公开(公告)号：CN101727983B

公开(公告)日：2016-06-01

申请号：CN200910208176.5

申请日：2009-10-28

申请人： 三星电子株式会社 ,  首尔大学校产学协力团

发明人： 金辰赫 ,  李东起 ,  郑泰圣 ,  苏秉世 ,  张悳铉 ,  闵相烈 ,  金锡俊

IPC分类号： G11C16/02 ,  G11C16/10

CPC分类号： G11C11/5628 ,  G11C11/5642 ,  G11C16/10 ,  G11C16/26 ,  G11C17/146 ,  G11C2211/5641

摘要： 本发明提供了一种闪存系统及其驱动方法。根据本发明实施例的闪存设备包括存储单元阵列及控制逻辑，该阵列包括多个存储单元。控制逻辑对要在多个存储单元中存储的一比特信息执行控制。控制逻辑控制在多个存储单元中存储数据多次，而没有擦除操作。因此，闪存设备不执行擦除操作，提高了操作速度。

公开(公告)号：CN1322428C

公开(公告)日：2007-06-20

申请号：CN01144049.X

申请日：2001-12-28

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 金范洙 ,  李贵荣 ,  金钟敏 ,  印至 ,  金济成 ,  卢三赫 ,  闵相烈 ,  李东熙 ,  郑宰溶 ,  曹裕根 ,  崔钟武

IPC分类号： G06F12/02 ,  G06F12/06 ,  G06F12/08 ,  G06F11/22 ,  G11C7/00

CPC分类号： G06F12/0246 ,  G06F3/0679 ,  G06F13/4239 ,  G06F2212/2022 ,  G06F2212/7203

摘要： 提供一种闪速存储器管理方法。根据该方法，当请求将预定数据写到已被写入数据的页面中时，将该预定数据写到与包含该页面的数据块相对应的日志块中。当再次接收到将预定数据写到该页面的请求时，将预定数据写到日志块中的空的自由页面中。即使请求连续地写同一个页面，该管理方法也能够在一个日志块中处理这种情况，由此提高了闪速存储器资源的使用效率。

公开(公告)号：CN1821977A

公开(公告)日：2006-08-23

申请号：CN200510131612.5

申请日：2005-12-15

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 朴赞益 ,  闵相烈 ,  郑泰圣 ,  鞠铉镐

IPC分类号： G06F12/00 ,  G06F13/00 ,  G11C7/00

CPC分类号： G06F3/0656 ,  G06F3/0616 ,  G06F3/0625 ,  G06F3/0679 ,  Y02D10/154

摘要： 一种存储系统包括被配置成存储数据的存储介质和被配置成缓存要被写入存储介质中的数据的缓存器。存储系统还包括被配置成响应从外部源接收的无效指示符而将缓存数据有选择地传送给存储介质的控制器。例如，无效指示符可以包括从外部源接收的不写信息，例如表示所选择的缓存数据对应于被删除的文件数据的信息。

公开(公告)号：CN1821977B

公开(公告)日：2011-02-23

申请号：CN200510131612.5

申请日：2005-12-15

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 朴赞益 ,  闵相烈 ,  郑泰圣 ,  鞠铉镐

IPC分类号： G06F12/00 ,  G06F13/00 ,  G11C7/00

CPC分类号： G06F3/0656 ,  G06F3/0616 ,  G06F3/0625 ,  G06F3/0679 ,  Y02D10/154

摘要： 一种存储系统包括被配置成存储数据的存储介质和被配置成缓存要被写入存储介质中的数据的缓存器。存储系统还包括被配置成响应从外部源接收的无效指示符而将缓存数据有选择地传送给存储介质的控制器。例如，无效指示符可以包括从外部源接收的不写信息，例如表示所选择的缓存数据对应于被删除的文件数据的信息。

