A
公开(公告)日：2006-05-10
申请号：CN200380110293.9
申请日：2003-10-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11B7/13
CPC classification number: G11B7/131 , G11B7/0903 , G11B7/0906 , G11B7/0909 , G11B7/0943 , G11B7/123 , G11B7/1275 , G11B2007/0006
Abstract: 本发明公开了一种用于双波长激光二极管的光电二极管。根据本发明，提供了一种12划分光电二极管以用于分别检测DVD激光束和CD激光束，结果，使双波长激光二极管很好地适应于光学拾取器中。
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公开(公告)号：CN112397645B
公开(公告)日：2024-12-24
申请号：CN202010284475.3
申请日：2020-04-13
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本公开提供了制造交叉点型半导体存储器件的方法。一种制造交叉点型半导体存储器件的方法包括：形成字线和单元堆叠，间隙在单元堆叠之间；在该间隙中形成下间隙填充绝缘体；在下间隙填充绝缘体上形成上间隙填充绝缘体；固化下间隙填充绝缘体和上间隙填充绝缘体以形成间隙填充绝缘体；以及在单元堆叠和间隙填充绝缘体上形成位线。下间隙填充工艺可以使用包括第一前驱体和第二前驱体的第一源气体执行，上间隙填充工艺可以使用包括第一前驱体和第二前驱体的第二源气体执行，在第一源气体中第一前驱体与第二前驱体的体积比可以大于15：1，在第二源气体中第一前驱体与第二前驱体的体积比可以小于15：1。
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