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公开(公告)号：CN109216543A
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201810730781.8
申请日：2018-07-05
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01L45/00
CPC分类号： H01L27/2463 , G11C7/18 , G11C8/14 , G11C13/0004 , G11C13/003 , G11C2213/76 , H01L27/2427 , H01L27/2481 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/126 , H01L45/142 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/148 , H01L45/1675 , H01L45/00
摘要： 一种半导体器件包括第一存储单元、第二存储单元、第一盖膜和第二盖膜。第一存储单元包括在第一相变存储器上的第一双向阈值开关(OTS)。第二存储单元包括在第二相变存储器上的第二OTS。第一盖膜在第一存储单元和第二存储单元的侧表面上。第二盖膜在第一盖膜上并填充第一存储单元与第二存储单元之间的空间。
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公开(公告)号：CN107689419A
公开(公告)日：2018-02-13
申请号：CN201710654882.7
申请日：2017-08-03
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01L45/00
CPC分类号： H01L27/2427 , H01L23/528 , H01L27/224 , H01L27/2481 , H01L43/02 , H01L43/08 , H01L43/10 , H01L45/04 , H01L45/06 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/1246 , H01L45/1253 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/146 , H01L45/148 , H01L45/142
摘要： 提供一种非易失性存储器件，该非易失性存储器件能够通过使用包括多层结构的双向阈值开关(OTS)选择元件而提高存储器件的可靠性。非易失性存储器件包括：彼此间隔开的第一电极和第二电极；选择元件层，在第一电极和第二电极之间，其与到第一电极相比，更靠近第二电极设置，并且其包括第一硫族化物层和第二硫族化物层。第一硫族化物层包括第一硫族化物材料，第二硫族化物层包括第二硫族化物材料。在第一电极和选择元件层之间的存储层包括不同于第一硫族化物材料和第二硫族化物材料的第三硫族化物材料。
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公开(公告)号：CN102104055A
公开(公告)日：2011-06-22
申请号：CN201010598271.3
申请日：2010-12-21
申请人： 三星电子株式会社
CPC分类号： H01L45/16 , H01L27/2463 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/124 , H01L45/1293 , H01L45/141 , H01L45/1683
摘要： 本发明提供了可变电阻存储器及其形成方法。可变电阻存储器可以包括基板、在基板上的多个底电极、以及包括形成在其中的沟槽的第一层间绝缘层。沟槽暴露底电极并沿第一方向延伸。可变电阻存储器还包括顶电极和多个可变电阻图案，该顶电极设置在第一层间绝缘层上并沿与第一方向交叉的第二方向延伸，该多个可变电阻图案设置在沟槽中并具有与顶电极的侧壁对准的侧壁。
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公开(公告)号：CN100359666C
公开(公告)日：2008-01-02
申请号：CN200510092748.X
申请日：2005-08-19
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01L21/768 , H01L21/82 , H01L45/00
CPC分类号： H01L21/76877 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/126 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/1683
摘要： 提供了由多个导电层图形形成诸如通路栓塞的导电栓塞结构的方法和制造半导体器件的方法，该半导体器件包括诸如相变半导体存储器件的半导体存储器件。典型方法是，通过在半导体衬底上形成导电层，形成微细通路结构。在导电层上形成模制绝缘层，并通过该绝缘层形成通孔，以露出导电层的某个区域。形成第一通路填充层，然后，部分除去它，以形成部分通路栓塞。然后，如果需要，重复执行形成和除去相变材料层的过程，以形成基本填充该通孔的多层栓塞结构，与传统方法相比，该多层结构通常表现减少的缺陷和损伤。
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公开(公告)号：CN110277495B
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN201910135852.4
申请日：2019-02-25
申请人： 三星电子株式会社
摘要： 提供了一种用于制造半导体装置的设备和方法。所述设备可以包括：腔室，包括壳体和用于打开或关闭壳体的一部分的隔离阀；加热器卡盘，设置在壳体的下部区域中并被构造为加热基底；靶，设置在加热器卡盘上方；等离子体电极，设置在壳体的上部区域中并用于在靶上产生等离子体；散热屏蔽件，在等离子电极与加热器卡盘之间围绕壳体的内壁；边缘加热结构，设置在散热屏蔽件以及壳体的内壁之间，并且被构造为加热散热屏蔽件以及基底的边缘区域并减小基底的中心区域与边缘区域之间的温度差异。
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公开(公告)号：CN107689419B
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN201710654882.7
申请日：2017-08-03
申请人： 三星电子株式会社
摘要： 提供一种非易失性存储器件，该非易失性存储器件能够通过使用包括多层结构的双向阈值开关(OTS)选择元件而提高存储器件的可靠性。非易失性存储器件包括：彼此间隔开的第一电极和第二电极；选择元件层，在第一电极和第二电极之间，其与到第一电极相比，更靠近第二电极设置，并且其包括第一硫族化物层和第二硫族化物层。第一硫族化物层包括第一硫族化物材料，第二硫族化物层包括第二硫族化物材料。在第一电极和选择元件层之间的存储层包括不同于第一硫族化物材料和第二硫族化物材料的第三硫族化物材料。
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公开(公告)号：CN107644934A
公开(公告)日：2018-01-30
申请号：CN201710497491.9
申请日：2017-06-26
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01L45/00
CPC分类号： H01L27/2481 , H01L45/1233 , H01L45/143 , H01L45/144
摘要： 一种存储器件包括可变电阻层和电连接到可变电阻层的选择器件层。存储器件还包括减少漏电流并且具有例如根据以下化学式1的成分的硫族化物开关材料，[GeXSiY(AsaTe1-a)Z](1-U)[N]U-------------------------------(1)其中，0.05≤X≤0.1，0.15≤Y≤0.25，0.7≤Z≤0.8，X+Y+Z＝1，0.45≤a≤0.6并且0.08≤U≤0.2。
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公开(公告)号：CN102104055B
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：CN201010598271.3
申请日：2010-12-21
申请人： 三星电子株式会社
CPC分类号： H01L45/16 , H01L27/2463 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/124 , H01L45/1293 , H01L45/141 , H01L45/1683
摘要： 本发明提供了可变电阻存储器及其形成方法。可变电阻存储器可以包括基板、在基板上的多个底电极、以及包括形成在其中的沟槽的第一层间绝缘层。沟槽暴露底电极并沿第一方向延伸。可变电阻存储器还包括顶电极和多个可变电阻图案，该顶电极设置在第一层间绝缘层上并沿与第一方向交叉的第二方向延伸，该多个可变电阻图案设置在沟槽中并具有与顶电极的侧壁对准的侧壁。
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