公开(公告)号：CN100552646C

公开(公告)日：2009-10-21

申请号：CN200610169966.3

申请日：2006-12-25

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 申东君 ,  闵相烈 ,  李时润 ,  金荘焕 ,  宋东显 ,  金贞银

IPC分类号： G06F12/06 ,  G06F12/08 ,  G06F12/16

CPC分类号： G06F12/0866 ,  G06F12/0246 ,  G06F2212/1036 ,  G06F2212/222 ,  G06F2212/282 ,  G06F2212/7211

摘要： 提供了一种使用非易失性存储器作为高速缓存的存储设备及其运行方法，其中，使用非易失性存储器作为高速缓存以即使断电也能保存数据。使用非易失性存储器作为高速缓存的存储设备包括：主存储介质；非易失性存储器，用作主存储介质的高速缓存，所述非易失性存储器包括根据数据是否被固定而划分的固定区域和非固定区域；和块管理单元，管理非易失性存储器中分配的块。

公开(公告)号：CN1991791A

公开(公告)日：2007-07-04

申请号：CN200610169966.3

申请日：2006-12-25

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 申东君 ,  闵相烈 ,  李时润 ,  金荘焕 ,  宋东显 ,  金贞银

IPC分类号： G06F12/06 ,  G06F12/08 ,  G06F12/16

CPC分类号： G06F12/0866 ,  G06F12/0246 ,  G06F2212/1036 ,  G06F2212/222 ,  G06F2212/282 ,  G06F2212/7211

摘要： 提供了一种使用非易失性存储器作为高速缓存的存储设备及其运行方法，其中，使用非易失性存储器作为高速缓存以即使断电也能保存数据。使用非易失性存储器作为高速缓存的存储设备包括：主存储介质；非易失性存储器，用作主存储介质的高速缓存，所述非易失性存储器包括根据数据是否被固定而划分的固定区域和非固定区域；和块管理单元，管理非易失性存储器中分配的块。

公开(公告)号：CN101727983A

公开(公告)日：2010-06-09

申请号：CN200910208176.5

申请日：2009-10-28

申请人： 三星电子株式会社 ,  首尔大学校产学协力团

发明人： 金辰赫 ,  李东起 ,  郑泰圣 ,  苏秉世 ,  张悳铉 ,  闵相烈 ,  金锡俊

IPC分类号： G11C16/02 ,  G11C16/10

CPC分类号： G11C11/5628 ,  G11C11/5642 ,  G11C16/10 ,  G11C16/26 ,  G11C17/146 ,  G11C2211/5641

摘要： 本发明提供了一种闪存系统及其驱动方法。根据本发明实施例的闪存设备包括存储单元阵列及控制逻辑，该阵列包括多个存储单元。控制逻辑对要在多个存储单元中存储的一比特信息执行控制。控制逻辑控制在多个存储单元中存储数据多次，而没有擦除操作。因此，闪存设备不执行擦除操作，提高了操作速度。

公开(公告)号：CN1389790A

公开(公告)日：2003-01-08

申请号：CN01144049.X

申请日：2001-12-28

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 金范洙 ,  李贵荣 ,  金钟敏 ,  印至晛 ,  金济成 ,  卢三赫 ,  闵相烈 ,  李东熙 ,  郑宰溶 ,  曹裕根 ,  崔钟武

IPC分类号： G06F12/02 ,  G06F12/06 ,  G06F12/08 ,  G06F11/22 ,  G11C7/00

CPC分类号： G06F12/0246 ,  G06F3/0679 ,  G06F13/4239 ,  G06F2212/2022 ,  G06F2212/7203

摘要： 提供一种闪速存储器管理方法。根据该方法,当请求将预定数据写到已被写入数据的页面中时,将该预定数据写到与包含该页面的数据块相对应的的日志块中。当再次接收到将预定数据写到该页面的请求时,将预定数据写到日志块中的空的自由页面中。即使请求连续地写同一个页面,该管理方法也能够在一个日志块中处理这种情况,由此提高了闪速存储器资源的使用效率。