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公开(公告)号：CN105321591A
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201510275760.8
申请日：2015-05-26
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: C01B19/007 , C01B19/04 , C01P2006/40 , H01B1/06 , H01L21/02562 , Y02E10/50 , Y02E10/54
Abstract: 公开导电薄膜和包括其的电子器件。所述导电薄膜包括由化学式1表示并且具有层状晶体结构的化合物，其中，Me为Ru、Os、Re、Rh、Ir、Pd、Pt、Cu、Ag、或者Au，和Ch为硫、硒、碲、或其组合。化学式1：MeCh2。
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公开(公告)号：CN101462717A
公开(公告)日：2009-06-24
申请号：CN200810169624.0
申请日：2008-10-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C01B31/04
CPC classification number: C30B1/10 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/188 , C01B2204/04 , C30B29/02
Abstract: 本发明描述了一种单晶石墨烯片、一种制备单晶石墨烯片的工艺以及一种包括单晶石墨烯片的透明电极。所述单晶石墨烯片包含多环芳香分子，其中，多个碳原子彼此共价结合，单晶石墨烯片包括层数在大约1层至大约300层之间的层，其中，Raman D带强度与Raman G带强度的峰比小于等于大约0.2。所述制备单晶石墨烯片的方法包括：形成包括单晶石墨化金属触媒片的触媒层；将含碳材料设置在触媒层上；在惰性气氛和还原性气氛中的至少一种中热处理触媒层和含碳材料。
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公开(公告)号：CN101314470A
公开(公告)日：2008-12-03
申请号：CN200810107802.7
申请日：2008-05-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C01B31/02 , H01L29/786 , H01L29/43 , H01L21/00 , H01L21/28
CPC classification number: H01L51/002 , B82Y10/00 , H01L51/0021 , H01L51/0049 , H01L51/444 , H01L51/5206 , Y02E10/542 , Y02E10/549
Abstract: 本发明公开了一种导电性提高的碳纳米管、其制备工艺及包含其的电极。本发明提供了一种掺杂碳纳米管的方法、利用该方法制备的p－掺杂的碳纳米管、包含所述碳纳米管的电极、显示装置或太阳能电池。具体来讲，提供了一种通过利用氧化剂对碳纳米管改性来掺杂具有提高的导电性的碳纳米管的方法、利用该方法制备的被掺杂的碳纳米管、包含所述碳纳米管的电极、显示装置或太阳能电池。
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公开(公告)号：CN1269600C
公开(公告)日：2006-08-16
申请号：CN200410043022.2
申请日：2004-04-09
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: B22F1/0085 , B22F2999/00 , B82Y25/00 , H01F1/14733 , H01M4/52 , Y10S977/777 , B22F1/0022
Abstract: 本发明提供非磁性镍粉及其制备方法。该镍粉具有非磁性特性和HCP晶体结构。该方法包括(a)将具有FCC晶体结构的镍粉分散在有机溶剂中以制备起始材料分散体；(b)加热该起始材料分散体从而将具有FCC晶体结构的镍粉转变成具有HCP晶体结构的镍粉。本发明的镍粉不显示磁性团聚现象。因此，含有本发明镍粉的用于形成各种电子器件中内电极的浆料能保持很好的分散状态。而且，由该镍粉制成的内电极即使在高频带下也具有低的阻抗值。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105304158B
公开(公告)日：2018-11-06
申请号：CN201510259510.5
申请日：2015-05-20
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明涉及导电薄膜和包括其的电子器件。所述导电薄膜包括由化学式1表示并具有层状晶体结构的化合物，其中，Me为Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、或Lu；Ch为硫、硒、或碲；且a为范围为1‑3的整数。化学式1MeCha。
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公开(公告)号：CN105304158A
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201510259510.5
申请日：2015-05-20
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: C01B19/007 , C23C14/0623 , C23C14/28 , C30B29/46 , H01B1/00 , H01B1/06
Abstract: 本发明涉及导电薄膜和包括其的电子器件。所述导电薄膜包括由化学式1表示并具有层状晶体结构的化合物，其中，Me为Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、或Lu；Ch为硫、硒、或碲；且a为范围为1-3的整数。化学式1MeCha。
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公开(公告)号：CN104541389A
公开(公告)日：2015-04-22
申请号：CN201380023872.3
申请日：2013-05-15
Applicant: 三星电子株式会社 , 汉阳大学校产学协力团
CPC classification number: H01M4/583 , H01M4/0404 , H01M4/0428 , H01M4/133 , H01M4/134 , H01M4/366 , H01M4/382 , H01M4/405 , H01M4/587 , H01M4/661 , H01M10/052 , H01M2004/027 , Y02E60/122 , Y02T10/7011 , H01M4/625
Abstract: 负极包括：包括锂的金属层；和包括具有板结构的碳质材料且设置在所述金属层上的板状碳质材料层。
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公开(公告)号：CN104137282A
公开(公告)日：2014-11-05
申请号：CN201280070771.7
申请日：2012-12-28
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L35/22 , C01B32/184 , H01L35/16 , H01L35/32 , H01L35/34 , Y02P20/133
Abstract: 一种异质层叠包括：石墨烯；和设置在石墨烯上的热电无机化合物。
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公开(公告)号：CN100550455C
公开(公告)日：2009-10-14
申请号：CN200610171137.9
申请日：2006-12-25
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明公开了一种通过控制感生电流量而能够在纳米磁性存储单元中写/读多个数据的纳米磁性存储器件，在根据从第一电极通过纳米磁性存储器件的纳米线到第二电极流动的字线电流而磁性纳米点被扰动并重排之后，形成感生电流。且因此，通过提供单元尺寸更小的简化的纳米磁性存储器件，存储器件的尺寸减小且存储器件的密度可以改善。
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