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公开(公告)号：CN105321591B
公开(公告)日：2018-10-12
申请号：CN201510275760.8
申请日：2015-05-26
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开导电薄膜和包括其的电子器件。所述导电薄膜包括由化学式1表示并且具有层状晶体结构的化合物，其中，Me为Ru、Os、Re、Rh、Ir、Pd、Pt、Cu、Ag、或者Au，和Ch为硫、硒、碲、或其组合。化学式1MeCh2。
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公开(公告)号：CN107025318A
公开(公告)日：2017-08-08
申请号：CN201610958896.3
申请日：2016-11-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F17/50
CPC classification number: G06N99/005 , G06F17/30424 , G06F17/5009 , G06F19/704 , G06F19/707 , G06N7/005 , G06F2217/10
Abstract: 本发明涉及用于探索新材料的方法和装置。用于探索新材料的方法包括：对基于已知材料建模的材料模型执行学习；通过向所述学习的结果输入目标物理性质而确定候选材料；和从所述候选材料确定所述新材料。
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公开(公告)号：CN100421271C
公开(公告)日：2008-09-24
申请号：CN200510076219.0
申请日：2005-04-07
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L33/24 , B82Y20/00 , H01L33/08 , H01L33/38 , H01L51/0038 , H01L51/502 , H01L51/5032 , H01L2251/303
Abstract: 提供一种纳米丝发光器件及其制造方法。该纳米丝发光器件包括形成在衬底上的第一导电层、垂直形成在第一导电层上的多个纳米丝，每一纳米丝具有n型掺杂部分和p型掺杂部分、在n型掺杂部分或p型掺杂部分之间的发光层、填充在分别对应于p型掺杂部分和n型掺杂部分的空间的第一和第二导电有机聚合物，以及形成在纳米丝上的第二导电层。通过向对应的纳米丝表面提供电子或从其接受电子，有机聚和物将对应的纳米丝表面掺杂。
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公开(公告)号：CN101236994A
公开(公告)日：2008-08-06
申请号：CN200810009419.8
申请日：2008-02-01
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/792 , H01L29/51 , H01L27/115 , H01L21/336 , H01L21/28 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L29/7881 , H01L29/513 , H01L29/792
Abstract: 本发明公开了一种电荷捕获存储装置及其制造方法。根据示例实施例的电荷捕获存储装置可包括设置在基底上的隧穿绝缘层。电荷捕获层可设置在隧穿绝缘层上。阻挡绝缘层可设置在电荷捕获层上，其中，阻挡绝缘层可包含镧系元素(例如，镧)。阻挡绝缘层还可包含铝和氧，其中，镧系元素与铝的比率可以大于1(例如，大约1.5至大约2)。电荷捕获存储装置还可包括设置在电荷捕获层和阻挡绝缘层之间的缓冲层和设置在阻挡绝缘层上的栅电极。
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公开(公告)号：CN101286522A
公开(公告)日：2008-10-15
申请号：CN200710093282.4
申请日：2007-12-19
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L45/1246 , H01L27/2436 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/148 , H01L45/1675 , Y10T29/49002
Abstract: 本发明提供了一种相变存储装置、其制造方法和操作方法。该相变存储装置包括开关装置和与该开关装置连接的存储节点。存储节点包括底部叠层、设置在底部叠层上的相变层和设置在相变层上的顶部叠层。相变层包括用于增加流经相变层的电流通路和减少相变存储区域体积的单元。和底部叠层相对设置的单元的表面面积大于或等于与相变层接触的底部叠层的表面面积。
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公开(公告)号：CN100365836C
公开(公告)日：2008-01-30
申请号：CN200510076220.3
申请日：2005-04-07
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供一种纳米丝发光器件及其制造方法。该纳米丝光发光器件包括在衬底上的第一导电层，在第一导电层上的多个纳米丝，每一个纳米丝在其两端具有p型掺杂部分和n型掺杂部分，在p型掺杂部分和n型掺杂部分之间具有光发射层，以及形成在纳米丝上的第二导电层。通过沿掺杂部分的周围吸收分子形成掺杂部分。
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公开(公告)号：CN1722480A
公开(公告)日：2006-01-18
申请号：CN200510076219.0
申请日：2005-04-07
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L33/24 , B82Y20/00 , H01L33/08 , H01L33/38 , H01L51/0038 , H01L51/502 , H01L51/5032 , H01L2251/303
Abstract: 提供一种纳米丝发光器件及其制造方法。该纳米丝发光器件包括形成在衬底上的第一导电层、垂直形成在第一导电层上的多个纳米丝，每一纳米丝具有n型掺杂部分和p型掺杂部分、在n型掺杂部分或p型掺杂部分之间的发光层、填充在分别对应于p型掺杂部分和n型掺杂部分的空间的第一和第二导电有机聚合物，以及形成在纳米丝上的第二导电层。通过向对应的纳米丝表面提供电子或从其接受电子，有机聚和物将对应的纳米丝表面掺杂。
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公开(公告)号：CN1691362A
公开(公告)日：2005-11-02
申请号：CN200510076220.3
申请日：2005-04-07
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供一种纳米丝发光器件及其制造方法。该纳米丝光发光器件包括在衬底上的第一导电层，在第一导电层上的多个纳米丝，每一个纳米丝在其两端具有p型掺杂部分和n型掺杂部分，在p型掺杂部分和n型掺杂部分之间具有光发射层，以及形成在纳米丝上的第二导电层。通过沿掺杂部分的周围吸收分子形成掺杂部分。
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