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公开(公告)号：CN106941019A
公开(公告)日：2017-07-11
申请号：CN201710003784.7
申请日：2017-01-04
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明涉及电导体、其制造方法和包括其的电子装置。电导体包括：基底、包括石墨烯的第一导电层、和包括导电金属纳米线的第二导电层，其中所述第一导电层和所述第二导电层设置在所述基底上，其中所述第一导电层设置在所述基底和所述第二导电层之间或者在所述第二导电层上，其中所述第一导电层具有面向所述第二导电层的第一表面和与所述第一表面相反的第二表面，且其中，在所述第一表面和所述第二表面中，所述石墨烯是用p型掺杂剂p掺杂的。
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公开(公告)号：CN102285660A
公开(公告)日：2011-12-21
申请号：CN201110164676.0
申请日：2011-06-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C01B35/00 , H01L29/167
CPC classification number: H01L29/1606 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/186 , H01L29/7781 , H01L29/78684
Abstract: 提供被氮和硼代替的石墨烯、其制造方法及具有其的晶体管，该石墨烯包括碳(C)原子被硼(B)原子和氮(N)原子部分地代替的结构。该石墨烯具有带隙。被硼和氮代替的石墨烯可用作场效应晶体管的沟道。该石墨烯可通过使用环硼氮烷或氨硼烷作为氮化硼(B-N)前体进行化学气相沉积(CVD)方法形成。
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公开(公告)号：CN107025953B
公开(公告)日：2020-01-17
申请号：CN201610991612.0
申请日：2016-11-10
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 示例性实施方式提供透明电极和包括其的电子器件，所述透明电极包括基底、形成于所述基底上并且包括由石墨烯或其衍生物形成的网状结构体的第一层、和形成于所述第一层上的第二层，其中石墨烯网状结构体包括多个孔并且所述第二层包括多个导电纳米线。
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公开(公告)号：CN102060292A
公开(公告)日：2011-05-18
申请号：CN201010541911.7
申请日：2010-11-10
Applicant: 三星电子株式会社 , 成均馆大学校产学协力团
IPC: C01B31/04
CPC classification number: C01B31/0206 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/15 , Y10T156/1041
Abstract: 示例实施例涉及制造和转移大尺寸石墨烯层的方法。转移大尺寸石墨烯层的方法可以包括：在基底上形成石墨烯层、保护层和粘合层；去除所述基底。可以通过将所述石墨烯层滑动到转移基底上来将所述石墨烯层设置在所述转移基底上。
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公开(公告)号：CN108110144B
公开(公告)日：2021-11-26
申请号：CN201711176209.3
申请日：2017-11-22
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开包括量子点的发光器件和显示器件。所述发光器件包括彼此面对的第一电极和第二电极、以及设置在所述第一电极和所述第二电极之间并且包括量子点的发光层，其中所述量子点包括半导体纳米晶体和结合至所述半导体纳米晶体的表面的配体，和其中所述配体包括有机硫醇配体或其盐和包含金属的多价金属化合物，所述金属包括Zn、In、Ga、Mg、Ca、Sc、Sn、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Sr、Y、Zr、Nb、Mo、Cd、Ba、Au、Hg、Tl、或其组合。所述显示器件包括所述发光器件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107768541A
公开(公告)日：2018-03-06
申请号：CN201710710708.X
申请日：2017-08-18
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L51/502 , H01L51/5215 , H01L51/5218 , H01L51/5231 , H01L51/5262 , H01L51/5265 , H01L51/5275 , H01L2251/5353
Abstract: 本公开提供了一种电子器件以及包括该电子器件的显示装置。一种电子器件包括：彼此面对的第一电极和第二电极；包含多个量子点的发射层，其中发射层设置在第一电极和第二电极之间；第一电荷辅助层，设置在第一电极和发射层之间；以及光学功能层，设置在第二电极上且在与发射层相反的一侧，其中第一电极包括反射电极，其中第二电极是光透射电极，其中光学功能层和第一电极之间的区域包括微腔结构，并且光学功能层的折射率大于或等于第二电极的折射率。
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公开(公告)号：CN102060292B
公开(公告)日：2014-10-29
申请号：CN201010541911.7
申请日：2010-11-10
Applicant: 三星电子株式会社 , 成均馆大学校产学协力团
IPC: C01B31/04
CPC classification number: C01B31/0206 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/15 , Y10T156/1041
Abstract: 示例实施例涉及制造和转移大尺寸石墨烯层的方法。转移大尺寸石墨烯层的方法可以包括：在基底上形成石墨烯层、保护层和粘合层；去除所述基底。可以通过将所述石墨烯层滑动到转移基底上来将所述石墨烯层设置在所述转移基底上。
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公开(公告)号：CN106941019B
公开(公告)日：2020-12-22
申请号：CN201710003784.7
申请日：2017-01-04
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明涉及电导体、其制造方法和包括其的电子装置。电导体包括：基底、包括石墨烯的第一导电层、和包括导电金属纳米线的第二导电层，其中所述第一导电层和所述第二导电层设置在所述基底上，其中所述第一导电层设置在所述基底和所述第二导电层之间或者在所述第二导电层上，其中所述第一导电层具有面向所述第二导电层的第一表面和与所述第一表面相反的第二表面，且其中，在所述第一表面和所述第二表面中，所述石墨烯是用p型掺杂剂p掺杂的。
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公开(公告)号：CN107025953A
公开(公告)日：2017-08-08
申请号：CN201610991612.0
申请日：2016-11-10
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 示例性实施方式提供透明电极和包括其的电子器件，所述透明电极包括基底、形成于所述基底上并且包括由石墨烯或其衍生物形成的网状结构体的第一层、和形成于所述第一层上的第二层，其中石墨烯网状结构体包括多个孔并且所述第二层包括多个导电纳米线。
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